隨著汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化、共享化技術(shù)的不斷變革,車輛承載的功能也愈加復(fù)雜,智能汽車也迎來了從分布式向域集中式的過渡階段,大量ECU整合,減少了整車相應(yīng)的線束和空間布置的難度,避免了因眾多分散的運算控制單元導(dǎo)致的算力浪費。在實現(xiàn)架構(gòu)優(yōu)化的同時,集成式控制器也帶來了更加嚴峻的輻射發(fā)射(RE)問題,并且產(chǎn)品的輻射發(fā)射問題已成為延滯產(chǎn)品開發(fā)周期的關(guān)鍵難題。
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輻射發(fā)射簡介
輻射發(fā)射(RE,Radiated Emission)指電子產(chǎn)品其內(nèi)部電路工作時向周圍空間發(fā)射的電磁波,電磁波通過空間作為傳播路徑而不是導(dǎo)線,目的是測試電子、電氣產(chǎn)品及其部件,包括來自外殼、電纜及連接線上的輻射發(fā)射強度,檢測其輻射發(fā)射是否符合標準要求,以便產(chǎn)品工作時不影響同一環(huán)境中的其他設(shè)備。
現(xiàn)階段產(chǎn)品集成度高且測試標準嚴苛,RE失效率顯著提高。測試階段產(chǎn)品的機械結(jié)構(gòu)、PCB布局與走線設(shè)計已定型,將導(dǎo)致整改措施受限且整改成本高。此外,常見多干擾源導(dǎo)致頻點超標問題極難定位源頭,測試排查周期長、成本高。使用預(yù)測測試結(jié)果的輻射發(fā)射仿真方法,采用軟件模擬產(chǎn)品的輻射發(fā)射強度或快速定位干擾源,可提前預(yù)測產(chǎn)品輻射發(fā)射特性,并提供RE失效的整改思路與方案,縮短產(chǎn)品開發(fā)周期,有效降低成本,提高產(chǎn)品RE測試通過率。
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輻射發(fā)射建模與仿真思路
輻射發(fā)射仿真可以在項目原理圖階段指導(dǎo)器件選型、layout階段指導(dǎo)走線與器件布局、機械上均衡發(fā)射發(fā)射與散熱設(shè)計,測試階段提供整改思路與解決方案。因此基于不同階段的RE仿真將有不同的仿真思路,簡要分為以下四類:
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模塊級別的PCB板級輻射
模塊級別的RE仿真通常考慮PCB關(guān)鍵模塊與PCB走線,將PCB導(dǎo)入仿真軟件,配置層疊結(jié)構(gòu)參數(shù)與器件模型,可分別進行近場與遠場的板級輻射分析,通過場圖分析可以定位PCB板輻射發(fā)射強弱點;
圖1 板級電磁輻射圖
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制器級別的RE仿真
控制器級別的RE仿真考慮外殼機械結(jié)構(gòu)與PCB板的控制器系統(tǒng),提取PCB走線參數(shù),建立模型、激勵配置進行仿真求解、近場分析輸出數(shù)據(jù),導(dǎo)入外殼模型,配置近場數(shù)據(jù)。輸出產(chǎn)品帶外殼的控制器級別的輻射發(fā)射仿真曲線和場圖,可以清晰的定位系統(tǒng)級產(chǎn)品輻射發(fā)射的強弱位置,為產(chǎn)品的系統(tǒng)級輻射發(fā)射整改與設(shè)計提出解決思路。
圖2 控制器級電磁輻射圖
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模塊級別的PCB板級輻射
在考慮控制器外殼的基礎(chǔ)上,同時考慮接插件互連與線束,進行線束介入的RE仿真,輸出對應(yīng)DUT或線束中心1米遠處的輻射發(fā)射結(jié)果。
圖3 RE仿真線束建模圖
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暗室測試環(huán)境與天線的系統(tǒng)級別的RE仿真
在考慮線束與控制器系統(tǒng)的基礎(chǔ)上,對比不同暗室環(huán)境的等效模型,考慮測試環(huán)境建模后的系統(tǒng)級輻射發(fā)射仿真,并得到輻射發(fā)射的系統(tǒng)級別仿真結(jié)果。
