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新型微電子封裝技術(shù)問(wèn)題及改進(jìn)方案標(biāo)準(zhǔn)化研究

半導(dǎo)體封裝工程師之家 ? 來(lái)源:半導(dǎo)體封裝工程師之家 ? 作者:半導(dǎo)體封裝工程師 ? 2023-12-21 08:45 ? 次閱讀

歡迎了解

李彥林丑晨甘雨田

(甘肅林業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院)

摘要:

電子封裝是將裸IC硅片用塑料包起來(lái)保護(hù)好并制作好外部引腳。外引線(xiàn)越來(lái)越多是微電子封裝的一大特點(diǎn),當(dāng)然也是難點(diǎn),引腳間距越小,再流焊時(shí)焊料難以穩(wěn)定供給,故障率很高。多引腳封裝是今后的主流,所以在微電子封裝的技術(shù)要求上應(yīng)盡量適應(yīng)多引腳。但芯片的封裝都是有一定規(guī)范的,假如每家封裝廠(chǎng)都執(zhí)行各自的標(biāo)準(zhǔn)顯然芯片的通用性會(huì)大打折扣,也不可能造就半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮。鑒于此,本文對(duì)不同電子封裝技術(shù)問(wèn)題展開(kāi)討論,分析電子封裝技術(shù)存在的問(wèn)題,設(shè)計(jì)具體改進(jìn)方案,提高產(chǎn)品的可靠性,降低制造成本和安全風(fēng)險(xiǎn)。以期為微電子封裝技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)提供借鑒和指導(dǎo)。

引 言

微電子封裝是將一個(gè)或多個(gè)集成電路和倒裝芯片鍵合連接,使之成為有實(shí)用功能的電子元器件或組件。本文探究對(duì)微電子封裝技術(shù)的安全可靠性,通過(guò)技術(shù)攻關(guān),攻克高密度窄間距小焊盤(pán)銅線(xiàn)鍵合工藝關(guān)鍵技術(shù)難題,提升銅線(xiàn)替代金線(xiàn)在小焊盤(pán)、窄間距 IC 芯片封裝領(lǐng)域的工藝水平,促進(jìn)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品的自主開(kāi)發(fā)能力,縮小與國(guó)外封裝技術(shù)的差距,提升產(chǎn)品質(zhì)量和標(biāo)準(zhǔn)化水平。

1微電子封裝技術(shù)和現(xiàn)狀

電子封裝技術(shù)涉及眾多學(xué)科,涉及材料學(xué)、電磁學(xué)、熱管理、微納制造、電子器件等專(zhuān)業(yè)。隨著微電子封裝科學(xué)工作者對(duì)三維集成電路的研發(fā)逐步深入,電子封裝正在從傳統(tǒng)制造模式,向系統(tǒng)封裝 (SOP - System On Package /SiP - System in Package)、三維封裝 (3D Packaging) 模式轉(zhuǎn)變,系統(tǒng)封裝先進(jìn)封裝技術(shù)已經(jīng)開(kāi)始走向市場(chǎng)。而電子技術(shù)發(fā)展迅速,更新?lián)Q代極快,三維封裝 (3D Packaging) 目前尚無(wú)具體的國(guó)家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),電子封裝技術(shù)多采用國(guó)外研究的機(jī)構(gòu)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。封裝的形式多種多樣,以最普通的雙列直插(DIP,dual in-line package)舉例,DIP8 表示有8 個(gè)引腳,引腳的長(zhǎng)度、間距、寬度等等都有嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)去執(zhí)行,封裝廠(chǎng)只會(huì)按照這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)來(lái)執(zhí)行,假如現(xiàn)在裸片只有 7 個(gè) PAD 怎么辦?當(dāng)然還是要用 DIP8,只是一個(gè)引腳懸空,當(dāng)然不可能隨意的設(shè)計(jì)引腳個(gè)數(shù),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)各個(gè)方面都有標(biāo)準(zhǔn),“無(wú)規(guī)矩不成方圓”,微電子封裝技術(shù)從“原始生長(zhǎng)”到“成熟發(fā)展”需要進(jìn)行有機(jī)的規(guī)范。通過(guò)完善微電子封裝技術(shù)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),消除不同品牌的微電子封裝技術(shù)硬件設(shè)備所采集的數(shù)據(jù)格式和數(shù)據(jù)質(zhì)量存在差異,推動(dòng)信息的流動(dòng)和共享,消除數(shù)據(jù)孤島成為新型微電子封裝技術(shù)發(fā)展創(chuàng)新的迫切需求。

