近日,國內(nèi)有2個氮化鎵項目公布新進(jìn)展,合計投資金額達(dá)6000萬元。
遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)、江南大學(xué)
新增2個GaN射頻項目
近日,新增的2個GaN相關(guān)項目的實施主體分別為遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)、江南大學(xué),合計投資金額達(dá)6000萬元。
●遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)GaN射頻項目
1月9日,蘇州遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技有限公司對外公示了《年產(chǎn)GaN及LDMOS射頻高功率半導(dǎo)體封裝器件100萬顆項目》的環(huán)保驗收情況,公示期為2024年1月4日-2月1日。
據(jù)了解,該項目總投資3500萬元,建設(shè)于蘇州工業(yè)園區(qū),項目建成后,將年產(chǎn)100萬顆GaN及LDMOS射頻高功率半導(dǎo)體封裝器件。
蘇州遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技有限公司成立于2008年8月,主要從事射頻高功率LDMOS半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)品的開發(fā)和生產(chǎn)?!靶屑艺f三代半”了解到,蘇州遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技的主要供應(yīng)商是蘇州英諾迅科技股份有限公司。
●江南大學(xué)獲批GaN重點項目
近日,江蘇省2023年度項目立項名單公示,其中江南大學(xué)“氮化鎵微波毫米波無線能量轉(zhuǎn)換芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”項目獲得立項,項目總預(yù)算2500萬元,省財經(jīng)費支持1000萬元。
據(jù)介紹,該項目由江南大學(xué)物聯(lián)網(wǎng)工程學(xué)院敖金平教授團(tuán)隊牽頭組織,聯(lián)合蘇州實驗室、蘇州納維科技有限公司、中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、無錫華潤安盛科技有限公司、南京大學(xué)、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司共同參與,擬在氮化鎵基微波毫米波無線能量轉(zhuǎn)換芯片相關(guān)方面取得突破性進(jìn)展,實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)從“實驗室”走向“生產(chǎn)線”。
目前,江南大學(xué)建有寬帶隙/超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件實驗室,擁有材料生長和器件工藝超凈間,器件制備用的光刻機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、磁控濺射臺、快速熱退火系統(tǒng)等全套工藝設(shè)備,具有完整的材料生長、器件制備及測試評價能力。
2024年以來
還有3起GaN項目公布動態(tài)
今年1月,國內(nèi)還有3起GaN項目同時迎來新動態(tài):
● 芯睿半導(dǎo)體氮化鎵晶圓廠項目:該項目簽約落地福州新區(qū),由福建芯睿半導(dǎo)體有限公司建設(shè)。目前該項目還未披露更多信息,“行家說三代半”將持續(xù)跟進(jìn)該項目進(jìn)展,敬請關(guān)注。
● 福州半導(dǎo)體氮化鎵外延片項目:該項目簽約落地福州新區(qū),由福州鎵谷半導(dǎo)體有限公司建設(shè),主營第三代半導(dǎo)體的研發(fā)與生產(chǎn),預(yù)計投入10億元,用地86畝,達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能24萬片,產(chǎn)值數(shù)十億元,上市市值可達(dá)數(shù)百億元。
● 國微納總部項目:該項目簽約落地蘇州高新區(qū),由蘇州國微納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司建設(shè),總投資近7億元,旨在打造第三代半導(dǎo)體氮化鎵及碳化硅外延設(shè)備總部基地。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:6000萬!又增2個氮化鎵項目
文章出處:【微信號:SiC_GaN,微信公眾號:行家說三代半】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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