0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

淺談碳化硅陶瓷的各種燒結技術

深圳市賽姆烯金科技有限公司 ? 來源:復材社 ? 2023-12-07 16:37 ? 次閱讀

以下內容來源于復材社

碳化硅作為一種重要的結構陶瓷材料,憑借其優(yōu)異的高溫力學強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能,不僅應用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換器、密封環(huán)、滑動軸承等傳統(tǒng)工業(yè)領域,還可作為防彈裝甲材料、空間反射鏡、半導體晶圓制備中夾具材料及核燃料包殼材料。

碳化硅陶瓷的燒結過程非常重要,經(jīng)過眾多研究者研究和探索工作,先后發(fā)展了各種燒結技術,包括反應燒結、常壓燒結、重結晶燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結,以及近二十年來的新型燒結技術,如放電等離子燒結、閃燒、振蕩壓力燒結技術等。

1熱壓燒結

美國Norton公司的Alliegro等人研究發(fā)明制備碳化硅陶瓷的熱壓燒結法。碳化硅粉末填入模具中,升溫加熱過程中保持一定壓力,最終實現(xiàn)成型和燒結同時完成的燒結方法。熱壓燒結的特點是加熱加壓同時進行,在合適的壓力-溫度-時間工藝條件控制下實現(xiàn)碳化硅的燒結成型。熱壓燒結法存在的弊端是機器設備復雜,模具材料要求高,生產(chǎn)工藝要求嚴,只適合制備簡單形狀的零件,且能源消耗大,生產(chǎn)效率較低,生產(chǎn)成本高。工藝流程如下所示:

d5972a60-94ab-11ee-939d-92fbcf53809c.png

碳化硅坯體熱(等靜)壓燒結工藝流程圖

2反應燒結

反應燒結碳化硅最早由P.Popper在上世紀50年代提出,其工藝過程是將碳源和碳化硅粉混合,通過注漿成型,干壓或冷等靜壓成型制備出坯體,然后進行滲硅反應,即在真空或惰性氣氛下將坯體加熱至1500℃以上,固態(tài)硅熔融成液態(tài)硅,通過毛細管作用滲入含氣孔的坯體。液態(tài)硅或硅蒸氣與坯體中C之間發(fā)生化學反應,原位生成的β-SiC與坯體中原有SiC顆粒結合,形成反應燒結碳化硅陶瓷材料。工藝流程圖如下:

d59b28fe-94ab-11ee-939d-92fbcf53809c.png

碳化硅坯體反應燒結工藝流程圖

反應燒結碳化硅的優(yōu)勢是燒結溫度低、生產(chǎn)成本低、材料致密化程度較高,特別是反應燒結過程中幾乎不產(chǎn)生體積收縮,特別適合大尺寸復雜形狀結構件的制備。高溫窯具材料、輻射管、熱交換器、脫硫噴嘴等均是反應燒結碳化硅陶瓷的典型應用。

3常壓燒結

1974年由美國GE公司的S.Prochazka等人研制發(fā)明。常壓燒結碳化硅是在不施加外部壓力的情況下,即通常在1.01×105Pa壓力和惰性氣氛條件下,通過添加合適的燒結助劑,在2000~2150℃,可對不同形狀和尺寸的樣品進行致密化燒結。碳化硅的常壓燒結可分固相燒結和液相燒結兩種工藝。

固相常壓燒結碳化硅能夠達到較高的致密度3.10~3.15g/cm3,且沒有晶間的玻璃相,擁有出色的高溫力學性能,其使用溫度能達到1600℃。但是須注意固相燒結碳化硅的燒結溫度過高時,可能導致其晶粒過大而降低材料的抗彎強度。

液相常壓燒結碳化硅的出現(xiàn)進一步拓展了碳化硅陶瓷材料的應用范圍。液相燒結中液相的出現(xiàn)通常通過單個組分的熔化、兩個或多個組分的共晶形成。液相的產(chǎn)生提供了高擴散率路徑從而來提高燒結速度,所以液相燒結具有比固態(tài)燒結溫度低的優(yōu)點,且晶粒尺寸小,殘留在晶間的液相將碳化硅陶瓷的斷裂模式從穿晶斷裂改變?yōu)檠鼐嗔?,從而提高了材料的抗彎強度及斷裂韌性。SiC的常壓燒結技術已趨于成熟,其優(yōu)勢在于生產(chǎn)成本較低,對產(chǎn)品的形狀尺寸沒有限制,特別是固相燒結SiC陶瓷的致密度高,顯微結構均勻,材料綜合性能優(yōu)異。工業(yè)上應用廣泛的耐磨損耐腐蝕的密封環(huán)、滑動軸承等主要為常壓燒結碳化硅。