1.1 新型微電子封裝技術(shù)

根據(jù)中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫標(biāo)準(zhǔn)的要求 , 《微電子技術(shù)用貴金屬漿料規(guī)范 (GB/T 17472-2008)》原標(biāo)準(zhǔn)適用范圍,由厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料擴(kuò)大至燒結(jié)型及固化型微電子技術(shù)用貴金屬漿料;更注重漿料可焊性、耐焊性。 一般說(shuō)來(lái),微電子封裝分為三級(jí),包含組裝和封裝的多項(xiàng)內(nèi)容。微電子封裝所包含的范圍應(yīng)包括單芯片封裝 (SCP) 設(shè)計(jì)和制造、多芯片封裝 (MCM) 設(shè)計(jì)和制造、芯片后封裝工藝、各種封裝基板設(shè)計(jì)和制造、芯片互連與組裝、封裝總體電性能、機(jī)械性能、熱性能和可靠性設(shè)計(jì)、封裝材料、封裝工模夾具以及綠色封裝等多項(xiàng)內(nèi)容。

1.2 新型微電子封裝技術(shù)主要包括以下幾種

發(fā)展微電子封裝技術(shù),旨在使系統(tǒng)向小型化、高性能、高可靠性和低成本目標(biāo)努力,從技術(shù)發(fā)展觀點(diǎn)來(lái)看,作為微電子封裝的關(guān)鍵技術(shù)主要有:(1)3D 封裝,在 2D封裝的基礎(chǔ)上,把多個(gè)裸芯片、封裝芯片、多芯片組件甚至圓片進(jìn)行疊層互連,構(gòu)成立體封裝,這種結(jié)構(gòu)稱(chēng)作疊層型 3D 封裝(2) 焊球陣列封裝(BGA):陣列封裝(BGA)以圓形或柱狀焊點(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面,從而提高了組裝成品率。組裝可用共面焊接,可靠性高;(3) 芯片尺寸封裝(CSP)是芯片級(jí)封裝的意思。CSP 封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過(guò) 1:1.14,已經(jīng)相當(dāng)接近 1:1的理想情況。與 BGA 封裝相比,同等空間下 CSP 封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍;(4) 系統(tǒng)封裝(SIP)即通過(guò)封裝來(lái)實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。

2微電子三維 (3D) 封裝技術(shù)問(wèn)題分析

2.1 應(yīng)用范圍不夠廣泛

從微電子封裝技術(shù)的材料可以看出,IC 芯片將向小型化、高性能并滿(mǎn)足環(huán)保要求的方向發(fā)展。微電子封裝技術(shù)應(yīng)用范圍不夠廣泛 , 在過(guò)去幾年中已通用的高于 208 個(gè)管腳、256 個(gè)管腳、304 個(gè)管腳,間距 0.5mm 款式、包括間距 0.4mm 款式 QFPs,其 QFPs 材料多為塑料和陶瓷殼體,通常各類(lèi)塑料型器件適合于較高的引線(xiàn)數(shù)。

2.2 傳統(tǒng)銅線(xiàn)鍵合工藝問(wèn)題

由于傳統(tǒng)銅線(xiàn)鍵合工藝的極限能力為芯片焊盤(pán)尺寸≥ 50μm×50μm、焊盤(pán)間距≥ 60μm,對(duì)此尺寸以下的芯片只能采用金線(xiàn)工藝,而在研究過(guò)程中,要實(shí)現(xiàn)此金線(xiàn)工藝被合理替代,必須解決小焊點(diǎn)、窄間距銅線(xiàn)鍵合所面臨的以下問(wèn)題:

第一:銅線(xiàn)鍵合空氣球防氧化技術(shù);

第二:防止銅線(xiàn)鍵合焊盤(pán)損傷和對(duì)“鋁飛濺”控制鍵合技術(shù);

第三:第二焊點(diǎn)鍵合強(qiáng)度的研究;

第四:銅線(xiàn)鍵合防裂紋和彈坑技術(shù)。

隨著 QFP 封裝引線(xiàn)數(shù)的增加,其殼體尺寸急劇地增加,可以替代封裝尺寸增加的是更進(jìn)一步縮減引線(xiàn)間距。因此,要對(duì)高密度窄間距封裝技術(shù)進(jìn)行研發(fā)與技術(shù)改進(jìn)。

