電遷移簡寫為EM,electromigration,這是一種很基本的電學(xué)現(xiàn)象,可能在電路課上講的少,反而物理課上會(huì)聽過。
EM對現(xiàn)在的芯片設(shè)計(jì)有很大影響,已經(jīng)成為后端設(shè)計(jì)一個(gè)不可忽視的重要現(xiàn)象了。今天我就來簡單介紹什么是EM,以及它會(huì)帶來的影響。
EM在很早就被發(fā)現(xiàn)了,甚至在芯片誕生之前人們就發(fā)現(xiàn)了EM現(xiàn)象,但一直到芯片出現(xiàn)之后,隨著工藝越來越先進(jìn),EM所帶來的影響才慢慢顯著起來。
它指的是:在通電導(dǎo)體中,由于電子的移動(dòng),會(huì)與金屬離子產(chǎn)生碰撞,導(dǎo)致金屬離子移位,宏觀上表現(xiàn)為金屬變形,對于芯片中納米級(jí)很細(xì)的導(dǎo)線來說,久而久之可能會(huì)使net發(fā)生短路或斷路,進(jìn)而造成芯片工作失效。
EM現(xiàn)象深刻影響著芯片壽命,因?yàn)樾酒灰谑褂?,就?huì)發(fā)生EM現(xiàn)象,使用的越久,EM所累積的效應(yīng)就越多,金屬越來越變形。
如果在某個(gè)地方金屬離子大量流失,可能會(huì)在這里斷路;而如果某個(gè)地方聚集了大量別的地方來的金屬離子,net這里可能就會(huì)變寬,當(dāng)碰到旁邊導(dǎo)線的時(shí)候就會(huì)發(fā)生短路。
理論上來說芯片的壽命是有限的,只要工作的夠久,EM總會(huì)使芯片失效。對于早期不考慮EM影響的芯片,最短的壽命可能僅僅幾周;現(xiàn)在的芯片都會(huì)考慮EM現(xiàn)象,能保證芯片工作幾年。
如何來量化EM的影響呢?對于我們后端來說,一般就會(huì)看一個(gè)指標(biāo):電流密度。我們其實(shí)就做了一個(gè)微觀到宏觀上的轉(zhuǎn)化處理,相同材料下,電流密度越大的地方EM現(xiàn)象越明顯。
因此后端在繞線的時(shí)候必須要遵守一個(gè)EM spec,這個(gè)spec規(guī)定了不同金屬層(或者說不同材料的金屬)所能承載的最大電流密度。
如果某一段shape仿真出來結(jié)果電流密度比spec大,就發(fā)生了EM violation,表明這個(gè)地方很有可能導(dǎo)致芯片壽命降低,所以這種violation也是必須要修掉的。
修的方法就從電流密度的定義著手。電流密度由導(dǎo)體橫截面積和流過電流決定,而金屬層的厚度我們無法改變,所以對我們來說就由net的寬度和電流決定了。(我突然想提一句net的橫截面一般不是長方形,而是梯形)。所以修的方法有兩種:增大net寬度,以及減小net電流。
增加寬度可以在ECO的時(shí)候給這個(gè)net上NDR,再讓tool重新繞;減小電流就可以多并聯(lián)一段shape用于分擔(dān)電流,也可以減小driver的驅(qū)動(dòng)能力。
EM存在于芯片的所有net上,不管這段net是PG、signal、還是clock線,都必須遵守EM rule。
一般會(huì)稱發(fā)生在PG上的EM為PEM,Signal上的EM為SEM。對PEM violation一般都會(huì)再多加PG mesh,SEM violation的首選方法還是上NDR。
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