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什么是光敏電阻器、LDR 或光敏電阻器

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:electronics-notes ? 作者:electronics-notes ? 2024-01-30 11:39 ? 次閱讀

光相關(guān)電阻器、LDR 或光敏電阻器是電子元件,通常用于電子電路設(shè)計(jì)中,需要檢測(cè)光的存在或水平。

LDR與其他形式的電阻器(如碳膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、金屬膜電阻器等)有很大不同,這些電阻器廣泛用于其他電子設(shè)計(jì)。它們專為其光敏性和由此引起的電阻變化而設(shè)計(jì)。

這些電子元件可以用各種名稱來描述,包括光敏電阻器、LDR、光敏電阻器,甚至光電管、光電管或光電導(dǎo)體。

雖然也可以使用其他電子元件,如光電二極管或光電晶體管,但LDR或光敏電阻在許多電子電路設(shè)計(jì)中特別方便使用。它們?yōu)楣庹账降淖兓峁┝撕艽蟮碾娮枳兓?/p>

鑒于其低成本、易于制造和易于使用,LDR 已被用于各種不同的應(yīng)用。LDR 曾一度用于照相測(cè)光表,即使是現(xiàn)在,它們?nèi)匀挥糜谛枰獧z測(cè)光照水平的各種應(yīng)用中。

什么是光敏電阻器、LDR 或光敏電阻器

光敏電阻或光相關(guān)電阻是對(duì)光敏感的電子元件。當(dāng)光線落在它上面時(shí),電阻就會(huì)發(fā)生變化。LDR 的電阻值可能會(huì)在許多數(shù)量級(jí)上發(fā)生變化,電阻值會(huì)隨著光水平的增加而下降。

LDR 或光敏電阻的電阻值在黑暗中為幾兆歐,然后在明亮的光線下下降到幾百歐姆的情況并不少見。

由于電阻變化如此之大,LDR 易于使用,并且有許多 LDR 電路可用。光敏電阻或光敏電阻的靈敏度也隨入射光的波長(zhǎng)而變化。

LDR 由半導(dǎo)體材料制成,使其具有光敏特性。可以使用許多材料,但這些光敏電阻的一種流行材料是硫化鎘 CdS,盡管由于使用鎘的環(huán)境問題,這些電池的使用現(xiàn)在在歐洲受到限制。

同樣,其他鎘基半導(dǎo)體材料,如鎘、碲化鎘,也受到限制。其他可以使用的材料包括硫化鉛、PbS 和銻化銦、InSb。

雖然這些光敏電阻使用半導(dǎo)體材料,但它們是純粹的無源器件,因?yàn)樗鼈儾痪哂蠵N結(jié),這將它們與其他光電探測(cè)器(如光電二極管和光電晶體管)區(qū)分開來。

LDR / 光敏電阻符號(hào)

電子電路中使用的LDR符號(hào)基于電阻電路符號(hào),但以箭頭的形式顯示光。通過這種方式,它遵循與光電二極管和光電晶體管電路符號(hào)相同的約定,其中箭頭用于表示落在這些組件上的光。

light-dependent-resistor-photoresistor-circuit-symbol.svg

光敏電阻/光敏電阻電路符號(hào)

新型電阻器符號(hào)(即矩形框)和較舊的鋸齒形線電阻器電路符號(hào)都顯示了光敏電阻器/光敏電阻器電路符號(hào)。

通常,光相關(guān)電阻器符號(hào)可能沒有圓圈。這通常在電子電路原理圖上完成,以節(jié)省空間并減少圖上的線和圓的數(shù)量,以重新增加復(fù)雜性。

LDR 的工作原理

在不深入研究復(fù)雜解釋的情況下,理解 LDR 工作原理的基礎(chǔ)知識(shí)相對(duì)容易。首先有必要了解電流由電子在材料內(nèi)的運(yùn)動(dòng)組成。

良導(dǎo)體具有大量的自由電子,這些自由電子可以在電位差的作用下沿給定方向漂移。具有高電阻的絕緣體的自由電子很少,因此很難使它們移動(dòng),因此很難有電流流動(dòng)。

LDR 或光敏電阻器由任何具有高電阻的半導(dǎo)體材料制成。它具有很高的電阻,因?yàn)楹苌儆须娮邮亲杂傻牟⑶夷軌蛞苿?dòng)——絕大多數(shù)電子被鎖定在晶格中并且無法移動(dòng)。因此,在這種狀態(tài)下,LDR電阻很高。

當(dāng)光落在半導(dǎo)體上時(shí),光子被半導(dǎo)體晶格吸收,它們的一些能量被傳遞到電子上。

傳遞給電子的能量使其中一些電子有足夠的能量從晶格中掙脫出來,這樣它們就可以導(dǎo)電。這導(dǎo)致半導(dǎo)體電阻降低,從而降低整體LDR電阻。

這個(gè)過程是漸進(jìn)的,隨著更多的光照射在LDR半導(dǎo)體上,更多的電子被釋放出來導(dǎo)電,電阻進(jìn)一步下降。

光敏電阻/LDR結(jié)構(gòu)式

在結(jié)構(gòu)上,光敏電阻是一種光敏電阻,具有暴露在光線下的水平體。

光敏電阻的基本格式如下所示:

resistor-light-dependent-photoresistor-structure-02.svg

光敏電阻結(jié)構(gòu)