4重結晶燒結

上世紀80年代,Kriegesmann通過注漿成型制備生坯,于2450℃制備出性能優(yōu)異的重結晶碳化硅陶瓷材料,而后很快由德國FCT公司及美國諾頓(Norton)公司實行大規(guī)模生產(chǎn)。重結晶SiC陶瓷材料是不同粒徑的SiC顆粒以一定比列級配后成型為素坯,素坯中細顆??删鶆蚍植加诖诸w粒之間的孔隙中,然后在2100℃以上的高溫及一定流量的保護氣氛下,SiC細顆粒逐漸蒸發(fā)后在粗顆粒接觸點處凝聚淀析,直到細顆粒完全消失。這種蒸發(fā)-凝聚機理作用的結果,使得在顆粒的頸部形成新的晶界,從而造成細顆粒被遷移,形成大顆粒之間的連橋結構及具有一定氣孔率的燒結體。

由于重結晶SiC特有的燒結機理和過程,從而具有如下特點:

1)因為燒結過程并沒有發(fā)生晶界或體積擴散,而蒸發(fā)凝聚和表面擴散并未使SiC顆粒之間距離減小,因此燒結過程中幾乎沒有體積收縮;

2)重結晶SiC素坯經(jīng)燒結后密度幾乎不增加;

3)重結晶SiC具有非常清晰潔凈的晶界,不含玻璃相和雜質;

4)燒成后的重結晶SiC制品含有10%~20%的殘余氣孔率。

5熱等靜壓燒結

熱等靜壓是利用惰性高壓氣體(如氬氣)來促進材料致密化燒結的工藝,碳化硅粉末坯體在真空下被密封在一個玻璃或金屬容器中。在熱等靜壓過程中,樣品被加熱到燒結溫度時,由壓縮機保持數(shù)兆帕的初始氣壓。在加熱過程中,氣體壓力逐漸升高,高達200MPa,使用等靜壓氣體壓力來消除材料內部氣孔達到致密化。

6放電等離子燒結

放電等離子燒結技術是制備塊體材料的一種全新的粉末冶金技術,它利用高能電火花在較低的溫度和較短的時間內完成試樣的燒結過程,可用于制備金屬材料、陶瓷材料和復合材料。燒結過程中,顆粒間的瞬間放電和高溫等離子體可以破碎或去除粉末顆粒表面雜質(如氧化膜等)和吸附的氣體,活化粉末顆粒表面,提高燒結質量和效率。利用放電等離子燒結技術,對添加Al2O3和Y2O3助燒劑的SiC微粉進行快速燒結,可以得到致密的碳化硅陶瓷。

7微波燒結

相對于傳統(tǒng)燒結工藝,微波燒結是利用微波電磁場中材料的介質損耗使材料整體加熱至燒結溫度而實現(xiàn)燒結和致密化。與常規(guī)燒結方式相比,微波燒結具有很多優(yōu)點,如燒結溫度低、加熱速度快、獲得的材料致密性好等,同時微波燒結加速了材料的傳質過程,從而能獲得細晶粒材料。

8閃燒

閃燒(FlashSintering,F(xiàn)S)具有能耗低、燒結速度超快等優(yōu)點,近年來也被應用于碳化硅的燒結研究。閃燒是指在加熱爐中加熱時,通過在樣品上直接施加電壓。一旦達到一定的閾值溫度,電流的突然非線性增加快速產(chǎn)生焦耳熱,樣品可以在幾秒鐘內迅速產(chǎn)生致密化。

9振蕩壓力燒結

燒結過程中引入動態(tài)壓力有利于打破顆粒中的自鎖和團聚現(xiàn)象,減少氣孔、團聚等缺陷的數(shù)量和尺寸,從而獲得高致密度、細晶粒尺寸的均勻顯微結構,制備出高強度高可靠性的結構陶瓷材料。基于這種新的燒結理念,清華大學謝志鵬研究團隊提出在陶瓷粉末燒結過程中引入動態(tài)振蕩壓力替代現(xiàn)有的恒定靜態(tài)壓力這一思路,并將這個新型的燒結技術命名為振蕩壓力燒結。

d5b92700-94ab-11ee-939d-92fbcf53809c.png

振蕩壓力燒結設備示意圖與實物

該燒結技術的優(yōu)勢在于:

