近日,荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML公司宣布,優(yōu)先向Intel公司交付其新型高數(shù)值孔徑(High NA EUV)的極紫外光刻機(jī)。
據(jù)悉,每臺(tái)新機(jī)器的成本超過(guò)3億美元,可幫助計(jì)算機(jī)芯片制造商生產(chǎn)更小、更快的半導(dǎo)體。
ASML官方社交媒體賬號(hào)發(fā)布了一張現(xiàn)場(chǎng)照片。圖可以看到,光刻機(jī)的一部分被放在一個(gè)保護(hù)箱中。箱身綁著一圈紅絲帶,正準(zhǔn)備從其位于荷蘭埃因霍溫的總部發(fā)貨。
“耗時(shí)十年的開(kāi)創(chuàng)性科學(xué)和系統(tǒng)工程值得鞠一躬!我們很高興也很自豪能將我們的第一臺(tái)高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機(jī)交付給Intel?!盇SML公司說(shuō)道。
據(jù)了解,高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機(jī)組裝起來(lái)比卡車(chē)還大,需要被分裝在250個(gè)單獨(dú)的板條箱中進(jìn)行運(yùn)輸,其中包括13個(gè)大型集裝箱。
據(jù)估計(jì),該光刻機(jī)將從2026年或2027年起用于商業(yè)芯片制造。
公開(kāi)資料顯示,NA數(shù)值孔徑是光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的重要指標(biāo),直接決定了光刻的實(shí)際分辨率,以及最高能達(dá)到的工藝節(jié)點(diǎn)。
一般來(lái)說(shuō),金屬間距縮小到30nm以下之后,也就是對(duì)應(yīng)的工藝節(jié)點(diǎn)超越5nm,低數(shù)值孔徑光刻機(jī)的分辨率就不夠了,只能使用EUV雙重曝光或曝光成形(pattern shaping)技術(shù)來(lái)輔助。
這樣不但會(huì)大大增加成本,還會(huì)降低良品率。因此,更高數(shù)值孔徑成為必需。
ASML 9月份曾宣布,將在今年底發(fā)貨第一臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī),型號(hào)“Twinscan EXE:5000”,可制造2nm工藝乃至更先進(jìn)的芯片。
審核編輯:黃飛
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原文標(biāo)題:ASML首臺(tái)2nm光刻機(jī)正式交付Intel!
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