安建半導(dǎo)體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

產(chǎn)品介紹

安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過(guò)獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性?xún)r(jià)比高。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 開(kāi)關(guān)速度快

●柵極電荷低

● 雪崩耐量高

● 短路能力強(qiáng)

● 可靠性高

應(yīng)用領(lǐng)域

● 電動(dòng)汽車(chē)

● 太陽(yáng)能逆變器

● 儲(chǔ)能系統(tǒng)

● 不間斷電源

產(chǎn)品性能

安建半導(dǎo)體對(duì)此款自研SiC MOSFET產(chǎn)品做了動(dòng)靜態(tài)、短路、雪崩耐量（UIS），可靠性等測(cè)試，性能參數(shù)與國(guó)際競(jìng)品相當(dāng)。雪崩耐量為國(guó)際知名品牌同規(guī)格產(chǎn)品的200%，在短路時(shí)間3us下可安全關(guān)斷800A電流。此外，該款芯片已通過(guò)1000h可靠性考核。

靜態(tài)輸出特性：

開(kāi)關(guān)波形：

UIS波形：

安建半導(dǎo)體1200V-17mΩ SiC MOSFET具備如下優(yōu)異性能：

● 通過(guò)設(shè)計(jì)上的優(yōu)化，確保具有穩(wěn)定的擊穿特性，增強(qiáng)UIS能力。

● 在短路時(shí)間3us下安全關(guān)斷800A電流。

● 已通過(guò)國(guó)際最高標(biāo)準(zhǔn)的1000小時(shí)HTRB、HTGB、HV-H3TRB等可靠性考核。

安建半導(dǎo)體即將推出兼容國(guó)際一線(xiàn)品牌封裝的SiC模塊，敬請(qǐng)期待！

安建半導(dǎo)體致力于為客戶(hù)提供國(guó)際一流、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件，如需樣品，歡迎與我們聯(lián)系。

審核編輯：湯梓紅