0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

邊界條件復(fù)制/真實曲面網(wǎng)格設(shè)置/磁滯模型定義

jf_0T4ID6SG ? 來源:西莫電機(jī)論壇 ? 2023-12-08 16:50 ? 次閱讀

如何將邊界條件和幾何一起復(fù)制?

1問題描述

在Maxwell中,用戶在復(fù)制物體的時候,軟件默認(rèn)只復(fù)制物體的尺寸和材料屬性,不復(fù)制邊界條件,本文將介紹通過改變軟件設(shè)置,使得邊界條件可以連同幾何一起復(fù)制的方法。

2方法實現(xiàn)

在菜單欄,點擊Tools>>Options>>GeneralOptions>>Maxwell 2D/Maxwell 3D>>Boundary Assignment,勾選中Duplicate boundaries/mesh operations withgeometry選項。

d91f649a-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

前往Options中的General Options

d937882c-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

啟動Maxwell 2D復(fù)制功能

d94179fe-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

啟動Maxwell 3D復(fù)制功能

用戶需要注意的是,當(dāng)選中此選項時,網(wǎng)格操作和分配給對象的激勵也將會被同時復(fù)制。用戶也可參見 Maxwell在線幫助Assigning Boundaries and Excitations for 3D/2D Designs>>ModifyingBoundary Conditions and Excitations>>Duplicating Boundaries andExcitationsd的相關(guān)內(nèi)容,了解更多關(guān)于復(fù)制操作的說明。

3總結(jié)

本文介紹了用戶通過改變軟件設(shè)置,使得在復(fù)制物體的時候,其邊界條件可以連同幾何模型一起復(fù)制,省去了再次創(chuàng)建邊界條件的操作,提高了仿真分析的效率。

如何在Maxwell的網(wǎng)格操作中設(shè)置Surface Approximation?

1問題描述

在Maxwell中,Surface Approximation在幾何圖形具有真實曲面(圓形曲面)時尤其重要,在這種情況下,網(wǎng)格的設(shè)置應(yīng)該盡可能接近真實曲面形狀,否則求解時一些幾何信息可能會被錯過。本文將介紹如何在網(wǎng)格操作中設(shè)置Surface Approximation,這將幫助用戶得到接近幾何形狀的網(wǎng)格。

2方法實現(xiàn)

在Maxwell中,Surface Approximation網(wǎng)格操作可被用于物體表面,如平面、圓柱、圓錐、環(huán)面、球面或曲面等,原始模型的面稱為真實面。為了創(chuàng)建一個有限元網(wǎng)格, Maxwell 先將所有的真實表面分成三角形,這些三角形表面被稱為多面表面,因為三角形中的一系列直線段代表每一個曲面或平面。

d945575e-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

(a) 球面

d9513e3e-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

(b) 圓柱面

d9696a90-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

(c) 環(huán)面

d97d8fe8-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

(d) 圓錐面

真實的表面例子

對于平面而言,三角形恰好位于模型面上,真實表面與網(wǎng)格表面的位置和法線沒有差異。當(dāng)一個物體的表面是非平面的,多面三角形面與物體的真實表面有一個小距離。這個距離稱為表面偏差,它是用模型的單位來測量的。表面偏差在三角形中心附近較大,在三角形頂點附近較小。為了設(shè)置表面近似網(wǎng)格操作,需參考以下步驟。

(1) 選擇要修改 Surface Approximation 設(shè)置的面。或者,如果您想修改對象上每個面的表面近似設(shè)置,則選擇此對象。

(2) 點擊Maxwell>>MeshOperations>>Assign>>Surface Approximation來打開表面近似對話框。

d988cf34-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

表面近似對話框

(3) 命名該設(shè)置組或使用默認(rèn)名稱。

(4) 在曲面網(wǎng)格下,用戶可以選擇Use Slider或指定Manual Settings。

(a) 在Use Slider中,滑塊包含用戶選擇的分辨率的視覺表示,從少量網(wǎng)格的粗分辨率到大量網(wǎng)格的精細(xì)分辨率,共包含9位刻度選項。