圖4 三種暗室等效方案RE仿真結(jié)果曲線對比
聯(lián)合電子的輻射發(fā)射仿真實例1:
隨著汽車電子控制器從分布式向集中式的變革,產(chǎn)品集合的干擾源也越來越多,眾多的干擾源也將導(dǎo)致倍頻點的重疊,僅通過測試手段難以定位,聯(lián)合電子采用輻射發(fā)射仿真將高效且低成本的定位某個頻點對應(yīng)干擾源所起的主次作用,并快速提供整改思路與解決方案。
多干擾源建模
圖5為8個干擾源組成的輻射發(fā)射仿真模型,通過提取走線S參數(shù),搭建仿真建模,分別配置8個干擾源的驅(qū)動激勵實現(xiàn)場路協(xié)同仿真。
SIwave提取走線S參數(shù)
SIwave Link Circuit建模
圖5 多干擾源建模與仿真
信號頻譜
圖6為8個干擾源配置等效模型與激勵后仿真求解所得的FFT變換的單干擾源的頻譜特性,由此定位關(guān)鍵頻點的多干擾源的貢獻作用;
圖6 多干擾源信號頻譜
RE仿真頻譜
圖7紅色曲線為8個干擾源共同作用下的產(chǎn)品對外RE的曲線結(jié)果,幅值高,但無法定位關(guān)鍵干擾源,結(jié)合圖6的各干擾源的獨立頻譜,藍色曲線是去掉干擾1和5的RE結(jié)果,對比紅藍曲線可知,在仿真頻段內(nèi)最低可降低30dB,由此定位干擾源1和5為主要干擾源。
圖7 關(guān)鍵信號的RE仿真頻譜
聯(lián)合電子的輻射發(fā)射仿真實例2:
汽車電子控制器產(chǎn)品有許多為金屬外殼,如:ECU(電子控制器)、高速VC(中央計算控制器)產(chǎn)品,金屬外殼控制器產(chǎn)品接地對產(chǎn)品的輻射發(fā)射有一定影響作用,由此,聯(lián)合電子考慮建立PCB與外殼的整體輻射發(fā)射模型,用于更貼合金屬外殼產(chǎn)品實際情況的輻射發(fā)射建模仿真。
輻射源建模仿真
本案例干擾源以DDR的時鐘信號為驅(qū)動激勵,圖8(a)為PCB的仿真模型,圖8(b)是DDR的SI建模與時域仿真,圖8(c)為CA和DQ信號的眼圖仿真結(jié)果數(shù)據(jù)。
(a)Siwave DDRwizard建模
(b)Circuit建模
(c)CA和DQ的眼圖
圖8 DDR建模與仿真
帶金屬外殼的輻射發(fā)射仿真
基于DDR模塊的信號完整性仿真結(jié)果,場路協(xié)同進行DDR的RE仿真,結(jié)合HFSS實現(xiàn)外殼介入,進行產(chǎn)品輻射強弱點定位,實現(xiàn)外殼介入后產(chǎn)品對外輻射發(fā)射強度的可視化比對。圖10為帶外殼的DDR輻射發(fā)射頻譜與場強分布圖。通過控制器級別的輻射發(fā)射仿真,將有效指導(dǎo)產(chǎn)品機械結(jié)構(gòu)設(shè)計實現(xiàn)產(chǎn)品EMC性能優(yōu)化,為產(chǎn)品正向設(shè)計提供數(shù)據(jù)指導(dǎo)與整改策略。
圖9 產(chǎn)品DDR的輻射發(fā)射仿真
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小結(jié)
聯(lián)合電子在產(chǎn)品設(shè)計階段,融入輻射發(fā)射仿真技術(shù),有效提高產(chǎn)品在原理圖、layout設(shè)計、機械等多方面的RE正向設(shè)計能力,降低產(chǎn)品的RE測試失效風(fēng)險,有利于在產(chǎn)品設(shè)計源頭解決輻射發(fā)射問題,減少因輻射發(fā)射問題導(dǎo)致的產(chǎn)品測試多輪迭代和成本周期。
在產(chǎn)品的測試階段,聯(lián)合電子采用輻射發(fā)射仿真方法將實現(xiàn)超標頻點對應(yīng)多干擾源時的主次快速定位,為產(chǎn)品通過輻射發(fā)射測試標準提供整改思路與解決方案,幫助客戶縮短產(chǎn)品開發(fā)周期、降低研發(fā)成本,實現(xiàn)產(chǎn)品的快速交付和迭代更新,提高研發(fā)效率,助力客戶敏捷響應(yīng)市場需求和變化。
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原文標題:“仿真”不阿-淺析EMC仿真之RE仿真
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