是什么導致RAM中的內(nèi)存數(shù)據(jù)損壞?糾錯碼(ECC)如何修復位翻轉(zhuǎn)?
RAM中的內(nèi)存數(shù)據(jù)損壞可能由多種原因?qū)е?。其中一些原因包括電磁干擾、電壓波動、溫度變化等外部因素,還有由內(nèi)部設(shè)計和制造缺陷引起的故障等。當這些情況發(fā)生時,RAM中存儲的數(shù)據(jù)可能會發(fā)生位翻轉(zhuǎn)或完全丟失。
在了解糾錯碼(ECC)如何修復位翻轉(zhuǎn)之前,我們首先需要了解ECC的工作原理以及它在RAM中的應用。
ECC是“Error Correcting Code”的縮寫,它是一種能夠檢測和糾正數(shù)據(jù)錯誤的技術(shù)。ECC通過在RAM存儲的數(shù)據(jù)中添加附加的校驗位來實現(xiàn)錯誤檢測和修復。這些校驗位是通過對數(shù)據(jù)應用數(shù)學算法計算得到的,然后存儲在RAM芯片中。當讀取數(shù)據(jù)時,RAM芯片會使用相同的算法重新計算校驗位,并將其與存儲的校驗位進行比較以檢測錯誤。
如果在讀取數(shù)據(jù)時檢測到錯誤,ECC會嘗試糾正錯誤。一種常用的糾錯算法是海明碼(Hamming Code),它通過在數(shù)據(jù)中添加冗余位來實現(xiàn)糾錯能力。冗余位的數(shù)量取決于數(shù)據(jù)的長度和所需的糾錯級別。當RAM讀取錯誤的數(shù)據(jù)時,ECC會使用冗余位的信息來確定錯誤位置,并進行修復。
當位翻轉(zhuǎn)發(fā)生時,ECC會檢測到錯誤,并根據(jù)冗余位的信息來確定錯誤的位。然后,ECC使用糾錯算法來修復這個位的值。修復的方法可以是通過簡單地翻轉(zhuǎn)位的值,或者通過基于其他冗余位的值重新計算該位的值。
需要注意的是,ECC只能修復少量的位錯誤。如果錯誤的位數(shù)超過了ECC的糾錯能力,那么數(shù)據(jù)可能無法完全修復,而需要從其他備份或冗余存儲中恢復丟失的數(shù)據(jù)。
糾錯碼(ECC)在RAM中的使用可以極大地提高數(shù)據(jù)的可靠性和穩(wěn)定性。然而,ECC也會引入一些額外的開銷,包括存儲和計算成本。因此,ECC一般在對數(shù)據(jù)完整性要求較高的系統(tǒng)中使用,例如服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等。
總結(jié)起來,RAM中的內(nèi)存數(shù)據(jù)損壞可以由多種原因?qū)е?,包括外部干擾和內(nèi)部故障。糾錯碼(ECC)能夠通過添加校驗位來檢測和修復數(shù)據(jù)錯誤。當RAM中的位翻轉(zhuǎn)發(fā)生時,ECC會檢測到錯誤并嘗試修復位的值。然而,ECC的糾錯能力有限,無法修復大量的位錯誤。因此,在設(shè)計系統(tǒng)時需要權(quán)衡數(shù)據(jù)完整性和成本之間的關(guān)系,選擇適當?shù)募m錯碼方案。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
微乎其微,而且 ECC 檢查非常簡單,只需檢查幾個寄存器標志(ERROR 和 CORRECTED 標志)。
我是不是漏掉了什么?是什么原因導致錯誤報告 ERROR_STATUS?特別是這塊集成電路出現(xiàn)閃光燈
發(fā)表于 05-30 08:15
數(shù)字電路中寄存器和 RAM 在上電之后默認的狀態(tài)和數(shù)據(jù)是不確定的,如果有復位,我們可以把寄存器復位到初始狀態(tài),
發(fā)表于 03-13 12:16
?1233次閱讀
_REV"空間的變量不會導致卡死。
在官方例程中有注釋:
只有CtrlFlowCntInv需要使用到RAM_TEST_CALLEE(0xFFFFFFFF),因為在RAM檢測中
發(fā)表于 03-12 07:54
在使用MCU時,通常大家默認MCU復位時RAM會被復位清零,那實際MCU復位時RAM是什么狀態(tài)?如何讓mcu
發(fā)表于 03-01 09:32
?2281次閱讀
上期為大家講解了GD32 MCU復位包括電源復位和系統(tǒng)復位,其中系統(tǒng)復位還包括獨立看門狗復位、內(nèi)核軟復位
發(fā)表于 02-03 09:46
?1623次閱讀
在用戶手冊中,Pflash 和 Dflash 都有閃存 ECC 保護,我想知道 ECC 內(nèi)存在哪里? 它會占用 pflash 空間還是存儲在用戶無法訪問的地方?