3具體改進(jìn)方案

為了解決微電子三維 (3D) 封裝技術(shù)方面的問(wèn)題,我們制定了以下方案:芯片焊盤(pán)尺寸為 38μm×38μm,焊點(diǎn)間距為 43μm 的芯片;焊線(xiàn)材料:普通銅線(xiàn),直徑為0.7mil。開(kāi)展不同保護(hù)氣體中空氣球尺寸的穩(wěn)定性研究。

3.1 技術(shù)路線(xiàn)方案論證

3.1.1 技術(shù)路線(xiàn)

前期調(diào)研、規(guī)劃→確定工藝流程→關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)→工程批試驗(yàn)→可靠性考核→風(fēng)險(xiǎn)批試生產(chǎn)→小批量生產(chǎn)→轉(zhuǎn)入量產(chǎn)。

3.1.2 技術(shù)方案

為了解決以上問(wèn)題,我們制定了以下二種方案:

A. 方案一

(1)銅線(xiàn)鍵合空氣球防氧化研究

在氫氮混合保護(hù)氣體(流量:0.4 ~0.7L/min)下,隨機(jī)抽取 1000 個(gè)空氣球?qū)Ρ冉Y(jié)果如下:在 N2+H2 保護(hù)氣體條件下,0.7mil 普通銅線(xiàn)燒球有 20.03% 的空氣球表面有氧化和桃形球,非對(duì)稱(chēng)球、凹凸球、孔洞球等球形不良比例達(dá)到 40% 左右。

(2)第一焊點(diǎn)研究實(shí)驗(yàn)

第 一 焊 點(diǎn) 研 究 實(shí) 驗(yàn) 結(jié) 果 為 : 在 焊 盤(pán) 尺 寸 為38μm×38μm、焊點(diǎn)間距為 43μm 的芯片上進(jìn)行銅線(xiàn)鍵合試驗(yàn),球形不良(高爾夫球)占 57%,鍵合強(qiáng)度(不粘和失鋁)不滿(mǎn)足質(zhì)量要求占 6.77%;圖 1 隨機(jī)抽取 1000個(gè)空氣球質(zhì)量分析 . 球形不良(0.1%)合格(99.9%)。

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B. 方案二

芯片焊盤(pán)尺寸為 38μm×38μm,焊點(diǎn)間距為 43μm的芯片;

焊線(xiàn)材料:鍍鈀銅線(xiàn)(Pd coat Cu Wire),線(xiàn)徑為0.7mil

(1)銅線(xiàn)鍵合空氣球防氧化研究

通過(guò)對(duì)不同保護(hù)氣體中空氣球尺寸的穩(wěn)定性、不同保護(hù)裝置(Kit)中空氣球形狀的穩(wěn)定性、保護(hù)氣體流量(Froming Gas)對(duì)空氣球影響的研究,達(dá)到了銅線(xiàn)鍵合工藝標(biāo)準(zhǔn)。

(2)第一焊點(diǎn)研究實(shí)驗(yàn)

選擇配套設(shè)備和匹配的劈刀型號(hào),對(duì)鍵合工藝參數(shù)進(jìn)行研究,通過(guò)對(duì)功率、沖擊力、X/Y 方向摩擦力、旋轉(zhuǎn)摩擦力等參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化試驗(yàn),最終確定了一組較為理想的工藝參數(shù)。另外,聯(lián)合芯片商對(duì)芯片鋁墊進(jìn)行了改善,并建立了銅線(xiàn)制程能力評(píng)估規(guī)范,使焊盤(pán)“鋁飛濺”、失鋁(Peeling)得到有效的控制,最終符合銅線(xiàn)鍵合工藝標(biāo)準(zhǔn),第一焊點(diǎn)研究實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)合格(100%)圖 2 所示。

(3)第二焊點(diǎn)研究實(shí)驗(yàn)

通過(guò)優(yōu)化劈刀的設(shè)計(jì),選擇合適的劈刀型號(hào),增大了第二點(diǎn)接觸的面積和魚(yú)尾厚度;通過(guò)優(yōu)化線(xiàn)弧參數(shù),使魚(yú)尾和 Lead 更貼合; [2] 通過(guò)優(yōu)化焊接參數(shù),增大了第二焊點(diǎn)功率、壓力,必要時(shí)使用研磨參數(shù),可增強(qiáng)第二焊點(diǎn)拉力并穩(wěn)定線(xiàn)尾(Wire Tail Length);通過(guò)以上第二焊點(diǎn)鍵合質(zhì)量的深入研究,達(dá)到了銅線(xiàn)鍵合質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

