邊緣設(shè)備運(yùn)行生成式AI內(nèi)存解決方案

華邦電子將在2024年繼續(xù)強(qiáng)化其市場地位，通過技術(shù)創(chuàng)新和市場適應(yīng)力，在全球存儲(chǔ)解決方案市場保持領(lǐng)先。

成立于 1987 年的華邦電子，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案提供商。華邦電子的主要產(chǎn)品線包括利基型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)、行動(dòng)內(nèi)存、編碼型閃存和 TrustME 安全閃存，廣泛應(yīng)用于通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)以及車用電子和計(jì)算機(jī)周邊領(lǐng)域。

華邦電子 DRAM 產(chǎn)品市場地位，來源：Omida

專注利基市場

NOR Flash 全球排名第一

華邦電子擁有自己的制程、產(chǎn)能和晶圓廠，是一家真正的 IDM 內(nèi)存企業(yè)。Flash 產(chǎn)品主要為 Code Storage 類別，其中 NOR Flash 全球排名第一。與三星、美光等全球頭部存儲(chǔ)廠商相比，華邦電子在市場上主要聚焦中小容量利基型存儲(chǔ)。根據(jù) Omdia 的數(shù)據(jù)，截至 2022 年第四季度，華邦電子在全球小于等于 1Gbit 容量市場中份額最高，其中 1Gbit 市占份額達(dá) 33%，小于等于 512bit 市場的份額達(dá) 47%。公司的新晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)充為其在更大容量市場上爭取更高份額奠定了基礎(chǔ)，特別是在看重品質(zhì)和供應(yīng)的 KGD 合封市場中全球領(lǐng)先。

第三方調(diào)研機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，華邦在全球 NOR Flash 市場中排名第一，2021 年市場占比近 30%。此外，華邦電子約三成營收來自中國大陸市場，顯示其在中國大陸的業(yè)務(wù)布局和深耕程度。

華邦的 NOR Flash 產(chǎn)品目前市占率全球第一，正從 5V、3V 演進(jìn)至 1.2V，以適應(yīng)低功耗需求。華邦還在 NAND Flash 領(lǐng)域創(chuàng)新，推出了 OctalNAND 新產(chǎn)品系列，特別適用于汽車車機(jī)系統(tǒng)和可穿戴設(shè)備，提供高帶寬和快速啟動(dòng)速度。華邦電子產(chǎn)品中的 NOR Flash，雖不主攻如 AI 服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等存儲(chǔ)市場，卻在 PCB 板上的小容量存儲(chǔ)領(lǐng)域占有顯著市場份額。

此外，華邦電子在支持客戶對 8Mb Serial Flash 需求方面擁有豐富經(jīng)驗(yàn)，其產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域包括儀器儀表、聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、PC、打印機(jī)、車用及游戲設(shè)備。W25QxxRV 的推出，進(jìn)一步支持了更多新興應(yīng)用和用例，例如利用 KGD 和 WLCSP 解決方案在先進(jìn)技術(shù)中實(shí)現(xiàn)無線連接性，并采用更小的引腳封裝。

近日，華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪接受了與非網(wǎng)記者的專訪，在詳細(xì)介紹了華邦電子的產(chǎn)品線及技術(shù)路線之外，也對 2022 年及 2023 年的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行了回顧和展望。

華邦的 DRAM 產(chǎn)品以小尺寸、低功耗和低引腳數(shù)封裝等特點(diǎn)著稱，可簡化器件互連并節(jié)省 PCB 成本，是嵌入式設(shè)備的理想選擇。今年三月，華邦電子宣布與全球頂級(jí)半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics) 達(dá)成合作，將華邦的利基型內(nèi)存芯片和內(nèi)存模塊集成到意法半導(dǎo)體的 STM32 系列微控制器 (MCU) 和微處理器 (MPU) 中。這次合作旨在優(yōu)化集成和性能，確保雙方設(shè)備的長期可用性，滿足工業(yè)市場客戶的需求。

