來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技編譯
3D IC(三維集成電路)代表著異質(zhì)先進(jìn)封裝技術(shù)向三維空間的擴(kuò)展,在設(shè)計(jì)和可制造性方面面臨著與二維先進(jìn)封裝類似的挑戰(zhàn)以及更多的復(fù)雜性。雖然3D IC尚未普及,但芯片組標(biāo)準(zhǔn)化計(jì)劃的出現(xiàn)和支持工具的開(kāi)發(fā)正在使3D IC變得更加可行,并為更廣泛的參與者帶來(lái)更多利潤(rùn),其中包括生產(chǎn)規(guī)模較小的大型和小型公司。
三維集成電路的實(shí)施允許公司將設(shè)計(jì)劃分為功能子組件,并在最合適的工藝節(jié)點(diǎn)上集成由此產(chǎn)生的 IP。這有利于低延遲、高帶寬的數(shù)據(jù)傳輸,降低制造成本,提高晶圓產(chǎn)量,降低功耗,并減少總體開(kāi)支。這些吸引人的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)了先進(jìn)異構(gòu)封裝和 3D IC技術(shù)的顯著增長(zhǎng)和進(jìn)步。
在傳統(tǒng)的集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域,依賴簽核策略是司空見(jiàn)慣的。晶圓代工廠通常在特定于工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則套件中提供設(shè)計(jì)規(guī)則、LVS 和可靠性平臺(tái)。然而,這種傳統(tǒng)方法不適用于 3D IC 先進(jìn)的異構(gòu)封裝。與傳統(tǒng)IC不同,3D IC由多層組成,混合了多種工藝,挑戰(zhàn)了單層上所有內(nèi)容都是共面的假設(shè)。3D IC 中組件的垂直堆疊帶來(lái)了復(fù)雜性,使半導(dǎo)體和 IC 封裝設(shè)計(jì)工程師難以評(píng)估具有不同工藝技術(shù)的組件之間的相互作用,并確定哪些相互作用應(yīng)優(yōu)先考慮。
為了確??芍圃煨院涂煽啃裕覀儾荒芤蕾嚧S或外包半導(dǎo)體封裝和測(cè)試 (OSAT) 供應(yīng)商提供的通用設(shè)計(jì)套件。相反,我們需要從三維集成電路設(shè)計(jì)師的頭腦中獲取信息。我們需要規(guī)劃工具來(lái)協(xié)助封裝架構(gòu)師做出平面規(guī)劃決策,并將這些信息提供給半導(dǎo)體和集成電路封裝設(shè)計(jì)工程師。這些信息應(yīng)包括元件如何垂直堆疊,而不僅僅是元件的一維布局。我們還必須將特定元件的檢查與單個(gè)層的定義分開(kāi),因?yàn)椴煌墓に噷?duì)類似的結(jié)構(gòu)可能會(huì)有不同的層號(hào)。使用三維集成電路原型設(shè)計(jì)和規(guī)劃工具可以盡早提取這些信息。
規(guī)劃和平面布局工具在確保裝配架構(gòu)的正確對(duì)齊和可制造性方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,在片上系統(tǒng)(SoC)領(lǐng)域,這項(xiàng)任務(wù)傳統(tǒng)上由設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)來(lái)完成。然而,僅僅依靠 DRC 并不能保證預(yù)期的功能。幸運(yùn)的是,布局與原理圖(LVS)分析具有雙重作用,不僅能確認(rèn)可制造性,還能驗(yàn)證布局是否準(zhǔn)確地表達(dá)了預(yù)期的電氣結(jié)構(gòu)和行為。與在執(zhí)行前進(jìn)行網(wǎng)表編制和仿真的傳統(tǒng)方法不同,LVS 對(duì)所有芯片、層和器件進(jìn)行詳細(xì)分析,以驗(yàn)證它們與預(yù)期設(shè)計(jì)的一致性。這一過(guò)程需要一個(gè)源網(wǎng)表,通常稱為 "黃金網(wǎng)表",以便進(jìn)行精確比較。