(b) 在Manual Settings中,點擊后界面將會切換為文本輸入,用戶可以手動設(shè)置網(wǎng)格數(shù)據(jù)。

Surface Deviation表示表面偏差, 用戶可以輸入所選面的真實表面與網(wǎng)格面的距離,并選擇單位。

d9990d7c-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

Surface Deviation圖形說明

Normal Deviation表示普通偏差,用戶可以輸入真實表面法線與對應(yīng)網(wǎng)格面之間的角距離,并選擇單位。

d9aa8462-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

Normal Deviation圖形說明

Aspect ratio表示縱橫比,用戶可以在框中輸入一個值。該值決定了三角形的形狀,值越高,三角形越細(xì)。接近1的值會出現(xiàn)形狀良好的寬三角形。

用戶需要注意的是,如果以上三種手動設(shè)置有多選,Maxwell將會將它們組合后應(yīng)用。

3總結(jié)

本文介紹了在幾何圖形具有真實曲面(圓形曲面)時,通過在網(wǎng)格操作中設(shè)置Surface Approximation,該設(shè)置會使網(wǎng)格盡可能接近真實曲面形狀,有效避免求解時錯過一些幾何信息,提高了仿真分析的精度。

Maxwell中的磁滯模型

1問題描述

磁滯模型(HysteresisModel)可以用于Maxwell磁瞬態(tài)求解器(2D和3D),以高精度計算鐵芯損耗和小回路磁滯現(xiàn)象。如果采用磁滯模型來計算鐵芯損耗,則磁滯損耗分量將可以直接根據(jù)磁滯回線的輸入數(shù)據(jù)計算,并且渦流損耗分量將基于經(jīng)典渦流損耗系數(shù)Kc(疊壓)或者Bulk Current(實心)。

在軟件中有多個“Hysteresis”術(shù)語的使用。為了方便理解,本文中所指的模型是瞬態(tài)鐵芯損耗模型的一種,稱之為“Hysteresis Model”。這與標(biāo)準(zhǔn)的“Electrical Steel”損耗模型相反,該模型是基于解析(Steinmetz)方程,其包含一個稱為“Hysteresis Loss”的損耗分量,并且具有相應(yīng)的Kh系數(shù)。

渦流場求解器中也有磁滯損耗計算,但這不在本文討論的范圍。

2方法實現(xiàn)

磁滯模型通用材料的設(shè)置方法如下。

首先在第一象限輸入軟磁材料的非線性BH數(shù)據(jù),從(0,0)開始,并超過用戶需要仿真的最大飽和點。這使得求解器能夠正確地對數(shù)據(jù)進(jìn)行插值,而不需要對 BH 數(shù)據(jù)進(jìn)行任何外推。

然后確保BH數(shù)據(jù)具有正確的單位,并且Normal和Intrinsic選項設(shè)置正確。該BH曲線是非線性“anhysteretic”曲線,即直流磁化曲線。磁滯模型將被添加到該非線性曲線的頂部。

d9b4c544-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

設(shè)置軟磁材料的非線性BH曲線

對于該模型,當(dāng)選中Lamination后電導(dǎo)率僅用于Maxwell 3D瞬態(tài)中求解疊壓方向法向磁通產(chǎn)生的損耗。同時,該模型中忽略了磁矯頑力部分。鐵芯損耗模型選擇Hysteresis Model。Composition設(shè)置為Lamination(建立疊片),疊壓系數(shù)(Stacking Factor)以及疊壓方向(Stacking Direction)都需要指定。需要注意的是,V(1)、V(2)及V(3) 分別對應(yīng)笛卡爾坐標(biāo)系的X、Y及Z或圓柱坐標(biāo)系的R、Phi及Z。

d9bbf4fe-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

鐵芯損耗選擇磁滯模型

接下來是定義磁滯模型的Hci值。

用戶可以直接在材料屬性或是磁滯回線計算工具中定義內(nèi)稟矯頑力Hci的值。Hci的值是必須得定義的,而剩磁Br的值則是可選的。用戶可通過點擊材料屬性框中的“Hysteresis Loop”選項打開磁滯回線窗口。

d9c9fd06-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

Hysteresis Loop磁滯回線窗口

對于疊壓材料,用戶可使用Kc系數(shù)定義鐵芯損耗的經(jīng)典渦流分量。該分量可通過電導(dǎo)率σ(西門子/米)和疊壓厚度d(米)計算得到,計算公式如下。

Kc=π2σd2/6

d9e2c0e8-95a0-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

Kc系數(shù)計算原理示意

在該疊壓案例中,渦流分量屬于鐵芯損耗一部分(單個疊片內(nèi)的小規(guī)模感應(yīng)電流),并且鐵芯中不存在Bulk Current(疊片阻止大電流產(chǎn)生)。因此,疊壓物體總是默認(rèn)關(guān)閉渦流效應(yīng)設(shè)置。

