IBM、美光、應用材料、東京電子宣布合作建設 High-NA EUV 研發(fā)中心
12 月 12 日消息，今天早些時候，紐約州長凱西?霍楚爾（Kathy Hochul ）宣布與 IBM、美光、應用材料、東京電子（東京威力科創(chuàng)）等半導體巨頭達成合作，投資 100 億美元，在紐約州 Albany NanoTech Complex 建設下一代 High-NA EUV 半導體研發(fā)中心。
根據(jù)聲明，負責協(xié)調該設施建設的非營利性機構 NY Creates 將利用 10 億美元州政府資金向 ASML 采購 TWINSCAN EXE:5200 ***。
紐約州表示，一旦機器安裝完畢，該項目及其合作伙伴將開始研究下一代芯片制造。官方聲明指出，該項目將創(chuàng)造 700 個工作崗位，并帶來至少 90 億美元的私人投資。
此外，官方還強調，這將是北美第一個也是唯一一個擁有 High-NA EUV 光刻系統(tǒng)的公有研發(fā)中心，將為開發(fā)和生產 2nm 節(jié)點甚至更先進的芯片鋪平道路。
審核編輯 黃宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
IBM
+關注
關注
3文章
1730瀏覽量
74472 -
光刻
+關注
關注
8文章
311瀏覽量
30024 -
美光
+關注
關注
5文章
702瀏覽量
51326 -
EUV
+關注
關注
8文章
600瀏覽量
85846
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
日本與英特爾合建半導體研發(fā)中心，將配備EUV光刻機
本官方研究機構在日本設立先進半導體研發(fā)中心，以提振日本半導體設備制造與材料產業(yè)。 據(jù)介紹，這座新的研發(fā)中心將在未來3到5年落成，擬配備極紫外
芯片補貼申請遭拒，應用材料40億美元研發(fā)中心項目遇阻
據(jù)彭博社報道，半導體設備制造商應用材料公司 (Applied Materials Inc.)日前接到美國官員通知，該公司研發(fā)中心無法獲得《芯片與科學法》（Chips Act）補助，這意味著該公司在
ASML擬于2030年推出Hyper-NA EUV光刻機，將芯片密度限制再縮小
ASML再度宣布新光刻機計劃。據(jù)報道，ASML預計2030年推出的Hyper-NA極紫外光機（EUV），將縮小最高電晶體密度芯片的設計限制。 ASML前總裁Martinvan den
Hyper-NA光刻系統(tǒng)，價格會再次翻倍嗎？
下一代的Hyper-NA EUV光刻系統(tǒng)了。 ? 從High-NA到Hyper-NA ? 在描述光學儀器角分辨率的瑞利準則等式（CD = k1?? λ /
阿斯麥(ASML)與比利時微電子(IMEC)聯(lián)合打造的High-NA EUV光刻實驗室正式啟用
近日，全球領先的半導體制造設備供應商阿斯麥(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)共同宣布，位于荷蘭費爾德霍芬的High-NAEUV光刻實驗室正式啟用。這一里程碑式的事件標志著雙
今日看點丨ASML今年將向臺積電、三星和英特爾交付High-NA EUV；理想 L9 出事故司機質疑 LCC，產品經理回應
1. ASML 今年將向臺積電、三星和英特爾交付High-NA EUV ? 根據(jù)報道，芯片制造設備商ASML今年將向臺積電、英特爾、三星交付最新的高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(High-NA EUV
發(fā)表于 06-06 11:09
?754次閱讀
阿斯麥和IMEC聯(lián)合光刻實驗室啟用
近日，比利時微電子研究中心（IMEC）與全球光刻技術領軍企業(yè)阿斯麥（ASML）共同宣布，在荷蘭費爾德霍芬正式啟用聯(lián)合High-NA EUV光
ASML創(chuàng)下新的EUV芯片制造密度記錄，提出Hyper-NA的激進方案
ASML在imec的ITF World 2024大會上宣布，其首臺High-NA（高數(shù)值孔徑）設備已經打破了之前創(chuàng)下的記錄，再次刷新了芯片制造密度的標準。
Rapidus對首代工藝中0.33NA EUV解決方案表示滿意，未采用高NA EUV光刻機
在全球四大先進制程代工巨頭（包括臺積電、三星電子、英特爾以及Rapidus）中，只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機進行大規(guī)模生產。
臺積電A16制程采用EUV光刻機，2026年下半年量產
據(jù)臺灣業(yè)內人士透露，臺積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機，而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機進行生產。相較之下，英特爾和三星則計劃在此階段使用最新的High-NA
臺積電張曉強：ASML High-NA EUV成本效益是關鍵
據(jù)今年2月份報道，荷蘭半導體制造設備巨頭ASML公布了High-NA Twinscan EXE光刻機的售價，高達3.5億歐元（約合27.16億元人民幣）。而現(xiàn)有EUV光刻機的價格則為1.7億歐元（約合13.19億元人民幣）。
ASML發(fā)貨第二臺High NA EUV光刻機，已成功印刷10nm線寬圖案
ASML公司近日宣布發(fā)貨了第二臺High NA EUV光刻機，并且已成功印刷出10納米線寬圖案，這一重大突破標志著半導體制造領域的技術革新向前邁進了一大步。
英特爾突破技術壁壘：首臺商用High NA EUV光刻機成功組裝
英特爾的研發(fā)團隊正致力于對這臺先進的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻機進行細致的校準工作，以確保其能夠順利融入未來的生產線。
Intel和ASML宣布全球第一臺High-NA光刻機“首光”
荷蘭ASML是世界上最先進的光刻設備制造商，最近該公司啟動了第一臺high-NA(numerical aperture,數(shù)值孔徑)設備，以確保其正常工作。Intel也加入了這一行列，因為它是世界上第一家訂購該設備的代工廠。
應用材料宣布與谷歌合作，開發(fā)AR技術
此外，應用材料公司的保羅·邁斯納博士指出，本司將運用先進光學技術及卓越輕量化設計理念，助力新一代AR產品的誕生。他還強調，應用材料與谷歌的聯(lián)合，將為AR產品打開無限可能。
工商網監(jiān)
評論