STM32 系列是基于 Arm Cortex 內(nèi)核的 32 位 MCU 和 MPU 產(chǎn)品，融合高性能、高能效、超低功耗和先進(jìn)外設(shè)等優(yōu)點(diǎn)，與 STM32 的廣泛生態(tài)系統(tǒng)完美對接，簡化并加速開發(fā)進(jìn)程。意法半導(dǎo)體的 STM32MPU 生態(tài)系統(tǒng)產(chǎn)品營銷經(jīng)理 Kamel Kholti 強(qiáng)調(diào)了與華邦電子建立密切合作伙伴關(guān)系的重要性，尤其是在將 STM32 系列擴(kuò)展到 MPU 領(lǐng)域時(shí)。

HYPERRAM: MCU 外部 RAM 的理想選擇

來源：華邦電子

重點(diǎn)合作內(nèi)容包括將華邦的 DDR3 內(nèi)存與意法半導(dǎo)體的 STM32MP1 系列微處理器相結(jié)合，以支持工業(yè)網(wǎng)關(guān)、智能電表、條形碼掃描器等需要高性能和先進(jìn)安全性的應(yīng)用。華邦還引入 HYPERRAM 產(chǎn)品為意法半導(dǎo)體新推出的基于 Cortex-M33 內(nèi)核的 STM32U5 MCU 提供支持。HYPERRAM 的低功耗和高性能特點(diǎn)，使其成為 STM32U5 的理想內(nèi)存解決方案，支持智能工業(yè)和消費(fèi)級(jí)應(yīng)用的發(fā)展。

滿足新需求

HYPERRAM 成新興 IoT 理想選擇

HYPERRAM主要應(yīng)用，來源：華邦電子

隨著 MCU 的制程節(jié)點(diǎn)從 55nm、40nm 朝 28nm 甚至 16nm 轉(zhuǎn)移，雖然尺寸符合 IoT 微型化趨勢，但應(yīng)用對運(yùn)算能力的高要求使得需要新一代外部內(nèi)存作為數(shù)據(jù)緩沖。傳統(tǒng) SDRAM 和 pSRAM 無法滿足這些新興 IoT 應(yīng)用的需求，故華邦推出采用 38nm 制程的 HYPERRAM，并計(jì)劃向 25nm 制程轉(zhuǎn)移。這一先進(jìn)制程不僅適應(yīng)了車用和工規(guī)應(yīng)用的長期供貨需求，還使 HYPERRAM 成為新興 IoT 裝置的理想選擇。

HYPERRAM 性能優(yōu)勢，來源：華邦電子

HYPERRAM 技術(shù)是一種適用于需要擴(kuò)充記憶體以用于暫存或緩沖的高性能嵌入式系統(tǒng)的高速、低引腳數(shù)、低功耗 pseudo-SRAM。這項(xiàng)技術(shù)最早由英飛凌推出，現(xiàn)已獲得多家 MCU、MPU 和 FPGA 合作伙伴及客戶的認(rèn)可與支持，生態(tài)系統(tǒng)日益成熟。HYPERRAM 的三大特性主要包括：低腳數(shù)、低功耗、易于應(yīng)用設(shè)計(jì)，這些特性顯著提升了終端裝置的效能。與傳統(tǒng) SDRAM 相比，HYPERRAM 在待機(jī)功耗和封裝尺寸上都具有明顯優(yōu)勢。其簡化控制接口，基于 pSRAM 架構(gòu)，并具有自我刷新功能，使得系統(tǒng)端的內(nèi)存使用更為簡便，簡化了固件和驅(qū)動(dòng)程序的開發(fā)。

已有多家公司推出了優(yōu)化的 HyperBus 記憶體控制IP。目前，包括 NXP、Renesas、ST、TI 等領(lǐng)先業(yè)者已支持 HyperBus 接口的 MCU，并將繼續(xù)支持其新產(chǎn)品?？刂平涌陂_發(fā)平臺(tái)已就緒，Cadence、Synopsys 及 Mobiveil 已提供HyperBus內(nèi)存控制 IP，加速芯片業(yè)者設(shè)計(jì)時(shí)程。HYPERRAM 將納入 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，成為兼容技術(shù)。華邦作為 HYPERRAM 的供應(yīng)商之一，提供客戶更多選擇?，F(xiàn)已成為高性能嵌入式系統(tǒng)中額外 RAM 需求的理想解決方案。新一代 HYPERRAM 3.0 產(chǎn)品在 1.8V 下能達(dá)到 200MHz的最高工作頻率，數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá) 800MBps。

