英特爾有望于2024年領(lǐng)先芯片制造競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手

近五年來，英特爾在高級(jí)芯片制造領(lǐng)域落后于臺(tái)積電和三星。如今，為重新贏得領(lǐng)先地位，英特爾正大膽而冒險(xiǎn)地引入兩項(xiàng)全新技術(shù)，即新型晶體管技術(shù)和首創(chuàng)的電源交付系統(tǒng)，這兩項(xiàng)技術(shù)將被應(yīng)用在計(jì)劃于2024年底發(fā)布的桌面和筆記本電腦的Arrow Lake處理器中。

"在過去的二十年中，英特爾在晶體管架構(gòu)改革方面一直處于領(lǐng)先地位。"英特爾技術(shù)發(fā)展副總裁兼先進(jìn)晶體管發(fā)展主任Chris Auth說。然而，英特爾的芯片生產(chǎn)歷程并非一直順利：2018年，英特爾未能按時(shí)交付其首款10納米CPU，芯片的生產(chǎn)被推遲了一年，導(dǎo)致其14納米技術(shù)CPU短缺。2020年，7納米工藝節(jié)點(diǎn)（被英特爾重新命名為英特爾4）再次延誤。公司自此一直在努力趕上進(jìn)度。

英特爾的RibbonFET納米片晶體管將取代當(dāng)前的FinFET技術(shù)。FinFET晶體管通過將晶體管的門圍繞在其通道區(qū)域的三個(gè)側(cè)面而不僅僅是一個(gè)側(cè)面，為CPU提供了低功耗和更大的邏輯電路密度。然而，隨著FinFETs的規(guī)?？s小，這些設(shè)備已經(jīng)接近了他們能夠控制電流的門的極限。納米片晶體管，如三星的多橋通道FET，由于其門完全包圍通道區(qū)域，因此提供了更好的控制。英特爾預(yù)計(jì)，當(dāng)RibbonFET在即將到來的英特爾20A處理節(jié)點(diǎn)（即公司最新的半導(dǎo)體制程技術(shù)）中引入時(shí)，能夠提高高達(dá)15％的能源效率。

為抑制電源干擾并提升處理器性能，英特爾還推出了一種被稱為PowerVia的全新電源輸送系統(tǒng)。英特爾電源交付系統(tǒng)是面向未來的創(chuàng)新，這是制造商首次利用芯片背面電源傳輸，將電源與處理器徹底獨(dú)立隔離，為電源線和信號(hào)線采用了有別于以往的優(yōu)化方式。

另一方面，英特爾決定同時(shí)引導(dǎo)這兩項(xiàng)技術(shù)，這一決定甚至在5年前，即英特爾在競(jìng)爭(zhēng)中失掉領(lǐng)先地位的時(shí)候就已經(jīng)確定。這兩種技術(shù)視作是英特爾2025年力爭(zhēng)在處理技術(shù)領(lǐng)域重新奪回領(lǐng)先地位的關(guān)鍵。然而，雙線并行的技術(shù)實(shí)現(xiàn)方式存在風(fēng)險(xiǎn)，"這是一種嘗試在同一時(shí)間實(shí)現(xiàn)兩項(xiàng)重大技術(shù)變革的冒險(xiǎn)行動(dòng)," TechInsights的副主席Dan Hutcheson評(píng)論說。