對于實心材料,如實心鋼芯,求解器會忽略Kc參數(shù),當(dāng)存在感應(yīng)電流時,應(yīng)設(shè)置Bulk Conductivity,同時開啟渦流效應(yīng)設(shè)置,以計算渦流損耗。

由于在材料設(shè)置中磁滯模型已被啟用,因此鐵芯損耗計算不必再進(jìn)行設(shè)置。在瞬態(tài)場中,用該材料定義的所有物體都會計算鐵芯損耗。

3總結(jié)

本文介紹了磁滯模型(HysteresisModel),通過磁滯模型計算鐵芯損耗,磁滯損耗分量將可以直接根據(jù)磁滯回線的輸入數(shù)據(jù)計算,并且渦流損耗分量將基于經(jīng)典渦流損耗系數(shù)Kc(疊壓)或者Bulk Current(實心)。磁滯模型(Hysteresis Model)可用于Maxwell磁瞬態(tài)求解器(2D和3D),以高精度計算鐵芯損耗和小回路磁滯現(xiàn)象。

50多年來,Ansys軟件憑借其強大的仿真預(yù)測功能,助力高瞻遠(yuǎn)矚的創(chuàng)新企業(yè)實現(xiàn)突破,展現(xiàn)自我。從可持續(xù)交通到先進(jìn)半導(dǎo)體,從高精尖的衛(wèi)星系統(tǒng)到拯救萬千生命的醫(yī)療設(shè)備,Ansys始終致力于幫助客戶迎接技術(shù)挑戰(zhàn),解決設(shè)計難題,不斷引領(lǐng)他們超越想象,演繹精彩。Ansys正推動人類踏上全新的偉大征程。

與Ansys堅定向前,奔向確定性的未來!

Ansys Maxwell大本營

Ansys Maxwell大本營微信公眾號由Ansys中國原廠技術(shù)團(tuán)隊維護(hù),致力于與廣大低頻電磁場仿真用戶溝通交流,提供Ansys低頻電磁最新資訊,解決方案,新功能介紹,軟件使用技巧(FAQ),培訓(xùn)教程,二次開發(fā)腳本,應(yīng)用案例等。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 模型
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    3032

    瀏覽量

    48357
  • 網(wǎng)格
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    139

    瀏覽量

    15940
  • Maxwell
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    36

    瀏覽量

    12545

原文標(biāo)題:Maxwell軟件熱門FAQ集錦1: 邊界條件復(fù)制/真實曲面網(wǎng)格設(shè)置/磁滯模型定義

文章出處:【微信號:西莫電機(jī)論壇,微信公眾號:西莫電機(jī)論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    頻域內(nèi)電磁波仿真所使用多種域和邊界條件

    我們在之前的文章中探討了頻域內(nèi)電磁波仿真所使用的多種域和邊界條件,以及有關(guān)模擬、網(wǎng)格剖分和求解的選項。本篇文章會將這些信息都串聯(lián)起來,對 RF 模塊和“波動光學(xué)”模塊中可以求解的各類問題作一個簡要介紹。
    的頭像 發(fā)表于 04-21 08:30 ?6906次閱讀

    HFSS v9邊界條件和激勵設(shè)置培訓(xùn)

    本帖最后由 ADS2014 于 2014-4-5 20:37 編輯 HFSS v9邊界條件和激勵設(shè)置培訓(xùn)
    發(fā)表于 04-05 14:43

    對流傳質(zhì)的Neuman-type邊界條件如何編寫?

    各位大神,對流傳質(zhì)的Neuman-type邊界條件如何編寫?我做出來干燥速率是負(fù)的是怎么回事?有限元劃分以后,單元節(jié)點沒有進(jìn)行循環(huán)求值,又是為何
    發(fā)表于 06-11 09:10

    Ansoft HFSS 邊界條件

    Ansoft HFSS 邊界條件
    發(fā)表于 06-13 13:21

    HFSS的三種吸收邊界條件

    概述:眾所周知,HFSS里面的吸收邊界條件有3個,分別是Radiation(ABC)、PML和FE-BI,那么這三個邊界的應(yīng)用有什么區(qū)別?應(yīng)該怎么應(yīng)用呢?今天小編在這里給大家好好分析一下。
    發(fā)表于 07-02 06:00

    LPS25HBT設(shè)計外殼的邊界條件是什么?