據(jù)介紹，目前華邦電子的 HYPERRAM 產(chǎn)品線包括32Mb、64Mb、128Mb 和 256Mb 等多種容量，提供多種封裝選項(xiàng)，如 24BGA、49BGA 和 15BGA WLCSP 封裝，適用于不同的市場需求，包括汽車、工業(yè)應(yīng)用和消費(fèi)性產(chǎn)品。恩智浦的 i.MX RT 系列 MCU已全面支持 HYPERRAM 接口，以適應(yīng)不同應(yīng)用場景的需求。對于穿戴式產(chǎn)品，RT500/700 搭配 WLCSP 封裝的 HYPERRAM 提供低功耗和小封裝優(yōu)勢。而在工業(yè)和汽車類應(yīng)用中，RT1170/1180 與 BGA 封裝的 HYPERRAM 結(jié)合，實(shí)現(xiàn)少引腳和高可靠性。華邦已將 HYPERRAM 產(chǎn)品容量擴(kuò)展至 256Mb 和 512Mb，采用 25nm 制程，低至 35μW 的待機(jī)功耗在混合睡眠模式下優(yōu)化了性能。

華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪對與非網(wǎng)記者表示，“HYPERRAM 是一個(gè) 8 位串行接口產(chǎn)品，具備功耗低、引腳少、占用空間小等特點(diǎn)，非常適合中小容量市場，是未來發(fā)展的趨勢?！彪S著 HYPERRAM 技術(shù)的發(fā)展，華邦電子提供了多樣化的產(chǎn)品線和封裝選項(xiàng)，為不同應(yīng)用場景提供解決方案，如車用電子、工業(yè)電子、智能家居以及穿戴裝置等。預(yù)計(jì)隨著市場的不斷增溫，將有更多客戶采用這一新世代內(nèi)存技術(shù)。

從 KGD 到 CUBE華邦如何應(yīng)對邊緣 AI 新挑戰(zhàn)？

作為利基型內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，華邦電子專注于 KGD (良品裸晶圓) 技術(shù)的應(yīng)用，區(qū)別于市場上普遍的普通封裝產(chǎn)品。華邦電子的 KGD 解決方案已超過十年，產(chǎn)品成熟且經(jīng)過嚴(yán)格測試，與封裝產(chǎn)品具有同等的可靠性水平。

據(jù)介紹，華邦 KGD 2.0 產(chǎn)品采用的 TSV (Through-Silicon Via) 技術(shù)在深寬比 (aspect ratio) 能力上表現(xiàn)出色，能達(dá)到 1:10 的比例，目前可以實(shí)現(xiàn) 50 微米的深度，相當(dāng)于需要將芯片打磨至 2 mil。通過 Hybrid Bonding 工藝，華邦有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)更高的精度和更低的功耗。KGD 2.0 的信號(hào)完整性/電源完整性 (SI/PI) 表現(xiàn)優(yōu)異，且功耗低于 LPDDR4 的四分之一，同時(shí)帶寬可實(shí)現(xiàn) 16-256GB/s，為客戶在 AI-ISP 和 CPU 設(shè)計(jì)中提供了高效的替代方案。

華邦電子致力于設(shè)計(jì)創(chuàng)新和差異化的 Serial Flash KGD 和 WLCSP 解決方案。這些解決方案適用于需要 MCU 和 So C的小尺寸與非易失性存儲(chǔ)的特殊應(yīng)用。通過其先進(jìn)的 KGD 2.0 產(chǎn)品和 3DCaaS 服務(wù)平臺(tái)，華邦電子為客戶提供從 DRAM 到封裝測試再到 IP 的完整一站式解決方案，不斷推動(dòng)行業(yè)技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新。

