據(jù)悉,三星電子及美光科技等存儲芯片龍頭企業(yè)計劃于2024年初把DRAM價格提高15%-20%,相較于今年第四季度的較為穩(wěn)定,預(yù)計執(zhí)行此舉是為了加快恢復(fù)利潤。在漲價名單中,屬于DRAM的DDR4和DDR5被提到主要對象。
部分存儲模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;步入新年后,隨著手機(jī)和服務(wù)器需求漸復(fù)蘇,DRAM供給趨勢將趨于緊張。
專家認(rèn)為,三星有望領(lǐng)跑此次DRAM產(chǎn)品的價格調(diào)整行動。至于韓國的DRAM供應(yīng)商,他們主動放慢了下半年DRAM的使用率。2023年的最后一個季度,三星的 DRAM產(chǎn)量只有首季的大約70%,并增加了先進(jìn)制程產(chǎn)能的占比。他們還預(yù)測2024年首季將繼續(xù)嚴(yán)格管理DRAM出貨量,芯片供應(yīng)商需要進(jìn)一步提高高級節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能,同時削減成熟工藝的產(chǎn)出。
各主要DRAM芯片商如三星、美光等,曾采用1X或1Y納米的制作工藝進(jìn)行DDR4產(chǎn)品制造,然而在去年,三星將其8GB和16GB產(chǎn)品轉(zhuǎn)為更先進(jìn)的1Z納米工藝,而美光則將DDR4生產(chǎn)全面轉(zhuǎn)移至1α納米工藝。此外,存儲芯片制造商已開始從16GB DDR5的1β節(jié)點(diǎn)向更高端的工藝升級。
結(jié)合去年年末的市場狀況觀察,無論是DRAM還是NAND都沒有出現(xiàn)明顯的供需失衡現(xiàn)象,顯示終端市場需求尚未完全回暖。新年伊始,業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為未來市場走勢將較為謹(jǐn)慎。
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