    嗨,對于一個項目,我設(shè)計了一個帶有 LPS25HBT 組件的 PCB。我們想知道是否有一些關(guān)于傳感器邊界條件的技術(shù)建議。我們是否必須設(shè)計傳感器和邊界之間有一定距離的蓋子?傳感器和蓋子之間有一些距離或相對距離?如果 PCB 嵌入樹脂中,傳感器和樹脂之間必須有一個最小距離。
    發(fā)表于 02-03 11:07

    不同電磁邊界設(shè)置的仿真研究

    首先介紹了電磁邊界設(shè)置在電磁場計算中的重要意義和常用的四類邊界條件的基本原理;其次對三維PML 吸收邊界條件進(jìn)行了深入探討;選取100MHz 的平面波為激勵源,分別采用四
    發(fā)表于 12-14 15:04 ?10次下載

    基于MARMOUSI的PML邊界條件的研究

    的PML(完全匹配層)吸收邊界形式不再適用的問題,文中將通過聲波方程完全匹配層吸收邊界的經(jīng)典方法,構(gòu)建并推導(dǎo)出PML吸收邊界條件在矩形旋轉(zhuǎn)交錯網(wǎng)格中的具體形式,通過Marmousi
    發(fā)表于 10-28 10:37 ?0次下載
    基于MARMOUSI的PML<b class='flag-5'>邊界條件</b>的研究

    壓力邊界條件對方形腔液力變矩器CFD計算的影響分析

    以L820運轉(zhuǎn)液力變矩器為研究對象,運用CFD方法對其進(jìn)行數(shù)值模擬,分別對設(shè)置與忽略進(jìn)出口壓力邊界條件時方形腔液力變矩器的變矩比、效率和泵輪轉(zhuǎn)矩系數(shù)等原始特性參數(shù)進(jìn)行計算。將仿真計算結(jié)果與試驗數(shù)據(jù)
    發(fā)表于 03-22 10:20 ?0次下載
    壓力<b class='flag-5'>邊界條件</b>對方形腔液力變矩器CFD計算的影響分析

    阻抗、過渡邊界條件和完美電導(dǎo)體邊界條件

    借助阻抗邊界條件 (IBC),我們可以假定電流完全在表面之上,因此不必再模擬模型金屬域內(nèi)任何部分的 Maxwell 方程組。所以,不必再對這些域的內(nèi)部進(jìn)行網(wǎng)格剖分,并能顯著減少計算工作量。此外
    的頭像 發(fā)表于 08-16 11:24 ?3w次閱讀

    什么是電磁場的邊界條件

    電磁場的邊界條件既可以理解為不同介質(zhì)交界面電磁場服從的條件,也可理解為不同介質(zhì)的交界面兩側(cè)電磁場滿足的方程或規(guī)律。
    的頭像 發(fā)表于 03-23 12:01 ?1.9w次閱讀

    傳導(dǎo)冷卻模塊仿真的邊界條件

      這是一個方便的要求,因為很容易將溫度邊界條件應(yīng)用于FEA [有限元分析]模型中的界面表面并確定卡的熱性能。如果熱量均勻分布在卡上并且機(jī)箱接近等溫,這也很有用。問題是,在某些條件下,這種方法會高估模塊的熱性能。
    的頭像 發(fā)表于 11-07 11:34 ?636次閱讀

    對Fluent邊界條件進(jìn)行簡易分類

    在Fluent分析中邊界條件的設(shè)定是非常重要的,可對Fluent中的邊界條件進(jìn)行簡易分類為進(jìn)出口邊界條件、壁面條件、內(nèi)部單元邊界、內(nèi)部表面
    的頭像 發(fā)表于 05-02 15:20 ?4639次閱讀
    對Fluent<b class='flag-5'>邊界條件</b>進(jìn)行簡易分類

    邊界條件(boundary conditions)到底是什么?

    做射頻電路的同學(xué),可能都接觸不到邊界條件這些東西。
    的頭像 發(fā)表于 06-07 18:16 ?2714次閱讀
    <b class='flag-5'>邊界條件</b>(boundary conditions)到底是什么?

    AN50019:MOSFET封裝的熱邊界條件研究

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN50019:MOSFET封裝的熱邊界條件研究.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 12-19 15:59 ?0次下載
    AN50019:MOSFET封裝的熱<b class='flag-5'>邊界條件</b>研究