在加入 UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express) 聯(lián)盟時(shí)，華邦就宣布將提供 3DCaaS (3D CUBE as a Service) 一站式服務(wù)平臺(tái)，為客戶提供包括 3D TSV DRAM (CUBE) KGD 內(nèi)存芯片在內(nèi)的領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品解決方案。此外，華邦通過其平臺(tái)合作伙伴提供的技術(shù)咨詢服務(wù)，讓客戶能夠全面享受 CUBE 產(chǎn)品支持，以及 Silicon-Cap、Interposer 等技術(shù)的附加服務(wù)。憑借在 KGD 技術(shù)上的深厚經(jīng)驗(yàn)，華邦成功將其應(yīng)用于 CUBE 產(chǎn)品中，推出了 KGD 2.0 產(chǎn)品。這一步驟標(biāo)志著華邦在內(nèi)存技術(shù)和封裝領(lǐng)域的重要進(jìn)展。

華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪深入分析了 HBM (高帶寬內(nèi)存) 的崛起及其與 AI 發(fā)展的緊密聯(lián)系。他指出，盡管整個(gè)內(nèi)存市場不景氣，但 HBM 市場卻因 ChatGPT 應(yīng)用而快速增長。他預(yù)計(jì)，未來 3-5 年內(nèi)，HBM 在 DRAM 市場的占比將從 1% 增長至 5%-7% 左右。朱迪認(rèn)為，HBM 的毛利比較高，這在財(cái)務(wù)方面對頭部大廠非常有利。朱迪進(jìn)一步討論了端側(cè) AI 對 HBM 需求的影響，他認(rèn)為，端側(cè) AI 和云端計(jì)算是相輔相成的關(guān)系。云端計(jì)算需要 HBM 和大算力 GPU 進(jìn)行計(jì)算和訓(xùn)練，而終端設(shè)備依賴于中小容量的內(nèi)存需求，例如 HYPERRAM 和華邦新推出的 CUBE 產(chǎn)品。

華邦的 CUBE (Customized Ultra-Bandwidth Elements) 是一種針對 SoC (System on Chip) 在 DRAM 合封上遇到的挑戰(zhàn)所設(shè)計(jì)的創(chuàng)新內(nèi)存產(chǎn)品。這種緊湊超高帶寬 DRAM 專為邊緣計(jì)算領(lǐng)域設(shè)計(jì)，通過將 SoC 裸片置于 DRAM 裸片上方，CUBE 技術(shù)能夠在不采用 SoC 的 TSV (Through-Silicon Via) 工藝的同時(shí)，達(dá)到降低成本和尺寸的目的。此外，它還改進(jìn)了散熱效果，并特別適用于對低功耗、高帶寬以及中低容量內(nèi)存有需求的應(yīng)用場景。作為一種半定制化的緊湊超高帶寬 DRAM，CUBE 技術(shù)是針對當(dāng)前 SoC 在 DRAM 合封上遇到的挑戰(zhàn)而設(shè)計(jì)的創(chuàng)新產(chǎn)品。這種技術(shù)為邊緣計(jì)算和 AI 應(yīng)用領(lǐng)域提供了革新性的解決方案，標(biāo)志著華邦在內(nèi)存技術(shù)方面的重要進(jìn)步。

CUBE 利用了 3D 堆棧技術(shù)和異質(zhì)鍵合技術(shù)，優(yōu)化了在混合云和邊緣云應(yīng)用中運(yùn)行生成式 AI 的性能。它的設(shè)計(jì)目標(biāo)是滿足邊緣 AI 計(jì)算設(shè)備日益增長的需求，提供單顆 256Mb 至 8Gb 的高帶寬低功耗內(nèi)存。CUBE 還利用 3D 堆棧技術(shù)強(qiáng)化帶寬，降低數(shù)據(jù)傳輸時(shí)的電力需求。

它支持包括 chip-on-wafer、wafer-on-wafer 以及 2.5D/3D chip-on-Si-interposer 在內(nèi)的封裝技術(shù)。這些技術(shù)增強(qiáng)了前端 3D 結(jié)構(gòu)的性能，并提供了后端基板和扇出解決方案。CUBE 的設(shè)計(jì)目標(biāo)是滿足邊緣 AI 計(jì)算設(shè)備日益增長的需求，提供單顆 256Mb 至 8Gb 的高帶寬低功耗內(nèi)存解決方案。