有源半導(dǎo)體區(qū)域通常沉積在半絕緣襯底上,而有源區(qū)域通常被輕摻雜。

在許多分立式光敏電阻器件中,使用指間圖案來增加光敏電阻暴露在光線下的面積。圖案在活動(dòng)區(qū)域表面的金屬化中切割,這樣可以讓光線通過。兩個(gè)金屬化區(qū)域充當(dāng)電阻器的兩個(gè)觸點(diǎn)。該面積必須做得相對(duì)較大,因?yàn)樾枰獙⒔佑|對(duì)有源區(qū)域的電阻降至最低。

resistor-light-dependent-photoresistor-structure-01.svg

光敏電阻結(jié)構(gòu)顯示指間圖案,以最大限度地?cái)U(kuò)大暴露面積。

這種類型的結(jié)構(gòu)廣泛用于許多可見的小型光敏電阻或光敏電阻。趾間模式非常容易識(shí)別。

光敏電阻使用的材料是半導(dǎo)體,包括 CdSe、CdS、CdTe、InSb、InP、PbS、PbSe、Ge、Is、GaAs 等材料。每種材料在靈敏度波長(zhǎng)等方面具有不同的特性。

鑒于使用鎘的環(huán)境問題,這種材料在歐洲沒有用于任何產(chǎn)品,全球?qū)@種半導(dǎo)體的使用量已大大減少。

光敏電阻的種類

光相關(guān)電阻器、LDR 或光敏電阻器分為以下兩種類型或類別之一:

本征光敏電阻:本征光敏電阻使用未摻雜的半導(dǎo)體材料,包括硅或鍺。落在LDR上的光子激發(fā)電子,將它們從價(jià)帶移動(dòng)到導(dǎo)帶。

因此,這些電子可以自由導(dǎo)電。落在設(shè)備上的光越多,釋放的電子就越多,電導(dǎo)率水平就越高,這會(huì)導(dǎo)致較低的電阻水平。

外在光敏電阻:外在光敏電阻由摻雜雜質(zhì)的材料制成的半導(dǎo)體。這些雜質(zhì)或摻雜劑在現(xiàn)有價(jià)帶上方形成新的能量帶。

因此,由于能隙較小,電子需要較少的能量才能轉(zhuǎn)移到導(dǎo)帶。

無論光敏電阻或光敏電阻的類型如何,這兩種類型的電阻都會(huì)隨著入射光水平的增加而增加或電阻下降。

LDR 頻率依賴性

光敏電阻的靈敏度隨影響器件敏感區(qū)域的光的波長(zhǎng)而變化。效果非常明顯,發(fā)現(xiàn)如果波長(zhǎng)超出給定范圍,則沒有明顯的效果。

由不同材料制成的設(shè)備對(duì)不同波長(zhǎng)的光有不同的響應(yīng),這意味著不同的電子元件可以用于不同的應(yīng)用。

還發(fā)現(xiàn)外在光敏電阻往往對(duì)較長(zhǎng)波長(zhǎng)的光更敏感,可用于紅外線。然而,在使用紅外線時(shí),必須注意避免熱量積聚,但輻射會(huì)引起興高采烈的效果。

光敏電阻/光相關(guān)電阻延遲

與光敏電阻或光相關(guān)電阻器相關(guān)的一個(gè)重要方面是延遲,即電子元件響應(yīng)任何變化所需的時(shí)間。這方面對(duì)于電路設(shè)計(jì)尤為重要。

在LDR/光敏電阻達(dá)到新光水平的最終值之前,光水平的任何變化都需要相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間,因此,在光值變化相當(dāng)快的情況下,LDR/光敏電阻不是一個(gè)好的選擇。然而,當(dāng)光線變化在一段時(shí)間內(nèi)發(fā)生時(shí),它們就足夠了。

電阻變化的速率稱為電阻恢復(fù)速率。LDR/光敏電阻通常在完全黑暗后施加光時(shí)在幾十毫秒內(nèi)做出反應(yīng),但當(dāng)光被移除時(shí),電阻可能需要長(zhǎng)達(dá)一秒鐘左右的時(shí)間才能達(dá)到其最終水平。

正是出于這個(gè)原因,光敏電阻的電子元件數(shù)據(jù)表中通常引用的規(guī)格之一是給定時(shí)間(通常以秒為單位)后的暗電阻。通常引用兩個(gè)值,一個(gè)表示一秒,另一個(gè)表示五秒。這些給出了電阻器延遲的指示。

光敏電阻應(yīng)用

光敏電阻可用于許多不同的應(yīng)用,并且可以在許多不同的電子電路設(shè)計(jì)中看到。它們具有非常簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu),并且是低成本且堅(jiān)固耐用的設(shè)備。

