標題為“電源門控”的文章演示了電源門控單元的實現(xiàn)以及它如何幫助最大限度地減少 SoC 的泄漏功耗。其基本原理是切斷從電池(VDD)到接地(GND)的直接路徑。雖然有效地節(jié)省泄漏功率,實施討論遭受一個主要的缺點!它不挽留的狀態(tài)!這意味著,一旦SoC的功率恢復,功率門控單元的輸出將變?yōu)椤癤”。你不能確定它是邏輯1還是邏輯0。在乎嗎是的!因為如果這個X傳播到設計中,整個設備就可能進入亞穩(wěn)態(tài)!為了防止這種災難性的情況:系統(tǒng)軟件可以簡單地重置SoC。這將從頭啟動,并確保所有設備都已初始化。
這意味著,每次我決定給我的SoC的一部分供電時,一旦恢復電源,我就必須重新設置那個電源門控部分。這對上一篇文章中討論的電源門的應用施加了嚴重的限制。設計一個保持狀態(tài)的電源門怎么樣?但要說服自己,為了做到這一點,你需要花費,雖然很小,一些泄漏功率。我們把這個結(jié)構(gòu)稱為:狀態(tài)保持偽功率門。術(shù)語“偽”意味著它將消耗一點泄漏功率,而不是先前的結(jié)構(gòu)。但與此同時,您不再需要重置SoC的電源門控部分,因為標準單元保留了它們以前的數(shù)據(jù)!!不說了!下面我們來討論一下實現(xiàn)。
以上電路有兩部分。
·紅色橢圓形內(nèi)部的結(jié)構(gòu)與普通的功率門控結(jié)構(gòu)相同。
·綠框內(nèi)的一個(右邊)是使該設備保持其狀態(tài)所需的附加電路。
操作:在進入睡眠模式之前,設備的輸出為邏輯1。進入睡眠模式(關(guān)閉電源)后,睡眠晶體管開始工作,并切斷設備的電源和接地軌,從而節(jié)省泄漏功率。但是右邊的邏輯(在綠色矩形中)仍然是ON!反相器的輸出現(xiàn)在將變成OUTPUT’,即邏輯0。這將反過來使PMOS晶體管Q1和輸出將恢復到邏輯1。
當輸出在電源門控之前為邏輯0時,情況也是如此。在這種情況下,NMOS晶體管Q0將起作用,以幫助輸出節(jié)點保留其數(shù)據(jù)。
請注意:在此期間,當設備處于睡眠模式時,輸出節(jié)點將繼續(xù)泄漏。通過添加額外的電路,如圖所示,我們基本上是試圖創(chuàng)建一個反饋回路,這再次有助于保持狀態(tài)。命中,當然是4個晶體管的泄漏功率。然而,標準單元邏輯(紅色橢圓形)通常是笨重的。即使是一個簡單的雙輸入"與非"門本身也有4個晶體管。而更高階的輸入會有更多!同樣的技術(shù)可以應用于任何順序的設備,如觸發(fā)器,鎖存器,甚至時鐘門控集成單元。
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:博文速遞:State Retention Power Gating
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