北方華創(chuàng)公開“刻蝕方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備”相關(guān)專利

天眼查發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示，近期北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司成功申請并獲得多項專利信息。其中引人注目的一項名為“一種含硅有機介電層的刻蝕方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備”的專利，其公開號為CN117174582A。

該專利詳細闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。在第一刻蝕步驟中，使用的刻蝕氣體至少包含氧氣；而在第二刻蝕步驟中，則需要將含氧氣體和含氟氣體混合使用。這種巧妙的設(shè)計使我們能夠通過交替執(zhí)行這兩個步驟，靈活地調(diào)整含氧氣體和含氟氣體的氣體比例，從而控制和影響含硅有機介電層中各種不同元素的刻蝕速度，進一步降低含硅有機介電層中可能形成的溝槽或者通孔底部的微小凹點和突起等問題，進而使溝槽或通孔底部呈現(xiàn)出平滑的表面形狀，有效防止了溝槽或通孔底部聚集過多的電場應(yīng)力，從而確保了電子器件性能的穩(wěn)定性。

根據(jù)權(quán)威消息來源，北方華創(chuàng)在半導(dǎo)體工藝裝備研發(fā)領(lǐng)域取得了顯著成果，其產(chǎn)品涵蓋了例如刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，廣泛應(yīng)用于邏輯器件、存儲器件、先進封裝、第三代半導(dǎo)體、半導(dǎo)體照明、微機電系統(tǒng)、新型顯示、新能源光伏、襯底材料等相關(guān)制造業(yè)的生產(chǎn)流程中。