它們廣泛用于許多不同的電子設(shè)備和電路設(shè)計(jì),包括照相測(cè)光表、火災(zāi)或煙霧報(bào)警器以及防盜報(bào)警器,它們還用作路燈的照明控制。

外在光敏電阻器為更長(zhǎng)的波長(zhǎng)提供靈敏度,因此它們?cè)诟鞣N電子電路設(shè)計(jì)中作為紅外光電探測(cè)器很受歡迎。光敏電阻也可用于檢測(cè)核輻射。

LDR 電路

有許多電路用于光相關(guān)電阻器。這些LDR電路可以基于雙極晶體管、FET運(yùn)算放大器等。

然而,大多數(shù)LDR電路的基礎(chǔ)是分電位器,然后可以與其他各種電路一起使用,以根據(jù)需要處理電壓。

基本電位分壓器由兩個(gè)串聯(lián)電阻器組成,其中一端通常連接到固定電位,另一端連接到地。

resistor-light-dependent-ldr-potential-divider-circuit-01.svg

使用電位分壓器的基本LDR電路

使用以下公式計(jì)算輸出電壓非常簡(jiǎn)單。

Vout=Vin(R2R1+R2) ?外=?在(?2?1+?2)

注意:這假設(shè)分電位器電路在輸出端沒有對(duì)電壓產(chǎn)生重大影響的負(fù)載。通常,高阻抗 laod 將意味著電路將按預(yù)期運(yùn)行,否則負(fù)載和 R2應(yīng)計(jì)算在 parellel 中,以形成電位分隔器下肢的整體阻力。

可以看出,如果光相關(guān)電阻器是,例如R2,然后隨著它的變化,電位分壓器的輸出電壓也會(huì)發(fā)生變化。

然后,該輸出電壓可以連接到晶體管、FET、運(yùn)算放大器或其他合適的電路。它可以用來放大差異,也可以以各種方式用于許多其他電路之一。

例如,如果LDR在低光照條件下為50kΩ,在照明時(shí)為2kΩ,并且分電位器由10 V供電,電阻R1為10kΩ,則假設(shè)無負(fù)載,輸出電壓將在低光照條件下的8.33V和全光條件下的0.166V之間變化。

該電壓可以很容易地饋入比較器或其他合適的電路,然后用于驅(qū)動(dòng)邏輯線,該邏輯線可以以某種方式用于處理。

光相關(guān)電阻器規(guī)格

在考慮在任何電子電路設(shè)計(jì)中使用 LDR/光敏電阻器時(shí),有幾個(gè)規(guī)格對(duì)于光敏電阻器很重要。

這些光敏電阻規(guī)格包括:

LDR/光敏電阻的主要規(guī)格
參數(shù)
最大功耗 這是器件在給定溫度范圍內(nèi)能夠耗散的最大功率。在一定溫度以上可能適用降額。
最大工作電壓 特別是由于該器件是基于半導(dǎo)體的,因此必須遵守最大工作電壓。這通常指定為 0 勒克斯,即黑暗。
峰值波長(zhǎng) 該光敏電阻規(guī)格詳細(xì)說明了最大靈敏度的波長(zhǎng)。在某些情況下,可以為整體響應(yīng)提供曲線。波長(zhǎng)以 nm 為單位指定
照明時(shí)的電阻 光照下的電阻是一個(gè)關(guān)鍵規(guī)格,是任何光敏電阻的關(guān)鍵參數(shù)。通常在某些光照條件下給出最小和最大電阻,通常為 10 勒克斯。由于可能遇到的點(diǎn)差,可能會(huì)給出最小值和最大值。在極端照明下,例如100lux,也可以給出“完全開啟”的條件。
暗抗性 將給出光敏電阻的暗電阻值。這些可以在給定時(shí)間后指定,因?yàn)楫?dāng)電荷載流子重新組合時(shí),電阻需要一段時(shí)間才能下降 - 光敏電阻以其緩慢的響應(yīng)時(shí)間而著稱。
典型的光相關(guān)電阻器,LDR/光敏電阻的規(guī)格可以是:
光敏電阻規(guī)格示例
參數(shù) 示例圖
最大功耗 200毫瓦
最大電壓 @ 0 lux 200伏
峰值波長(zhǎng) 600納米
最小電阻 @ 10lux 1.8kΩ
最大電阻 @ 10lux 4.5kΩ
典型電阻 @ 100lux 0.7kΩ
1秒后暗抗性 0.03MΩ
5秒后暗抗性 0.25MΩ
LDR 是非常有用的電子元件,可用于各種光傳感應(yīng)用及其相關(guān)的電子電路設(shè)計(jì)。由于 LDR 電阻在如此寬的范圍內(nèi)變化,因此它們特別有用,并且有許多可用的 LDR 電路設(shè)計(jì)。

光相關(guān)電阻器被廣泛使用,盡管它們的性能相當(dāng)緩慢,但它們?nèi)匀惶峁┝说蛬雰捍?,但有效的方法來檢測(cè)光和一般光照水平。

審核編輯:黃飛

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