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CUBE 的主要特性包括：

01

節(jié)省電耗：CUBE 提供卓越的電源效率，功耗低于 1pJ/bit，延長運(yùn)行時(shí)間并優(yōu)化能源使用。

02

卓越性能：其帶寬范圍在 32GB/s 至 256GB/s，遠(yuǎn)高于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

03

較小尺寸：基于 20nm 標(biāo)準(zhǔn)，提供每顆芯片 256Mb-8Gb 容量，2025 年預(yù)計(jì)將有 16nm 標(biāo)準(zhǔn)。

04

高經(jīng)濟(jì)效益、高帶寬：IO 速度可高達(dá) 2Gbps，與成熟工藝 SoC 集成時(shí)，帶寬可達(dá) 32GB/s 至 256GB/s。

CUBE 的推出是華邦電子實(shí)現(xiàn)跨平臺(tái)與接口無縫部署的重要一步，適用于包括可穿戴設(shè)備、邊緣服務(wù)器設(shè)備、監(jiān)控設(shè)備、ADAS 以及協(xié)作機(jī)器人等高級(jí)應(yīng)用。華邦電子的創(chuàng)新和合作承諾有望推動(dòng)各行業(yè)的發(fā)展，并通過 3DCaaS 平臺(tái)進(jìn)一步發(fā)揮 CUBE 的潛力。結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)，華邦能夠?yàn)樾袠I(yè)提供尖端解決方案，支持企業(yè)在 AI 驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)代蓬勃發(fā)展。

華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪對與非網(wǎng)記者介紹了 CUBE 的應(yīng)用場景及其特點(diǎn)。他指出：“華邦 CUBE 的應(yīng)用場景主要集中在邊緣計(jì)算領(lǐng)域，如 AR、VR 這類輕薄、尺寸小且需大量數(shù)據(jù)傳輸?shù)漠a(chǎn)品。此外，攝像頭等智能設(shè)備也是 CUBE 的重要應(yīng)用領(lǐng)域，未來這些設(shè)備將進(jìn)化得更智能、高清，并容納更多算法。”

關(guān)于 CUBE 的大模型應(yīng)用，朱迪補(bǔ)充道：“CUBE 也適用于大模型，特別是邊緣計(jì)算中的系統(tǒng)訓(xùn)練任務(wù)。隨著本地化計(jì)算需求增加，對內(nèi)存和存儲(chǔ)的需求、算力和帶寬需求也相應(yīng)提高。CUBE 在這方面提供了高效的解決方案。”

CUBE 的架構(gòu)不僅將 SoC 裸片置于 DRAM 裸片上方，從而減小 SoC 尺寸、降低成本，還通過華邦的 DRAM TSV 工藝將 SoC 的信號(hào)引至外部。這一設(shè)計(jì)提供了低功耗、高集成度等優(yōu)勢。

CUBE 的推出也標(biāo)志著華邦在制造和封裝領(lǐng)域的獨(dú)特能力。朱迪指出：“華邦在封裝領(lǐng)域與封裝廠合作，并提供 Die 的 TSV 穿孔技術(shù)和 Interposer，有效地幫助 3D 封裝實(shí)現(xiàn)更低的功耗和更高的集成度?！?/p>

CUBE 被視為一種服務(wù)而非單一產(chǎn)品，因?yàn)樗粌H包括存儲(chǔ)功能，還涵蓋 TSV 穿孔、硅中介層、硅電容等。朱迪解釋：“CUBE 是一套整體的解決方案，‘一站式服務(wù)’，而非單獨(dú)銷售的一個(gè)產(chǎn)品?！?/p>

華邦電子在 CUBE 技術(shù)上的創(chuàng)新，不僅是對內(nèi)存技術(shù)的重要貢獻(xiàn)，也是對邊緣計(jì)算和 AI 領(lǐng)域的重大推動(dòng)。CUBE 的發(fā)展契機(jī)在于其與邊緣側(cè)芯片性能的強(qiáng)大配合，提供非常規(guī)的內(nèi)存產(chǎn)品以支持這些強(qiáng)大的邊緣設(shè)備。華邦電子的 CUBE 架構(gòu)有望在未來的技術(shù)發(fā)展中發(fā)揮關(guān)鍵作用，推動(dòng)邊緣計(jì)算和 AI 的發(fā)展。

