大聯(lián)大推出3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案

2024年1月4日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。

圖示1-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案的展示板圖

當(dāng)前，全球?qū)τ诳稍偕茉吹年P(guān)注度日益提高，作為一種可持續(xù)發(fā)展的清潔能源，太陽(yáng)能已被廣泛應(yīng)用于家庭、工業(yè)和商業(yè)等各個(gè)領(lǐng)域。然而，隨著太陽(yáng)能的應(yīng)用范圍進(jìn)一步擴(kuò)大，業(yè)內(nèi)迫切需要更高效率的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)來(lái)提升太陽(yáng)能系統(tǒng)的性能。對(duì)此，大聯(lián)大品佳基于Infineon XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET推出3.3KW高功率密度雙向相移全橋（PSFB）方案，其通過(guò)先進(jìn)的半導(dǎo)體器件及控制算法將PSFB拓?fù)湓O(shè)計(jì)的效率達(dá)到了全新水平。

圖示2-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案的場(chǎng)景應(yīng)用圖

XMC4200是一款基于Arm Cortex-M4內(nèi)核的工業(yè)級(jí)微控制器，具有16位和32位Thumb2指令集、DSP/MAC指令、浮點(diǎn)單元、存儲(chǔ)器保護(hù)單元以及嵌套矢量中斷控制器。內(nèi)部集成了16KB引導(dǎo)ROM，擁有多達(dá)16KB高速程序存儲(chǔ)器、24KB高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和256KB帶閃存以及豐富的通信外設(shè)，能夠在嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)出色的性能。

CFD7 CoolMOS MOSFET是Infineon旗下CFD7系列具有集成快速體二極管的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的產(chǎn)品，非常適用于高功率SMPS應(yīng)用，如服務(wù)器/電信/EV充電站等。通過(guò)將表面貼裝器件（SMD）封裝中的一流600V CFD7 CoolMOS MOSFET與150V OptiMOS 5同步整流器結(jié)合使用，可以在buck模式下實(shí)現(xiàn)98%的效率，在boost模式下實(shí)現(xiàn)97%的效率。

圖示3-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案的方塊圖

得益于半導(dǎo)體產(chǎn)品的出色性能和先進(jìn)SMD封裝技術(shù)以及創(chuàng)新的堆疊磁性結(jié)構(gòu)，本方案可實(shí)現(xiàn)4.34 W/cm3（71.19 W/in3）的功率密度，再一次證明了PSFB拓?fù)淇梢杂米麟p向DC/DC階段。并且在不改變傳統(tǒng)拓?fù)錁?biāo)準(zhǔn)或構(gòu)造的情況下，實(shí)現(xiàn)更加出色的能源效率。

核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)

具有高功率密度、高效率；

以相移全橋（PSFB）實(shí)現(xiàn)雙向能量轉(zhuǎn)換器；

具有20μs 140%加負(fù)荷；

以CFD7系列MOS實(shí)現(xiàn)高效率可能性；

具有多種保護(hù)模式和可配置參數(shù)，提高產(chǎn)品設(shè)計(jì)靈活度。

方案規(guī)格

輸入電壓及頻率操作為：DC 380V；

輸出電壓為：60V - 40V；

降壓模式效率高達(dá)98%，升壓模式效率高達(dá)97%；

功率密度為4.34 W/cm3（71.19 W/in3）；

采用ThinPAK 封裝的Infineon CoolMOS CFD7。

審核編輯：湯梓紅