SK海力士2024年第一季度將調(diào)整DRAM減產(chǎn)計(jì)劃

據(jù)路透社等外媒報(bào)道，近日在CES 2024展會(huì)期間，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士舉辦了一場(chǎng)新聞發(fā)布會(huì)，展示了其在人工智能（AI）領(lǐng)域的技術(shù)和發(fā)展計(jì)劃。SK海力士社長(zhǎng)兼CEO Kwak Noh-Jung表示，由于人工智能需求的增長(zhǎng)，公司市值預(yù)計(jì)在未來3年內(nèi)翻倍，從當(dāng)前的100萬億韓元增至200萬億韓元。

盡管在2023年面臨存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)下滑和價(jià)格下跌，SK海力士因應(yīng)人工智能芯片需求的增長(zhǎng)，尤其是高帶寬內(nèi)存（HBM）的激增，于去年12月成功超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子，躍居韓國(guó)第二大市值的位置。

去年，面對(duì)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求下滑，包括SK海力士在內(nèi)的上游存儲(chǔ)芯片制造商紛紛減產(chǎn)。然而，隨著去年第四季度存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的復(fù)蘇，Kwak Noh-Jung表示公司可能在2024年第一季度調(diào)整DRAM的減產(chǎn)計(jì)劃，并在上半年后對(duì)NAND Flash市場(chǎng)采取類似措施。

Kwak Noh-Jung指出，雖然DRAM已現(xiàn)復(fù)蘇跡象，但NAND Flash的復(fù)蘇速度相對(duì)較慢。

在發(fā)布會(huì)上，SK海力士進(jìn)一步表示，公司在HBM市場(chǎng)份額和技術(shù)研發(fā)方面領(lǐng)先。計(jì)劃推出高性能產(chǎn)品，包括HBM3和HBM3E，以及最大容量的服務(wù)器存儲(chǔ)器TSV DIMM、移動(dòng)存儲(chǔ)器LPDDR5 Turbo和服務(wù)器DIMM等。此外，還將推出專注于帶寬的HBM4和HBM4E等產(chǎn)品，以進(jìn)一步鞏固在人工智能時(shí)代的領(lǐng)先地位。

為滿足爆炸性增長(zhǎng)的人工智能存儲(chǔ)器需求，SK海力士正在建設(shè)一個(gè)占地超過415萬平方米的新存儲(chǔ)芯片制造基地，預(yù)計(jì)投資額超過120萬億韓元（927億美元）。這一龐大產(chǎn)能將使SK海力士能夠持續(xù)為客戶提供服務(wù)并及時(shí)交付產(chǎn)品。

審核編輯：黃飛