IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡(jiǎn)稱,中文稱作絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT (雙極型三極管) 和MOS (絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
由于IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU”,在國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),如軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣,需求量極大。
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
在討論IGBT模塊的組裝前,先了解一下內(nèi)部由什么元件組成。從以下IGBT模塊的分解圖中,可以看到內(nèi)部的元件種類甚多,包括:不同類型的芯片(如IGBT及二級(jí)管芯片)、端子、預(yù)制組件、銅基板、絕緣層、基板、散熱器等等。在組裝完這些元件后,再用塑料外殼封裝,制成最終的IGBT功率器件。
IGBT功率模塊的基板,通常采用直接敷銅基板 (DBC基板),因?yàn)樗鼈兙哂泻芎玫膶?dǎo)熱性。在生產(chǎn)過(guò)程中,需要組裝多種類型的芯片、預(yù)制組件等等。
工藝包括:
IGBT芯片連接、二極管芯片連接、SCR (硅整流器) /晶閘管芯片連接
預(yù)制組件連接
直接敷銅基板上組裝了多種類型的芯片
IGBT直接敷銅基板組裝的挑戰(zhàn)?
易破損的芯片及基底板處理
高混合元件
高產(chǎn)出要求
FuzionSC半導(dǎo)體貼片機(jī)的優(yōu)勢(shì):
同一設(shè)備可同時(shí)滿足高混合及高產(chǎn)出的要求
可以對(duì)接晶圓送料器、盤(pán)式及卷帶盤(pán)式送料器
高達(dá)10微米的精度
可編程控制貼裝壓力,從10g至5000g
能應(yīng)對(duì)的元件尺寸范圍極廣,從200微米x 200微米至150毫米x 150毫米均可
真空支撐基板承載器
視頻從兩個(gè)角度演示FuzionSC在直接敷銅基板上組裝預(yù)制組件、芯片及端子。
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:視頻 | FuzionSC半導(dǎo)體貼片機(jī)演示IGBT基板組裝過(guò)程
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