隨著雙碳目標(biāo)和國(guó)產(chǎn)化政策的推進(jìn),下游光伏/風(fēng)力發(fā)電、新能源汽車及充電設(shè)備、產(chǎn)業(yè)控制及消費(fèi)者電子等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展,國(guó)內(nèi)電力半導(dǎo)體零部件的需求更加旺盛。近年來,國(guó)內(nèi)一些企業(yè)在輸出半導(dǎo)體零部件方面快速發(fā)展,瑞森半導(dǎo)體就是其中之一。
瑞森半導(dǎo)體(REASUNOS)始于2007年,是一家致力于功率半導(dǎo)體零部件和電力ic的研究、設(shè)計(jì)、銷售的國(guó)家級(jí)高科技企業(yè),為全球客戶提供電力半導(dǎo)體綜合解決方案。
瑞森半導(dǎo)體是開發(fā)第三代波段型半導(dǎo)體技術(shù),最早批量生產(chǎn)國(guó)內(nèi)碳化硅(sic)產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)世界銷售的企業(yè)。國(guó)際品牌在品質(zhì),性能,標(biāo)準(zhǔn)方面,成功地將許多進(jìn)口系列芯片國(guó)產(chǎn)化作為輔助。在集成芯片領(lǐng)域,國(guó)內(nèi)首次開發(fā)出400w級(jí)高性能pf無閃光燈led驅(qū)動(dòng)ic,是競(jìng)爭(zhēng)力較強(qiáng)的自主產(chǎn)品。在功率器件領(lǐng)域,持續(xù)投資于高電壓、高電流、模式化及sic mosfet、gan hemts系列的開發(fā)。
現(xiàn)在瑞森半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成立“湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院產(chǎn)教融合基地”,設(shè)立功率半導(dǎo)體和集成技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,長(zhǎng)沙半導(dǎo)體技術(shù)和應(yīng)用創(chuàng)新研究院共同建設(shè)功率半導(dǎo)體器件和功率ic的技術(shù)創(chuàng)新和研發(fā)合作,正在深入進(jìn)行。以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)新產(chǎn)品開發(fā)與應(yīng)用為核心的,瑞森聯(lián)合,半導(dǎo)體和集成技術(shù)為全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,長(zhǎng)沙將原來對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)和應(yīng)用創(chuàng)新研究院的硅基繼續(xù)開發(fā)產(chǎn)品進(jìn)行迭代升級(jí),同時(shí)也專注于碳化硅零部件缺陷的設(shè)計(jì)、材料及功率密度高,輸出將ic領(lǐng)域上同一、力量、聚焦高轉(zhuǎn)換效率共振半橋,混合數(shù)字模式等。
瑞森半導(dǎo)體專注于低功耗、高轉(zhuǎn)換效率產(chǎn)品開發(fā),現(xiàn)已形成硅基功率器件(20V-1500V MOSFET)、碳化硅基功率器件(650V-1200V-1700V-2000V SiC MOSFET/SBD)、功率驅(qū)動(dòng)IC三大產(chǎn)品系列。產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、數(shù)碼家電、保安項(xiàng)目、太陽能變頻、5g基站電源、新能源汽車充電所等領(lǐng)域。
瑞森半導(dǎo)體以強(qiáng)大的綜合產(chǎn)品能力和技術(shù)優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ),在單一產(chǎn)品銷售方面,為世界客戶提供電力半導(dǎo)體綜合解決方案。同時(shí),2023年瑞森半導(dǎo)體開始全球擴(kuò)張,在中國(guó)市場(chǎng)上接連成立瑞森半導(dǎo)體科技(湖南)有限公司和瑞森半導(dǎo)體科技(深圳)有限公司,在全國(guó)各地?fù)碛写砩?。在?guó)際市場(chǎng)上,先后開發(fā)印度,菲律賓,新加坡,俄羅斯等,全球銷售網(wǎng)持續(xù)擴(kuò)張。憑借高信賴性、高穩(wěn)定性、優(yōu)秀的供應(yīng)鏈管理以及充分的生產(chǎn)能力儲(chǔ)備,瑞森半導(dǎo)體在世界市場(chǎng)上持續(xù)獲得廣泛認(rèn)可。
2023年10月,瑞森半導(dǎo)體獨(dú)立開發(fā)了rsc6218a/rsc6205a系列(rsc6218a/rsc6205a)的半橋模塊,其中包括5w-18w/20-50w功率單元(llc共振拓片)的半橋驅(qū)動(dòng)器led整流控制電路和電力轉(zhuǎn)換裝置。電路工作頻率達(dá)到200khz,采用絕緣體上的硅soi及bcd工藝,輸入的電壓范圍在600v以上。內(nèi)部集成:欠壓檢測(cè)模塊、整流器模塊、誤差放大器、壓控振蕩器、邏輯處理模塊、電平移位模塊、高邊驅(qū)動(dòng)模塊、低邊驅(qū)動(dòng)模塊;通過優(yōu)化產(chǎn)品內(nèi)部設(shè)計(jì),密封多個(gè)平面高壓mos。提高產(chǎn)品內(nèi)部功率器件的開閉性能,使用獨(dú)特的廣幅wsop-14封裝;產(chǎn)品可在尖端商業(yè)照明、軌道交通照明、護(hù)眼教育照明等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
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