1月11日,日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子和氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議,根據(jù)協(xié)議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)Transphorm,較Transphorm 在1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%,總估值約為3.39億美元(當(dāng)前約為24.08億人民幣)。
該交易預(yù)計(jì)將于2024年下半年完成,具體取決于Transphorm股東的批準(zhǔn)、所需的監(jiān)管許可以及其他慣例成交條件的滿足。
公告稱,此次收購(gòu)將為瑞薩電子提供自主的GaN技術(shù),從而將其業(yè)務(wù)范圍擴(kuò)大到電動(dòng)汽車、計(jì)算(數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施)、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)。
瑞薩現(xiàn)在計(jì)劃通過(guò)整合Transphorm在GaN方面的專業(yè)知識(shí),進(jìn)一步擴(kuò)大其WBG產(chǎn)品組合,GaN是一種新興材料,可以實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的功率損失和更小的尺寸。這些優(yōu)勢(shì)使客戶的系統(tǒng)具有更高的效率、更小更輕的組成以及更低的總體成本。
瑞薩首席執(zhí)行官Hidetoshi Shibata表示:“Transphorm公司是一家由在GaN功率領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富的團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)的獨(dú)特公司,其源于加利福尼亞大學(xué)圣巴巴拉分校,” “引入Transphorm的GaN技術(shù)將在我們?cè)?a target="_blank">IGBT和SiC方面的勢(shì)頭上構(gòu)建,它將作為增長(zhǎng)的關(guān)鍵支柱,推動(dòng)和擴(kuò)展我們的電源產(chǎn)品組合,為客戶提供選擇最佳電源解決方案的完整能力?!?/p>
Transphorm的聯(lián)合創(chuàng)始人、總裁兼首席執(zhí)行官Dr. Primit Parikh和聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Dr. Umesh Mishra表示:“結(jié)合瑞薩的全球影響力、豐富的解決方案和客戶關(guān)系,我們很高興為全行業(yè)采用WBG材料鋪平道路,并為顯著增長(zhǎng)創(chuàng)造條件。此次交易還將使我們能夠?yàn)榭蛻籼峁┻M(jìn)一步擴(kuò)展的服務(wù),并為我們的股東提供顯著的即時(shí)現(xiàn)金價(jià)值,” “此外,它將為我們卓越的團(tuán)隊(duì)提供一個(gè)強(qiáng)大的平臺(tái),進(jìn)一步推動(dòng)Transphorm的領(lǐng)先GaN技術(shù)和產(chǎn)品?!?/p>
審核編輯:黃飛
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原文標(biāo)題:24億!瑞薩收購(gòu)!
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