碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

光伏—“新基建”和“碳中和”的新寵兒

太陽(yáng)能作為一種可再生的清潔資源，具有兩大優(yōu)勢(shì)：

一是可以直接利用，特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域；二是它足夠多：據(jù)計(jì)算，海平面上，每平方米每天可產(chǎn)生1kW電力，如果考慮日/夜周期，入射角，季節(jié)性等因素，每天每平方米或可以產(chǎn)生6kWh電量。

盡管，我們每天都能見(jiàn)到的太陽(yáng)能是免費(fèi)的，但如何實(shí)現(xiàn)高效率的轉(zhuǎn)化？

轉(zhuǎn)化率20%-30%是理想狀態(tài)，實(shí)際上轉(zhuǎn)換效率可能會(huì)因各種原因而降低轉(zhuǎn)換效率：降雨，積雪和灰塵沉積，材料老化以及環(huán)境變化，例如由于植被的生長(zhǎng)或新建筑物的安裝而增加陰影。

提高效率的最大技術(shù)之一是逆變器的設(shè)計(jì)，逆變器將太陽(yáng)能電池的直流輸出轉(zhuǎn)換為交流電流，以便直接消耗或通過(guò)電網(wǎng)傳輸。逆變器通過(guò)切換直流輸入電流的極性來(lái)工作，使其接近交流輸出。

其工作原理是：開(kāi)關(guān)頻率越高，轉(zhuǎn)換效率越高。簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)即可產(chǎn)生方波輸出，可以驅(qū)動(dòng)負(fù)載，但是諧波會(huì)損失更多的電流。因此，逆變器需要平衡開(kāi)關(guān)頻率以提高效率、工作電壓和功率容量。

△ Single Boost拓?fù)?/p>

碳化硅（SiC）應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅用作光伏領(lǐng)域前景廣闊，目前，我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)已經(jīng)處于高速發(fā)展時(shí)期，它的快速發(fā)展也帶動(dòng)原材料與設(shè)備兩個(gè)千億級(jí)產(chǎn)業(yè)，鏈接多個(gè)核心市場(chǎng)。以光伏領(lǐng)域?yàn)槔珻ASA 數(shù)據(jù)評(píng)估：預(yù)計(jì)到2025年，碳化硅功率器件在光伏逆變器中的占比將高達(dá)50%。綜合統(tǒng)計(jì)新增和更換兩大市場(chǎng)，屆時(shí)我國(guó)光伏領(lǐng)域碳化硅的需求量將達(dá)到16萬(wàn)片。

△ 全球光伏預(yù)計(jì)新增裝機(jī)規(guī)模

近年來(lái)，太陽(yáng)能電池板的“大尺寸、高功率、大密度”發(fā)展趨勢(shì)非常明顯，傳統(tǒng)光伏逆變器硅基器件無(wú)法滿足效率和發(fā)熱方面的需求，因此各方面性能更優(yōu)越的碳化硅器件脫穎而出。

碳化硅（SiC）在太陽(yáng)能發(fā)電應(yīng)用中比硅具有多種優(yōu)勢(shì)，其擊穿電壓是傳統(tǒng)硅的十倍以上， 比硅更低的導(dǎo)通電阻，柵極電荷和反向恢復(fù)電荷特性，以及更高的熱導(dǎo)率。這些特性意味著SiC器件可以在比硅等效器件更高的電壓，頻率和電流下切換，同時(shí)更有效地管理散熱。

△ Si與SiC在600V/700V效率對(duì)比

硅MOSFET廣泛用于高達(dá)300V的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，高于該電壓時(shí)，器件的導(dǎo)通電阻上升，設(shè)計(jì)者不得不轉(zhuǎn)向較慢的雙極器件。SiC的高擊穿電壓意味著它可以用來(lái)制造比硅中可能的電壓高得多的MOSFET，同時(shí)保留了低壓硅器件的快速開(kāi)關(guān)速度優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)性能也相對(duì)獨(dú)立于溫度，從而在系統(tǒng)升溫時(shí)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的性能。

SiC的導(dǎo)熱系數(shù)也是硅的3倍，可以在更高的溫度下運(yùn)行。硅在175℃左右就無(wú)法正常運(yùn)行，甚至在200攝氏度時(shí)直接會(huì)變成導(dǎo)體。而SiC直到1000℃左右才發(fā)生這種情況。

可以通過(guò)兩種方式利用SiC的熱特性。首先，它可以用于制造功率轉(zhuǎn)換器，而該轉(zhuǎn)換器所需的冷卻系統(tǒng)要少于等效的硅系統(tǒng)。另外，SiC在較高溫度下的穩(wěn)定運(yùn)行可用于空間非常寶貴的情況下制造密集的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，例如車輛和蜂窩基站。

由于功率轉(zhuǎn)換效率與開(kāi)關(guān)頻率直接相關(guān)，因此，SiC既可以處理比硅更高的電壓，又可以確保高轉(zhuǎn)換效率所需的超高轉(zhuǎn)換頻率，實(shí)現(xiàn)了雙贏。

“十四五”戰(zhàn)略規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)提出，要加速推動(dòng)碳化硅等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。未來(lái)隨著光伏發(fā)電市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，光伏逆變器的應(yīng)用將大幅增長(zhǎng)。彈性市場(chǎng)需求疊加剛性政策目標(biāo)，“光伏熱”持續(xù)發(fā)力，而光伏逆變器作為光伏發(fā)電系統(tǒng)的“大腦”，碳化硅順應(yīng)時(shí)勢(shì)應(yīng)用到光伏逆變器中的優(yōu)勢(shì)顯而易見(jiàn)。

來(lái)源：半導(dǎo)體信息

審核編輯：湯梓紅