智能儀表中的MRAM HS4MANSQ1A-DS1，容量4Mbit

工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)廣泛分布著檢測(cè)溫度、濕度、壓力、流量等參數(shù)的傳感器。與傳感器相對(duì)應(yīng)，工業(yè)場(chǎng)景中還配置了大量智能儀表，以便實(shí)時(shí)處理和記錄傳感器采集的數(shù)據(jù)，進(jìn)而實(shí)時(shí)監(jiān)控現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備。其中，非易失存儲(chǔ)器是智能儀表的重要組成部分。

如下圖所示，智能電表和集中器需要實(shí)時(shí)保存計(jì)量數(shù)據(jù)（總、各費(fèi)率電能值、需量值）和負(fù)荷曲線數(shù)據(jù)（電能值、電壓值、電流值）。2020版智能電表技術(shù)規(guī)范要求電表的使用壽命不得小于16年。以1次/秒的數(shù)據(jù)保存頻率計(jì)算，16年內(nèi)需要保存5億次計(jì)量數(shù)據(jù)和負(fù)荷曲線數(shù)據(jù)。

國產(chǎn)MRAM HS4MANSQ1A-DS具有萬億次擦寫壽命和納秒級(jí)寫入速度，無需通過軟件來規(guī)避傳統(tǒng)非易失存儲(chǔ)器讀寫次數(shù)不夠的問題，非常適合智能電表和集中器的應(yīng)用需求。

HS4MANSQ1A-DS1容量為4Mbit，支持SPI/QPI(串行單線/四線接口)模數(shù)。芯片可配置為1位I/O獨(dú)立接口或4位I/O通用接口，SOP8封裝，由于在存儲(chǔ)器陣列中采用MRAM技術(shù)，存儲(chǔ)陣列中的數(shù)據(jù)將保持10年以上，可以保證工業(yè)環(huán)境下的智能儀表長期穩(wěn)定的運(yùn)行。

HS4MANSQ1A-DS1單一電源VCC僅3.3V，待機(jī)電流只有2mA，休眠電流僅有2μA，可以很好的節(jié)省儀表運(yùn)行器件的電量消耗。從耐久度上來看，HS4MANSQ1A-DS1在105℃環(huán)境下數(shù)據(jù)可以保留10年以上，85℃環(huán)境下數(shù)據(jù)可以保留20年以上，性能完全足夠智能儀表的使用壽命，由此，國芯思辰MRAMHS4MANSQ1A-DS1可成為智能儀表存儲(chǔ)系統(tǒng)的不二選擇。

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