近年來(lái),隨著人們對(duì)健康的關(guān)注和對(duì)環(huán)境污染的意識(shí)提高,以實(shí)現(xiàn)碳中和為目標(biāo)的企業(yè)和團(tuán)體越來(lái)越多。在促進(jìn)環(huán)境治理方面,環(huán)境檢測(cè)儀器用于檢測(cè)二氧化碳和溫度等數(shù)據(jù)。在這些設(shè)備中,首先要用環(huán)境傳感器將外部環(huán)境信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào),然后就需要用到運(yùn)算放大器將這些信號(hào)準(zhǔn)確放大,以便進(jìn)行適當(dāng)處理。
NL6012是本公司史無(wú)前例的高精度運(yùn)算放大器,實(shí)現(xiàn)了最大輸入失調(diào)電壓為10μV,最大失調(diào)電壓漂移為0.05μV/°C。準(zhǔn)確放大和處理電信號(hào)可最大限度地減少對(duì)傳感系統(tǒng)的影響,從而降低了設(shè)備在精度方面的設(shè)計(jì)工時(shí)和成本。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1. 節(jié)能性能和高直流性能
零漂移運(yùn)算放大器的特點(diǎn)是對(duì)溫度變化具有良好穩(wěn)定性的低輸入失調(diào)電壓。零漂移運(yùn)算放大器通過(guò)調(diào)制DC偏移分量(稱為斬波穩(wěn)定架構(gòu))到高頻并截頻以實(shí)現(xiàn)高精度。這將消除輸入失調(diào)電壓和溫度漂移。特別是溫度穩(wěn)定性很難用MCU校正,所以在產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工序中是重要的特性。
近年來(lái),電子器件的節(jié)能化在不斷發(fā)展,但IC的高性能卻與低功耗是背道而馳的。零漂移內(nèi)部的斬波電路也是一樣的,要想高性能化,就需要提高對(duì)消電路自身的模擬性能。NL6012通過(guò)精細(xì)優(yōu)化IC內(nèi)部電流,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了15μA低消耗電流和最大輸入失調(diào)電壓為10μV的高性能。
圖①顯示的是相同低消耗電流的零漂移運(yùn)算放大器的失調(diào)電壓和失調(diào)電壓漂移比較圖。一般產(chǎn)品C和NL6012在數(shù)據(jù)表上的規(guī)格值都是0.05μV/°C max.,但是如圖②所示,NL6012的實(shí)測(cè)值為±0.01μV/°C左右,非常小,顯示出了很好的特性值。因此,NL6012可省去客戶生產(chǎn)線上的調(diào)整工作和測(cè)量?jī)x器的自動(dòng)校準(zhǔn)工作,有助于提高工作效率并降低制造成本。
2. 溫度穩(wěn)定性高
NL6012是一種具有良好溫度穩(wěn)定性的產(chǎn)品。一般的半導(dǎo)體器件都是隨著溫度升高就會(huì)產(chǎn)生漏電流。漏電流雖是非常小的電流,但在低消耗電流運(yùn)算放大器的情況下,會(huì)導(dǎo)致失調(diào)電壓和消耗電流等IC性能的降低。因此,抑制高溫下的漏電流有助于提高器件的穩(wěn)定性。NL6012通過(guò)對(duì)運(yùn)算放大器的每個(gè)元件進(jìn)行徹底的高溫漏電流改善對(duì)策,即使在高溫下也展現(xiàn)出了較高的性能。
圖③是NL6012和一般零漂移運(yùn)算放大器的輸入失調(diào)電壓-溫度特性比較圖。NL6012即使在125°C下也沒(méi)有輸入失調(diào)電壓變動(dòng),具有非常高的溫度穩(wěn)定性。因此,即使用在工業(yè)設(shè)備傳感器或工廠等嚴(yán)酷的環(huán)境中也能放心使用。
【圖③:零漂移運(yùn)算放大器的輸入失調(diào)電壓-溫度特性實(shí)測(cè)值比較】
3. 想到了與ADC連接的高振蕩穩(wěn)定性
零漂移運(yùn)算放大器的作用是無(wú)誤差地放大傳感器的微小信號(hào),并把放大后的信號(hào)傳輸給ADC。工業(yè)設(shè)備中廣泛使用的逐次逼近(SAR)型ADC隨著高精度化的發(fā)展,為了發(fā)揮出其本來(lái)性能,連接輸入端的過(guò)濾器的設(shè)計(jì)變得很重要。由于該濾波器的電容容量較大,因此常用運(yùn)算放大器的穩(wěn)定性會(huì)降低并成為引起振蕩的主要原因。NL6012具有耐1000pF負(fù)載電容的高穩(wěn)定性,并在輸入濾波器設(shè)計(jì)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)低衰減,最大限度地提高ADC的性能。
4.高EMC性能
由于最近電子設(shè)備的物聯(lián)網(wǎng)化,各種各樣的設(shè)備連接到互聯(lián)網(wǎng)上,更容易受到來(lái)自通信信號(hào)噪聲的影響。為了實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)量,就要防止這些噪聲影響到輸入失調(diào)電壓值,因此抗噪能力也很重要。電磁干擾抑制比EMI Rejection Ratio(以下簡(jiǎn)稱EMIRR)是一個(gè)抗噪聲性能指標(biāo),表示的是當(dāng)輸入100mV AC信號(hào)時(shí)的輸入失調(diào)電壓變化量。
NL6012在手機(jī)主要使用頻率1.8GHz下的EMIRR值為100dB以上,但換算成失調(diào)電壓則為1μV。 NL6012在200MHz以上的頻率下具有80dB (換算失調(diào)電壓為10μV) 以上的EMIRR性能。我們將幫助您進(jìn)行物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和無(wú)線設(shè)備的穩(wěn)健設(shè)計(jì)。
主要性能指標(biāo)(詳情請(qǐng)參閱產(chǎn)品數(shù)據(jù)表)
(V+ = 5V, V? = 0V, 標(biāo)準(zhǔn)值)
低輸入失調(diào)電壓: 10μV max.
零漂移: 0.05μV/°C max.
低消耗電流: 15μA/ch
軌到軌輸入輸出
電源電壓: 2.1V to 5.5V
輸入偏置電流: 30pA
增益帶寬積(GBW): 260kHz
電壓轉(zhuǎn)換速率: 0.11V/μs
噪聲電壓: 60nV/√Hz
內(nèi)置EMI濾波器
工作溫度: -40°C to 125°C
雙電路
封裝: VSP-8-AF
審核編輯 黃宇
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