臺(tái)積電2納米進(jìn)展超預(yù)期，首季業(yè)績(jī)或優(yōu)于預(yù)期

臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)報(bào)道，半導(dǎo)體業(yè)界消息人士指出，臺(tái)積電現(xiàn)有的制程產(chǎn)能利用率已經(jīng)全面恢復(fù)，2 納米項(xiàng)目亦進(jìn)展超出預(yù)期。今年首季度除 8 英寸產(chǎn)能逐漸回復(fù)外，12 英寸產(chǎn)能利用率達(dá)到了80%以上，特別是5/4 納米制程保持了高負(fù)荷運(yùn)營(yíng)狀態(tài)。

在價(jià)格高達(dá)兩萬(wàn)美元的 3 納米（N3B、N3E）制程方面，臺(tái)積電的產(chǎn)能利用率已從去年底的75%躍升至95%，預(yù)估今年首季度月產(chǎn)量可達(dá)10萬(wàn)片，業(yè)績(jī)表現(xiàn)有望超越市場(chǎng)預(yù)期。

據(jù)悉，臺(tái)積電的3 納米工藝將在2023年下半年以N3B為主，單月產(chǎn)能由之前的約6萬(wàn)片提高至8萬(wàn)片。2024年起N3E即將上場(chǎng)，月產(chǎn)能將逐步攀升至10萬(wàn)片，主要客戶涵蓋蘋(píng)果以及英特爾、聯(lián)發(fā)科、高通等多元客戶群。

至于價(jià)格超過(guò)一萬(wàn)美元的5/4 納米制程，在臺(tái)積電營(yíng)收中的占比已經(jīng)從2023年第四季度的35%上升至整年的33%；2023年末產(chǎn)能利用率接近90%，而2024年初直接變?yōu)闈M負(fù)載，成為手機(jī)及包括AI在內(nèi)的HPC客戶首選節(jié)點(diǎn)。

28 納米制程恢復(fù)至正常水平的80%，曾在過(guò)去一年間產(chǎn)能利用率降至50%以下的7/6 納米制程，正逐步上升至75%。

分析稱，當(dāng)前臺(tái)積電大約70%的營(yíng)收來(lái)源于16納米以下的先進(jìn)制程技術(shù)，隨著3納米和2納米技術(shù)在未來(lái)幾年的貢獻(xiàn)增長(zhǎng)，這種情況還可能進(jìn)一步提升，預(yù)計(jì)未來(lái)成熟制程技術(shù)在其總體營(yíng)收中的比例不會(huì)超過(guò)20%。

此外，據(jù)消息人士透露，臺(tái)積電2 納米進(jìn)程十分順利，設(shè)立在寶山P1廠的2 納米生產(chǎn)線將于2024年第四季度開(kāi)始試生產(chǎn)，同年第二季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，蘋(píng)果作為首家采用公司將大量采購(gòu)，同時(shí)英特爾、聯(lián)發(fā)科、高通、AMD、英偉達(dá)等各大廠商也已紛紛洽談合作事宜。