1)可以通過連續(xù)振蕩壓力產(chǎn)生的顆粒重排顯著提高燒結前粉體的堆積密度;

2)提供了更大的燒結驅動力,更加有利于促進燒結體內晶粒旋轉和滑移、塑性流動而加快坯體的致密化,尤其是燒結進入后期,通過調節(jié)振蕩壓力的頻率和大小,排除晶界處的殘余微小氣孔,進而完全消除材料內部的殘余孔隙。

工業(yè)生產(chǎn)中用到較多的反應燒結、常壓燒結和重結晶燒結三種碳化硅陶瓷材料制備方法均有其獨特的優(yōu)勢,且所制備的碳化硅的顯微結構和性能及應用領域也有不同。

反應燒結的燒結溫度低,生產(chǎn)成本低,制備的產(chǎn)品收縮率極小,致密化程度高,適合大尺寸復雜形狀結構件的制備,反應燒結碳化硅多用于高溫窯具、噴火嘴、熱交換器、光學反射鏡等方面。

常壓燒結的優(yōu)勢在于生產(chǎn)成本低,對產(chǎn)品的形狀尺寸沒有限制,制備的產(chǎn)品致密度高,顯微結構均勻,材料綜合性能優(yōu)異,所以更適合制備精密結構件,如各類機械泵中的密封件、滑動軸承及防彈裝甲、光學反射鏡、半導體晶圓夾具等。

重結晶碳化硅擁有純凈的晶相,不含雜質,且有較高的孔隙率、優(yōu)異的導熱性和抗熱震性,是高溫窯具、熱交換器或燃燒噴嘴的理想候選材料。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    334

    文章

    26324

    瀏覽量

    209992
  • 晶圓
    +關注

    關注

    52

    文章

    4743

    瀏覽量

    127276
  • 燒結
    +關注

    關注

    0

    文章

    16

    瀏覽量

    6980
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    2633

    瀏覽量

    48524

原文標題:科普 | 一文了解碳化硅陶瓷的9大燒結技術

文章出處:【微信號:深圳市賽姆烯金科技有限公司,微信公眾號:深圳市賽姆烯金科技有限公司】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下
    發(fā)表于 03-08 08:37

    新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

    新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種
    發(fā)表于 10-19 10:45

    碳化硅的歷史與應用介紹

    的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電
    發(fā)表于 07-02 07:14

    碳化硅深層的特性

    。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來,低碳生活也是隨之而來,隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料,碳化硅的銷售市場也是十分火爆,許多磨料磨具業(yè)內人開始關注起碳化硅這個行業(yè)了。目前碳化硅
    發(fā)表于 07-04 04:20

    碳化硅二極管選型表

    應用領域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
    發(fā)表于 10-24 14:21

    碳化硅半導體器件有哪些?

      由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極
    發(fā)表于 06-28 17:30

    碳化硅基板——三代半導體的領軍者

    碳化硅(SiC)陶瓷基板完全符合新能源汽車要求。碳化硅(SiC)陶基板小型化的特點可大幅削減新能源汽車的電力損失,使其在各種惡劣的環(huán)境下仍能正常工作。
    發(fā)表于 01-12 11:48

    碳化硅陶瓷線路板,半導體功率器件的好幫手

    二十世紀五十年代后半期,才被納入到固體器件的研究中來。二十世紀九十年代,碳化硅技術才真正意義上得到了迅速發(fā)展。SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比,較高的熱導率決定了其高電流密度的特性,較高的禁帶寬
    發(fā)表于 03-25 14:09

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
    發(fā)表于 06-18 08:32

    碳化硅的應用

    碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
    發(fā)表于 08-19 17:39

    傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    應用領域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
    發(fā)表于 09-23 15:02

    請教碳化硅刻蝕工藝

    最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在
    發(fā)表于 08-31 16:29

    歸納碳化硅功率器件封裝的關鍵技術

    燒結效果。圖 12 給出了一些典型的焊錫和燒結材料的熱導率和工作溫度對比圖。此外,為確保碳化硅器件穩(wěn)定工作,陶瓷基板和金屬底板也需要具備良好的高溫可靠性。表 2、3分別給出了目前常用
    發(fā)表于 02-22 16:06

    應用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

      采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產(chǎn)品型號  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
    發(fā)表于 02-27 11:55

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動的區(qū)別

      硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
    發(fā)表于 02-27 16:03