澎芯半導(dǎo)體主驅(qū)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)出良率達(dá)到75%

近日，澎芯半導(dǎo)體在產(chǎn)品開拓方面取得了多項(xiàng)進(jìn)展：

●推出主驅(qū)級(jí)新品——1200V/15mΩ SiC MOSFET，產(chǎn)出良率75%；

● 已聯(lián)合模塊和終端廠商開發(fā)出1200V/150A和1200V/400A的模塊產(chǎn)品；

●SiC MOSFET產(chǎn)品系列化布局更加全面，在OBC、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用。

車規(guī)SiC MOS新品 性能優(yōu)異

12月12日上午，行家說三代半了解到，澎芯半導(dǎo)體1200V電壓平臺(tái)迎來新的成員——1200V/15mΩ的SiC MOSFET產(chǎn)品。

據(jù)了解，該產(chǎn)品由澎芯半導(dǎo)體自主設(shè)計(jì)研發(fā)，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，并且聯(lián)手國(guó)內(nèi)標(biāo)桿SiC晶圓廠制造完成，產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)性能指標(biāo)表現(xiàn)非常優(yōu)異，產(chǎn)出良率達(dá)到75%。

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合作開發(fā) 新增2款模塊產(chǎn)品

據(jù)悉，澎芯半導(dǎo)體在前期工程批已完成各項(xiàng)性能指標(biāo)的考核驗(yàn)證，現(xiàn)已聯(lián)合模塊客戶(模塊封裝廠)和終端使用客戶共同定義開發(fā)出1200V/150A和1200V/400A的模塊產(chǎn)品，后續(xù)可提供晶圓和客制化模塊兩大類產(chǎn)品。

產(chǎn)品系列化 發(fā)展加速提檔

隨著此產(chǎn)品的推出，澎芯半導(dǎo)體的SiC MOSFET產(chǎn)品系列化布局更加全面，包括以下：

審核編輯：劉清