臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利

據(jù)臺(tái)積電供應(yīng)鏈合作伙伴表示，臺(tái)積電將如期采用GAA（全柵極環(huán)繞）技術(shù)來生產(chǎn)2nm制程節(jié)點(diǎn)，位于新竹科學(xué)園區(qū)的寶山P1晶圓廠，最早將于4月份開始安裝設(shè)備，P2工廠和高雄工廠將于2025年開始生產(chǎn)采用GAA技術(shù)的2nm制程芯片。

由于臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利，寶山、高雄新晶圓廠的建設(shè)也在順利進(jìn)行中。臺(tái)中科學(xué)園區(qū)已初步規(guī)劃A14和A10生產(chǎn)線，將視市場(chǎng)需求決定是否新增2nm制程工藝。

關(guān)于臺(tái)中晶圓廠二期項(xiàng)目，臺(tái)積電仍在評(píng)估客戶需求，并將在2027年決定該廠將采用2nm還是A14工藝節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電2nm技術(shù)的順利開展，也為ASML、應(yīng)用材料以及多家中國(guó)臺(tái)灣供應(yīng)商帶來商機(jī)。

2023年第三季度，臺(tái)積電3nm工藝節(jié)點(diǎn)的營(yíng)收占比約為6%左右，到目前為止3nm月產(chǎn)能已逐步增加到10萬片，預(yù)計(jì)2024年對(duì)收入的貢獻(xiàn)比重將更高。3nm節(jié)點(diǎn)中，繼N3B之后，性能更好的N3E于2023年第四季度開始量產(chǎn)，此外N3P、N3X工藝也將滿足各類客戶的需求。

關(guān)于臺(tái)積電2nm技術(shù)，預(yù)計(jì)將于2025年量產(chǎn)，客戶對(duì)其興趣濃厚，特別是在HPC高性能計(jì)算、智能手機(jī)這兩項(xiàng)應(yīng)用領(lǐng)域。目前英特爾已經(jīng)取得ASML首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，每臺(tái)價(jià)值約4億歐元。盡管臺(tái)積電尚未公布這類設(shè)備的采購計(jì)劃，但最新光刻機(jī)是實(shí)現(xiàn)2nm制程工藝所必需的。

審核編輯：黃飛