汽車電子上要求存儲系統(tǒng)必須能夠在車輛事故中保存下來——由于碰撞可能導致汽車的低壓系統(tǒng)斷電,存儲需要一種無需連接電源即可保存數(shù)據(jù)的原生非易失性存儲器。除此之外,記錄數(shù)據(jù)的存儲必須滿足一些嚴格的條件。
汽車存儲器的基本要求
1)非易失性:這是基本要求,數(shù)據(jù)得記下來
2)惡劣環(huán)境下的生存性:碰撞以后,存儲器的數(shù)據(jù)得保存下來
3)工作時間和壽命:汽車的生命周期很長,在車舊了以后存儲器也需要能工作
4)低功耗:如果功耗太高,對于設計保存機制會存在困難
5)刷寫快:碰撞的時間很短,如果電源斷電,數(shù)據(jù)需要快速寫上去
從Flash、EEPROM到F-RAM,汽車存儲器的技術標準在不斷變化,主要的維度還是更快的刷寫。對于自動輔助駕駛系統(tǒng)而言,把數(shù)據(jù)快速存下來很方便。F-RAM存儲器(結(jié)合了RAM和ROM的優(yōu)勢)比EEPROM擁有更多優(yōu)勢,主要是不需要寫等待時間,幾乎可以實時存儲重要數(shù)據(jù)(實際10us存儲時間);相比之下,EEPROM通常需要超過10毫秒的寫入等待時間。
FRAM在寫入速度和功率方面都遠遠優(yōu)于浮柵器件。對于時鐘頻率為20MHz的典型串行EEPROM,寫入256位(32字節(jié)頁面緩沖區(qū))需要5毫秒,寫入整個64Kb需要1283.6毫秒。對于等效的FRAM,256位僅需14μs,寫入整個64Kb僅需3.25ms。此外,將64Kb寫入EEPROM需要3900μJ,而將64Kb寫入F-RAM需要17μJ,相差超過229倍。
FeRAM的最大優(yōu)勢是可以保證大量數(shù)據(jù)的讀寫周期。由于它可以重寫高達100萬億次的數(shù)據(jù),因此我們的FeRAM適用于頻繁重寫數(shù)據(jù)的用途。例如,F(xiàn)eRAM存儲器已被采用為記錄儀表,測量儀器,工業(yè)機器人和汽車信息的常用存儲器。
汽車的應用場景
在整個使用場景,存儲器的應用廣泛覆蓋了各種傳感器帶來的數(shù)據(jù),比如自動輔助駕駛、儀表系統(tǒng)(里程和關鍵信息),電池管理系統(tǒng)、行車記錄儀、娛樂系統(tǒng)和網(wǎng)關系統(tǒng)。事實上,如果設計考究,在很多地方都可以使用這種存儲器。
汽車儀表
F-RAM記錄時時變化的儀表數(shù)據(jù)
·非易失性存儲器
·高可靠性
·FeRAM無需寫等待,快速讀寫
·低功耗,靜態(tài)電流小于10uA
·無限次的擦寫次數(shù)(一萬億次)
車載DVD
FeRAM記錄GPS軌跡,DVD掉電軌跡,數(shù)字收音機頻道信息
·非易失性存儲器
·FeRAM無需寫等待,快速讀寫
·低功耗
安全氣囊
FeRAM在安全汽囊應用:
推薦型號MB85RS64V
·FeRAM無需寫等待,具有非常快的響應速度(50ns)
·非易失性存儲器,不需要電池備份,(高可靠性)
·無限次的擦寫次數(shù)(一萬億次)
車行駛記錄儀
FeRAM在汽車行駛記錄儀中應用:
存儲實時的數(shù)據(jù)如速度、剎車.
推薦型號:MB85RS64T
·非易失性存儲器
·高可靠性
·FeRAM無需寫等待,快速讀寫
·低功耗,靜態(tài)電流小于10uA
·無限次的擦寫次數(shù)(一萬億次)
F-RAM 擁有無限耐用性與其實時性、非易失性、高吞吐量和可靠的數(shù)據(jù)捕獲相結(jié)合,使其成為針對汽車和工業(yè)應用中高性能數(shù)據(jù)記錄的非易失性存儲器的強大選擇。由于F-RAM在各種掉電事故中,都能保證數(shù)據(jù)能存下來,確實是一種很好的存儲器選擇。
符合AEC-Q100可靠性實驗標準
產(chǎn)品型號 | 內(nèi)存容量 (bit) | 輸入電壓 (V) | 工作頻率 (Hz) | 工作溫度 (。C) | 讀寫耐久性 (讀寫次數(shù)) | 數(shù)據(jù)保持時間(保證値)*3 | 封裝類別 |
MB85RS4MTY | 4M | 1.8 to3.6 | 50M | -40 to+125 | 10萬億次 | 10年(+85。C) | DFN-8(SOP-8*4) |
MB85RS4MLY | 4M | 1.7 to1.95 | 50M | -40 to+125 | 10萬億次 | 10年(+85。C) | DFN-8(SOP-8*4) |
MB85RS2MTY | 2M | 1.8 to3.6 | 50M | -40 to+125 | 10萬億次 | 10年(+85。C) | DFN-8, SOP-8 |
MB85RS2MLY | 2M | 1.7 to1.95 | 50M | -40 to+125 | 10萬億次 | 10年(+85。C) | DFN-8, SOP-8 |
MB85RS256TY | 256K | 1.8 to3.6 | 40M | -40 to+125 | 10萬億次 | 10年(+85。C) | SOP-8 |
MB85RS128TY | 128K | 1.8 to3.6 | 40M | -40 to+125 | 10萬億次 | 10年(+85。C) | SOP-8 |
MB85RS64VY | 64K | 2.7 to5.5 | 33M | -40 to+125 | 10萬億次 | 10年(+85。C) | SOP-8 |
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