臺(tái)積電1.4nm工藝研發(fā)全面啟動(dòng)，2nm預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)

12 月 14 日，據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電在近期的美國(guó)電氣及電子工程師協(xié)會(huì)（IEEE） IEDM 研討會(huì)上宣布其 1.4nm 級(jí)別的工藝研發(fā)已全面啟動(dòng)，并再次確認(rèn)了 2nm 級(jí)別的量產(chǎn)計(jì)劃將于 2025 年如期實(shí)施。

SemiAnalysis自媒體Dylan Patel曝光的幻燈片顯示，臺(tái)積電1.4nm制程的正式名稱為A14。截至目前，關(guān)于該節(jié)點(diǎn)的具體量產(chǎn)日期及參數(shù)暫未公開。但是，根據(jù)其與N2及N2P等節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)排期預(yù)測(cè)，我們預(yù)期A14節(jié)點(diǎn)將會(huì)在2027至2028年度面市。

至于技術(shù)層面，臺(tái)積電此次并未選擇垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效晶體管（CFET）技術(shù)，而是繼續(xù)對(duì)當(dāng)前的環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAAFET）做深入研究。因此，A14很有可能繼續(xù)使用像N2節(jié)點(diǎn)這樣的二代或三代GAAFET技術(shù)。

值得提到的是，N2及A14等先進(jìn)節(jié)點(diǎn)需要系統(tǒng)級(jí)的協(xié)同優(yōu)化，才能夠?qū)崿F(xiàn)新的性能、功耗及功能指標(biāo)。

目前還無(wú)法確定臺(tái)積電能否在2027至2028年內(nèi)采取單價(jià)更高的High-NA EUV光刻技術(shù)用于A14制程。雖然屆時(shí)英特爾及其他潛在的芯片制造商均可能使用并完善數(shù)值孔徑為0.55的EUV光刻設(shè)備，這無(wú)疑會(huì)使臺(tái)積電的使用更加便捷。然而，由于此類高數(shù)值孔徑的EUV技術(shù)會(huì)導(dǎo)致掩模尺寸縮減，使得設(shè)計(jì)和制造過(guò)程面臨新的挑戰(zhàn)。

需強(qiáng)調(diào)的是，盡管從現(xiàn)在展望未來(lái)幾年，未來(lái)充滿變數(shù)，無(wú)法做出過(guò)于武斷的猜測(cè)。但毫無(wú)疑問(wèn)的是，臺(tái)積電的科研團(tuán)隊(duì)正全力以赴地投入到新世代生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的研發(fā)中去。