然而,3D IC給LVS分析帶來(lái)了挑戰(zhàn),主要是因?yàn)橹薪閷印ǔJ荓VS無(wú)法處理的無(wú)源元件。與有源元件不同,無(wú)源元件缺乏電氣特性,對(duì)電路功能沒(méi)有貢獻(xiàn),這使得傳統(tǒng)的 LVS 方法復(fù)雜化,該方法依賴于引腳的電氣連接知識(shí)。此外,有意將電容器、電阻器和光子元件等無(wú)源器件集成到 3D IC 中增加了另一層復(fù)雜性,需要了解各種導(dǎo)線位置和材料信息。
引入 3D IC 集成所必需的新組件會(huì)給系統(tǒng)帶來(lái)額外的寄生效應(yīng)。這些寄生效應(yīng)會(huì)影響各種行為方面,例如延遲、噪聲、信號(hào)完整性和功耗,從而影響滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求的能力。為了全面了解其影響,必須對(duì)與這些組件相關(guān)的寄生效應(yīng)進(jìn)行準(zhǔn)確有效的建模。此外,垂直堆疊的 3D IC 組件(包括芯片和中介層)的更高密度和更近的距離進(jìn)一步影響了它們的寄生效應(yīng)。
提取方法和工具的選擇取決于在性能和準(zhǔn)確性之間找到適當(dāng)?shù)钠胶?。要?shí)現(xiàn)更高的精度,需要采用更復(fù)雜的模型和先進(jìn)的工具?;谝?guī)則的工具在提供高性能方面表現(xiàn)出色,而基于字段求解器的工具則優(yōu)先考慮準(zhǔn)確性。在處理硅通孔 (TSV) 寄生效應(yīng)時(shí),可以使用代工廠的測(cè)量和內(nèi)部全波求解器開(kāi)發(fā)精確的 TSV 模型。通過(guò)基于規(guī)則的工具,可以在互連寄生參數(shù)提取過(guò)程中實(shí)現(xiàn)這些模型的有效集成。然而,這些工具在TSV耦合方面遇到了挑戰(zhàn)。雖然參數(shù)表可用于耦合電阻和電容,但它們有局限性。全波求解器具有出色的精度,但對(duì)于在實(shí)際設(shè)計(jì)中處理大量 TSV 來(lái)說(shuō)太慢。因此,理想的解決方案是專門的場(chǎng)求解器,它既準(zhǔn)確又快速,足以進(jìn)行整個(gè) TSV 集提取。
三維集成電路的實(shí)現(xiàn)有兩種方法:硅連接或有機(jī)連接,每種方法都有自己的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)。硅三維集成電路結(jié)構(gòu)是通過(guò)放置和布線工具創(chuàng)建的,適用于高密度設(shè)計(jì),但僅限于處理正交形狀。相反,有機(jī)三維集成電路結(jié)構(gòu)使用的工具類似于傳統(tǒng)的面向印刷電路板的工具。
所選技術(shù)對(duì)信號(hào)完整性分析所采用的方法和工具有很大影響。在硅設(shè)計(jì)中,來(lái)自布局布線工具的數(shù)據(jù)流通常采用 GDS 格式,缺乏傳統(tǒng)信號(hào)完整性和電磁(EM)工具所需的細(xì)節(jié)。這一缺陷導(dǎo)致需要額外的手動(dòng)提取步驟,從而延長(zhǎng)了分析流程并限制了迭代次數(shù)。雖然數(shù)據(jù)表示給硅設(shè)計(jì)中的電磁提取帶來(lái)了挑戰(zhàn),但用于寄生提取的專用工具可以幫助緩解這些問(wèn)題。
相反,有機(jī)工具更符合面向印刷電路板的方法,在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)中包含更多智能數(shù)據(jù),包括網(wǎng)絡(luò)名稱和各種結(jié)構(gòu)類型。這一特性縮短了寄生蟲提取的設(shè)置時(shí)間,使提取過(guò)程不易出錯(cuò)。它將提取和分析進(jìn)一步推向設(shè)計(jì)流程的上游,便于根據(jù)寄生影響及早識(shí)別芯片封裝平面圖中的必要變更。通過(guò)在正確的階段利用適當(dāng)?shù)姆治龉δ?,設(shè)計(jì)人員可以在流程的早期階段對(duì)精度和性能進(jìn)行權(quán)衡,從而增強(qiáng)對(duì)整個(gè)設(shè)計(jì)的信心。這種積極主動(dòng)的方法使設(shè)計(jì)人員能夠提前利用三維集成電路設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)。
審核編輯 黃宇
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