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英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-02-01 10:51 ? 次閱讀

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。

CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列的一大亮點在于其采用了英飛凌獨有的.XT互聯(lián)技術(shù)。這一技術(shù)不僅增強了產(chǎn)品的輸出電流能力,提高了效率,而且還有助于提高產(chǎn)品的可靠性。

在電動汽車、充電設(shè)備和可再生能源系統(tǒng)中,高壓功率轉(zhuǎn)換是至關(guān)重要的。而SiC MOSFET由于其高效的能量轉(zhuǎn)換和高溫穩(wěn)定性,在這些領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列的出現(xiàn),將進一步推動這些領(lǐng)域的技術(shù)進步和性能提升。

英飛凌作為全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應(yīng)商,始終致力于創(chuàng)新和突破,以滿足市場對高效、可靠和緊湊的電子解決方案的需求。此次推出的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,再次證明了英飛凌在技術(shù)上的領(lǐng)先地位和對市場需求的深度理解。

未來,隨著電動汽車和可再生能源市場的不斷擴大,對高壓功率轉(zhuǎn)換器件的需求將進一步增加。英飛凌將繼續(xù)推出更多創(chuàng)新的產(chǎn)品,為用戶提供更加完善的解決方案,推動各行業(yè)的發(fā)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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