MRAM HS4MANSQ1A-DS1可用于工業(yè)控制存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)

工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)存在大量實(shí)時(shí)控制設(shè)備，這些設(shè)備需要實(shí)時(shí)快速的保存設(shè)備狀態(tài)、系統(tǒng)日志等關(guān)鍵數(shù)據(jù)。工控設(shè)備還需要應(yīng)對(duì)高溫、震動(dòng)等惡劣環(huán)境的考驗(yàn)。此外，為了避免異常掉電造成的數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題，工控設(shè)備通常還需使用備用電池。

MRAM具有納秒級(jí)高速寫(xiě)入、萬(wàn)億次擦寫(xiě)壽命和寬工作溫區(qū)等高性能及高可靠特性，非常適合工控場(chǎng)景需求，并且可以替代現(xiàn)有的備用電池方案。

HS4MANSQ1A-DS1是一個(gè)4M的SPI/QPI(串行單線(xiàn)/四線(xiàn)接口)MRAM 器件，該芯片可配置為1位I/O獨(dú)立接口或4位I/O通用接口，數(shù)據(jù)可以保持 10年以上。HS4MANSQ1A-DS1的工作溫度: -40℃~125℃，適用于低電壓工作，休眠電流僅2μA，待機(jī)電流2mA，非常適合用于工業(yè)控制程序中存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)。

HS4MANSQ1A-DS1快速的SPI接口：

?支持標(biāo)準(zhǔn)SPI, Quad SPI, QPI模式

?高達(dá)200MHz時(shí)鐘頻率@SPI SDR寫(xiě)

?高達(dá)100MHz時(shí)鐘頻率@SPI SDR讀

?高達(dá)60MHz時(shí)鐘頻率@Quad SPI SDR寫(xiě)

?高達(dá)100MHz時(shí)鐘頻率@Quad SPI SDR讀

?高達(dá)60MHz時(shí)鐘頻率@QPI SDR寫(xiě)

?高達(dá)100MHz時(shí)鐘頻率@QPI SDR讀

?寫(xiě)操作沒(méi)有延遲

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