華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪表示，CUBE 是基于華邦多年芯片級(jí)合封技術(shù)的發(fā)展。過去的 Die-to-Die 合封技術(shù)逐漸演變?yōu)楝F(xiàn)在的 2.5D/3D 封裝技術(shù)，如 Chip on Wafer 或 Wafer on Wafer。這些技術(shù)使得 SoC 和內(nèi)存之間可以通過數(shù)千個(gè) Microbump 進(jìn)行高速、高帶寬的數(shù)據(jù)交換。CUBE 的 SoC 裸片置上、DRAM 裸片置下的設(shè)計(jì)，提供了更好的散熱效果和更優(yōu)化的封裝效果。朱迪對與非網(wǎng)記者介紹，“CUBE 技術(shù)可以理解為Chiplet，HBM 的本質(zhì)也是一樣的，它們都算是Chiplet 下面的子集。華邦在今年 2 月份加入了UCIe 這個(gè) Chiplet 聯(lián)盟，并且華邦在這個(gè)聯(lián)盟中是一個(gè)獨(dú)特的存在，也是聯(lián)盟內(nèi)唯一一個(gè)提供 CUBE 產(chǎn)品的?！?/p>

華邦電子與 UCIe 產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟

隨著摩爾定律的放緩，芯片行業(yè)面臨性能提升的挑戰(zhàn)，其中 Chiplet 技術(shù)成為一個(gè)焦點(diǎn)。然而，不是所有的集成芯片都需要使用極先進(jìn)的制程，如 5 納米或 3 納米。Chiplet 允許不同功能的芯片采用不同制程，例如運(yùn)算核心使用 5 納米，而 IO 芯片可能使用 7 納米或 12 納米，這種方法能有效降低 SoC 的成本結(jié)構(gòu)。Chiplet 的推廣和存在的價(jià)值在于，它使得不同制程的芯片能夠有效結(jié)合在一起，但如何連接這些不同制程的芯片成為關(guān)鍵問題，正是 UCIe 聯(lián)盟致力于解決的難題。

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作為 DRAM 供應(yīng)商的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，華邦從 DRAM 的角度為 Chiplet 技術(shù)的普及做出了獨(dú)特貢獻(xiàn)。Chiplet 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)包括封裝技術(shù)、連接設(shè)計(jì)和熱管理。2.5D/3D 垂直堆疊方式對封裝技術(shù)提出了更高要求，需要在更小的封裝空間內(nèi)封裝尺寸更小的芯片。同時(shí)，芯片堆疊的順序和走線方式的優(yōu)化設(shè)計(jì)是降低整體風(fēng)險(xiǎn)的關(guān)鍵。另外，散熱問題在芯片堆疊后變得更加復(fù)雜，需要采用尖端的散熱技術(shù)來保證芯片性能和壽命。

華邦電子不僅加入 UCIe 聯(lián)盟，還提供 3DCaaS (3D CUBE as a Service） 一站式服務(wù)平臺(tái)，為客戶提供 3D TSV DRAM (CUBE) KGD 內(nèi)存芯片和優(yōu)化多芯片設(shè)備的 2.5D/3D 后段工藝，如 CoW/WoW 技術(shù)。此外，華邦的合作伙伴還提供技術(shù)咨詢服務(wù)，使客戶可以輕松獲得完整的 CUBE 產(chǎn)品支持，并享受 Silicon-Cap、Interposer 等技術(shù)的附加服務(wù)。2.5D/3D 封裝技術(shù)能進(jìn)一步提升芯片性能，滿足嚴(yán)格的前沿?cái)?shù)字服務(wù)要求。隨著 UCIe 規(guī)范的普及，2.5D/3D 技術(shù)在云端到邊緣端的人工智能應(yīng)用中將發(fā)揮更重要的作用。華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪對此表示：“華邦在 UCIe 中是一個(gè)比較獨(dú)特的存在，CUBE 的概念對聯(lián)盟里的一些廠家非常具有吸引力，包括封測、主控等企業(yè)，未來合作的機(jī)會(huì)非常大，甚至現(xiàn)在既有的客戶也是這些伙伴。相信華邦能夠在這個(gè)聯(lián)盟里面發(fā)揮自己的獨(dú)特作用，能夠帶來一些新的產(chǎn)品和新的形態(tài)出現(xiàn)?！?/p>

