適用于PLC的MRAM HS4MANSQ1A-DS1

PLC是工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)的核心組成部分，PLC在工作過程中將實(shí)時(shí)產(chǎn)生過程和結(jié)果數(shù)據(jù)，需要存儲(chǔ)器具有快速讀寫及百億次擦寫壽命等特性，該存儲(chǔ)需求超出了常規(guī)非易失存儲(chǔ)器的能力。

MRAM的擦寫壽命高達(dá)萬億次，可支持連續(xù)20年毫秒級(jí)間隔的擦寫操作。還具有納秒級(jí)高速寫入特性，可以在異常掉電瞬間完整地保存PLC產(chǎn)生的過程和結(jié)果數(shù)據(jù)，而無需備份電池。非常適合工控場(chǎng)景需求，并且可以替代現(xiàn)有的備用電池方案。

MRAM HS4MANSQ1A-DS1容量為4Mbit，支持SPI/QPI(串行單線/四線接口)模數(shù)。芯片可配置為1位I/O獨(dú)立接口或4位I/O通用接口，SOP8封裝，由于在存儲(chǔ)器陣列中采用MRAM技術(shù)，存儲(chǔ)陣列中的數(shù)據(jù)將保持10年以上，可以保證PLC系統(tǒng)長(zhǎng)期穩(wěn)定的運(yùn)行。

HS4MANSQ1A-DS1封裝圖

低功耗是PLC系統(tǒng)重要指標(biāo)之一，MRAM HS4MANSQ1A-DS1單一電源VCC僅3.3V，待機(jī)電流只有2mA，休眠電流僅有2μA，可以很好的節(jié)省系統(tǒng)功耗。從耐久度上來看，HS4MANSQ1A-DS1在105℃環(huán)境下數(shù)據(jù)可以保留10年以上，85℃環(huán)境下數(shù)據(jù)可以保留20年以上，性能遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)非易失閃存的使用壽命，由此可見，國芯思辰MRAM HS4MANSQ1A-DS1非常適合PLC系統(tǒng)。

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