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(4)銅線(xiàn)鍵合防裂紋和彈坑研究

通過(guò)銅線(xiàn)材防氧化措施,焊盤(pán)鋁層厚度、成分的控制,銅線(xiàn)鍵合快速確認(rèn)焊盤(pán)鋁殘留厚度的研究,最終使銅線(xiàn)鍵合裂紋和彈坑得到了有效控制。

結(jié)論通過(guò)以上研究,使鍍鈀銅線(xiàn)鍵合能力滿(mǎn)足工藝要求,達(dá)到了高密度窄節(jié)距(43μm)小焊盤(pán)(38μm×38μm)IC 芯片的封裝要求。實(shí)現(xiàn)了 SEMI( 國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì) ) 等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織在電子封裝領(lǐng)域內(nèi)電鍍技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化要求。

4 結(jié)論

該方案采用焊盤(pán)尺寸為 38μm×38μm、焊盤(pán)間距為43μm、鋁墊厚度為 0.9μm、介質(zhì)結(jié)構(gòu)為 FSG(氟硅酸鹽玻璃)的芯片研究了銅線(xiàn)鍵合技術(shù),建立了線(xiàn)徑為 0.7mil高可靠性鍍鈀銅線(xiàn)鍵合工藝的制程能力,有效保障了小焊盤(pán)(38μm×38μm)窄間距(43μm)的銅線(xiàn)鍵合封裝技術(shù)在 LQFP、TQFP 、eLQFP、多圈 QFN 系列產(chǎn)品中的推廣應(yīng)用。因此,本設(shè)計(jì)方案能實(shí)現(xiàn)該項(xiàng)目的技術(shù)指標(biāo),達(dá)到研究的目的和意義,為標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)提供了技術(shù)保障。

審核編輯 黃宇

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    西門(mén)子標(biāo)準(zhǔn)化編程和虛擬調(diào)試應(yīng)用,西門(mén)子標(biāo)準(zhǔn)化編程、仿真與虛擬調(diào)試應(yīng)用培訓(xùn)PPT。
    發(fā)表于 11-16 14:58 ?417次閱讀
    西門(mén)子<b class='flag-5'>標(biāo)準(zhǔn)化</b>編程和虛擬調(diào)試應(yīng)用

    小場(chǎng)景電源及配套配置標(biāo)準(zhǔn)化規(guī)范

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《小場(chǎng)景電源及配套配置標(biāo)準(zhǔn)化規(guī)范.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 11-13 14:23 ?0次下載
    小場(chǎng)景電源及配套配置<b class='flag-5'>標(biāo)準(zhǔn)化</b>規(guī)范

    燧原科技當(dāng)選上海市人工智能標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)委員

    、上海市市場(chǎng)監(jiān)督管理局標(biāo)準(zhǔn)創(chuàng)新發(fā)展處副處長(zhǎng)周勤、上海市經(jīng)濟(jì)和信息委員會(huì)人工智能發(fā)展處副處長(zhǎng)孫躍出席會(huì)議。上海市人工智能行業(yè)協(xié)會(huì)、市質(zhì)量和標(biāo)準(zhǔn)化研究院、中國(guó)信息通信
    的頭像 發(fā)表于 11-01 14:45 ?733次閱讀
    燧原科技當(dāng)選上海市人工智能<b class='flag-5'>標(biāo)準(zhǔn)化</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>委員會(huì)委員

    微電子封裝技術(shù)簡(jiǎn)介

    微電子封裝基本類(lèi)型每15年左右變更一次。
    發(fā)表于 10-26 09:48 ?701次閱讀
    <b class='flag-5'>微電子</b><b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>簡(jiǎn)介

    半導(dǎo)體芯片微電子封裝膠粘劑涂覆工藝及下一代封裝革命

    在半導(dǎo)體封裝和其他微電子工業(yè)裝配領(lǐng)域,膠粘劑涂覆是其中的一道重要工藝,其性能的好壞決定著電子產(chǎn)品品質(zhì)的優(yōu)良。隨著微電子封裝
    的頭像 發(fā)表于 10-09 16:27 ?1860次閱讀
    半導(dǎo)體芯片<b class='flag-5'>微電子</b><b class='flag-5'>封裝</b>膠粘劑涂覆工藝及下一代<b class='flag-5'>封裝</b>革命