在此先謝謝!
發(fā)表于 01-26 08:12
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布,擴展其集成嵌入式糾錯碼(ECC)的抗輻射異步靜態(tài)隨機存取存儲器(RAM)產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計初衷是為了滿足航空和其他
發(fā)表于 01-24 17:11
?722次閱讀
我正在查看 Aurix pFlash 內(nèi)存部分是如何在微控制器級別上創(chuàng)建 ECC 寫入錯誤的,以及他們是如何通過故障注入技術(shù)使用它產(chǎn)生多位錯誤的
通常 ecc 錯誤是使用高電壓和其他方法產(chǎn)生的,但
發(fā)表于 01-22 07:37
當電源斷開時,隨機存取存儲器(RAM)中的數(shù)據(jù)通常會丟失。這是因為RAM是一種易失性存儲器,它必須以恒定的電源供應來維持存儲的數(shù)據(jù)。在斷電時
發(fā)表于 01-16 16:30
?8206次閱讀
大多數(shù)無線服務(wù)都在使用復雜的載波調(diào)制方案。調(diào)制技術(shù)和元器件的持續(xù)改進以及糾錯碼的進步,促使信道容量更加接近香農(nóng)定理設(shè)定的基礎(chǔ)極限。那么,常用的調(diào)制方式有哪些?
發(fā)表于 12-27 10:16
?9462次閱讀
情況,北亞企安數(shù)據(jù)恢復工程師初步判斷服務(wù)器故障原因是意外斷電導致的raid模塊損壞,經(jīng)過詳細檢測發(fā)現(xiàn)是異常斷電導致的raid信息丟失。raid信息丟失實際上是raid模塊
發(fā)表于 12-25 14:29
?484次閱讀
老化、設(shè)備的設(shè)計或制造缺陷、使用過程中的故障等因素引起的。 2. 熱損壞:高溫是絕緣損壞的常見原因之一。長時間暴露在高溫環(huán)境下,絕緣材料會發(fā)生分解、變硬、變脆等損壞。此外,溫度的變化也
發(fā)表于 12-19 15:05
?4285次閱讀
燃油泵及其電路的損壞可能導致多種汽車問題,因為燃油泵是引擎燃油系統(tǒng)中至關(guān)重要的組件之一。以下是可能由燃油泵及其電路損壞引起的故障。
發(fā)表于 12-12 11:10
?915次閱讀
AD5790復位狀態(tài)下管腳電平分別如下:
管腳1:0mv
管腳2:5.02v
管腳4:3.3V
管腳16: 0mv
管腳20: 0mv
管腳24:0mv
前者DA輸出浮動,后者穩(wěn)定。
前一個AD5790是否損壞,如果未損
發(fā)表于 12-12 07:06
與上一代LPDDR4X相比,長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達到12Gb和6400Mbps,同時功耗降低30%。長鑫存儲LPDDR5芯片加入了RAS功能,通過內(nèi)置糾錯碼(On-die ECC)等技術(shù),實現(xiàn)實時糾
發(fā)表于 11-30 17:39
?1480次閱讀
評論