以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng),高電子飽和速度,高頻和高功率等特性,在射頻和電力電子器件領(lǐng)域具有巨大的性能優(yōu)勢(shì)。
近日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)于廈門(mén)召開(kāi)。期間,“氮化鎵功率電子器件技術(shù)分論壇”上,日本國(guó)立材料研究所獨(dú)立研究員桑立雯帶來(lái)了“GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器”的主題報(bào)告,分享了最新研究成果。
跟傳統(tǒng)的Si基電子器件相比,利用AlGaN/GaN制備的高電子遷移率晶體管可以提供10倍高的功率密度,且多以結(jié)區(qū)熱點(diǎn)的形式出現(xiàn),使得器件的有效散熱成為制約其性能進(jìn)一步提升的主要瓶頸。金剛石具有超高的熱導(dǎo)率,是電子器件散熱的理想導(dǎo)熱材料。但是由于金剛石和GaN之間存在較大的晶格失配和熱失配,熱聲子散射導(dǎo)致界面熱阻增加。
研究涉及用于MEMS/NEMS的GaN或HEMT、用于高速通信的MEMS振蕩器、硅基MEMS上GaN的結(jié)構(gòu)與制備、結(jié)構(gòu)和應(yīng)變分析、硅釋放前后GaN中的應(yīng)變、諧振頻率和Q測(cè)量、共振模式、RT條件下的應(yīng)變稀釋能量耗散,彎曲模式:RT下的共振特性,模擬共振模式形狀,高溫下的應(yīng)變稀釋能量耗散,與其他諧振器的比較,頻率溫度系數(shù)(TCF),屈曲模式:頻率穩(wěn)定機(jī)制等。
研究制作了硅上GaN雙箝位MEMS諧振器。研究結(jié)果顯示,高Q和低TCF都可以達(dá)到600K;預(yù)應(yīng)力增加了儲(chǔ)存的能量,導(dǎo)致高Q;低TCF是高T時(shí)內(nèi)部熱應(yīng)力自補(bǔ)償?shù)慕Y(jié)果。通過(guò)應(yīng)變工程,硅上GaN有望用于高性能的微機(jī)電系統(tǒng)/NEMS器件。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:桑立雯研究員:GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器
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