積極開拓 AIoT、汽車新興市場

回顧2023

華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪對與非網(wǎng)記者表示，疫情期間家用電子產(chǎn)品需求增加，但隨著疫情緩解，需求開始下降。新興應(yīng)用領(lǐng)域如服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車及工業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型對存儲(chǔ)的需求仍然強(qiáng)勁。盡管市場部分電源相關(guān)組件交貨延遲，但多數(shù)存儲(chǔ)芯片供應(yīng)和交付時(shí)間已恢復(fù)正常。全球經(jīng)濟(jì)通脹導(dǎo)致存儲(chǔ)市場供應(yīng)過剩，影響消費(fèi)者和企業(yè)需求。

在 2023 年的業(yè)務(wù)表現(xiàn)中，盡管面臨全球經(jīng)濟(jì)不確定性和疫情余波，但華邦電子在 DRAM、NAND Flash 和 NOR Flash 市場中穩(wěn)定發(fā)展。隨著物聯(lián)網(wǎng)的擴(kuò)張，華邦的 3V 8Mb Serial NOR Flash 產(chǎn)品在汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域顯示出巨大潛力。由于多家廠商減產(chǎn)，市場出現(xiàn)漲價(jià)趨勢。2023 年第四季度預(yù)計(jì)為市場反彈期，庫存水位正?；髮⑦M(jìn)行市場修正。

展望2024

展望未來，華邦電子市場策略受歐盟通脹、美國加息和地緣政治等因素影響，預(yù)計(jì)在動(dòng)蕩市場環(huán)境中保持穩(wěn)定發(fā)展。華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪預(yù)測，未來市場趨勢將受多方面綜合影響，總體看宏觀經(jīng)濟(jì)狀態(tài)和大環(huán)境。公司將從 25nm 和 25Snm 制程演進(jìn)到 20nm，專注于中小容量產(chǎn)品的先進(jìn)制程。華邦將關(guān)注宏觀經(jīng)濟(jì)狀態(tài)，適應(yīng)市場需求變化，致力于技術(shù)創(chuàng)新和市場拓展，尤其在 AIoT 和電動(dòng)汽車等新興市場。

據(jù)介紹，華邦電子積極適應(yīng)市場變化，2023 年在汽車領(lǐng)域取得不小成績。華邦電子獲得 ISO/SAE 21434 道路車輛網(wǎng)絡(luò)安全管理體系認(rèn)證，展現(xiàn)其在汽車網(wǎng)絡(luò)安全領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該認(rèn)證涵蓋汽車設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)到使用和報(bào)廢的整個(gè)生命周期，強(qiáng)調(diào)信息安全在抵御網(wǎng)絡(luò)攻擊中的重要性。華邦的 TrustME W77Q 安全閃存已獲多項(xiàng)安全認(rèn)證，滿足汽車系統(tǒng)的人車安全和網(wǎng)絡(luò)安全需求。2024 年，華邦電子計(jì)劃進(jìn)行關(guān)鍵技術(shù)升級(jí)，將 NOR Flash 產(chǎn)品從 58nm 升級(jí)到 45nm，并在高雄廠量產(chǎn) 20nm 大容量 DDR4 產(chǎn)品。公司還將發(fā)展 2Gbit 和 4Gbit 高容量 Flash 產(chǎn)品，豐富 1.2V 產(chǎn)品線。面對 DDR3 停產(chǎn)情況，華邦將繼續(xù)生產(chǎn)并計(jì)劃 2025 年升級(jí)至 16nm。

綜上，華邦電子預(yù)計(jì)在 2024 年將繼續(xù)強(qiáng)化其市場地位，通過技術(shù)創(chuàng)新和市場適應(yīng)力，在全球存儲(chǔ)解決方案市場保持領(lǐng)先。