正好手上有一塊電源板,一時興起,點了下SW節(jié)點。如下圖所示,振鈴還是很明顯的,最高達(dá)到18.4V。
注意:這里的SW振鈴不是前面文章中提到的電源DCM模式下的SW振鈴,而是上管MOS在導(dǎo)通瞬間的SW振鈴。振鈴所處位置不同,注意區(qū)分。
SW振鈴有哪些危害?
把SW波形適當(dāng)放大,再看看。
如上圖所示,這里面包含的信息還挺多的:
①是振鈴;
②是死區(qū)時間;
③下管MOS管導(dǎo)通時的壓降;
另外,②還可以反映出內(nèi)置MOS管體二極管的導(dǎo)通壓降。
如果要研究這個波形,可以展開討論的東西太多,今天我們討論下①。有同學(xué)不禁要問,都說振鈴不好,那SW振鈴有什么危害?
好問題!
在回答這個問題前,我們不妨把振鈴波形展開看一下。
(1)輻射EMI問題。如上圖,這里振鈴的第一個振蕩波形的頻率達(dá)到151MHz,而我們再看下這個Buck電路的開關(guān)頻率才520kHz左右,如下圖。很明顯,振鈴的頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于開關(guān)頻率。頻率越高,通過等效天線輻射出去的概率越大,進(jìn)而會帶來EMI輻射問題。
(2)傳導(dǎo)EMI問題。SW波形電壓發(fā)生劇烈跳變,這里面包含很高的dV/dt,會產(chǎn)生高頻共模噪聲,可以通過寄生電容和參考地流過LISN,進(jìn)而使得傳導(dǎo)測試fail,帶來EMI傳導(dǎo)問題。
(3)開關(guān)管電氣應(yīng)力。從上面圖中可以看出,在發(fā)生振鈴時,SW電壓波形最大可以達(dá)到18.4V。這無疑給MOS管造成了一定的電氣應(yīng)力。如果振鈴電壓超出了MOS的耐壓值,那么很可能發(fā)生MOS源極和漏極擊穿的情況。即便不超出要求范圍,MOS管長期工作在電氣應(yīng)力下,對其可靠性和壽命也有一定的影響。
SW振鈴如何產(chǎn)生?
SW振鈴是如何產(chǎn)生的呢?
關(guān)于這個問題,網(wǎng)上說法很多。這里我只說下我個人的看法,上管MOS在導(dǎo)通瞬間,SW節(jié)點的電位瞬間發(fā)生階躍變化。學(xué)過傅里葉變換的同學(xué),這點應(yīng)該很清楚,這其中蘊(yùn)含著非常豐富的高頻分量。而Buck電路中的寄生電感和寄生電容會形成LC諧振電路,通過其選頻特性把高頻分量中的特定頻率選出來并進(jìn)行若干倍的放大,再和其他分量進(jìn)行疊加,表現(xiàn)出來就成為振鈴波形。
SW振鈴如何抑制?
如何抑制SW振鈴?有同學(xué)可能會說:增加Snubber電路。
可是你有沒有考慮過,為什么Snubber電路可以抑制SW振鈴呢?內(nèi)部邏輯是什么?
如果你不清楚Snubber電路的內(nèi)部邏輯,你可以繼續(xù)往下看。如果你已知曉,也可以看下理解是否一致。
在文章開頭給出的第5篇《RLC串聯(lián)諧振的概念,并通過引入恰當(dāng)阻值的R來扭轉(zhuǎn)系統(tǒng)的阻尼狀態(tài),使得整個系統(tǒng)盡快進(jìn)入臨界阻尼和過阻尼狀態(tài),并搭建模型進(jìn)行了一系列仿真。今天我們還用TINA-TI分析下Snubber電路如何抑制SW振鈴的。
必要說明:增加Snubber電路只是抑制SW振鈴的一種方式,并不是唯一方式。而且這里也只是“抑制”,并不是“消除”。多種方式,多管齊下,效果更優(yōu)。其他還有什么手段呢?
①減小SW節(jié)點面積;
②降低SW開關(guān)頻率;
③增加展頻FSS;
④優(yōu)化PCB板器件布局;
……上述手段,每一條都可以專門寫一篇“小作文”。這里只是提一下,不做展開,感興趣的同學(xué)自行研究內(nèi)部邏輯。
搭建仿真模型
上圖即為Buck電路模型,各位很熟悉了。為了更有利于分析SW振鈴,我們需要對該電路模型進(jìn)行簡化。
①黃色部分:SW是在上管MOS導(dǎo)通后出現(xiàn)振鈴的,所以此時T1已導(dǎo)通,T2已關(guān)斷。那我們可以認(rèn)為T1是短路狀態(tài),T2是開路狀態(tài)。看過米勒效應(yīng)系列文章的同學(xué),應(yīng)該清楚MOS管有輸出電容Coss(=Cds+Cgd),在T1導(dǎo)通時Coss會被短路,在T2關(guān)斷時Coss是需要考慮的,特別是在高頻條件下。
②藍(lán)色部分:由于MOS管的開關(guān)過程很短(ns級),而Buck電路中的儲能電感L1取值相對較大(uH級)。在如此短的時間內(nèi),開關(guān)管完成開關(guān)動作,而電感L1上的電流根本來不及變化,因為電感上的電流不能突變。所以,我們可以認(rèn)為電感L1沒有參與振鈴活動。
③寄生電感:器件會有雜散電感,PCB走線會有寄生電感,在高頻條件下,這些已需要考慮。由于電感L1沒有參與振鈴,那么我們可以大膽認(rèn)為電感L1和其右側(cè)器件及PCB的寄生電感沒有振鈴活動。但是電感L1左側(cè)部分的寄生電感和雜散電感參與了振鈴,需要考慮,我們可以統(tǒng)一記作Lp。
基于上述分析,我們可以把Buck電路中有關(guān)SW振鈴的模型做進(jìn)一步簡化,如下圖。
簡化后最終模型如上右圖,這不就是妥妥的LC電路么?再配合階躍的信號源,富含各種高頻分量,這能不諧振么???
如果此時我們把Snubber電路的C1和R1去加上去,會怎么樣?
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:Buck電源的SW振鈴危害、產(chǎn)生原因、如何抑制及仿真驗證
文章出處:【微信號:hjldws,微信公眾號:硬件微講堂】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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