本文出自變頻器企業(yè)的設(shè)計團隊,全面介紹了滿足IEC61800-9變頻產(chǎn)品國際新能效標準的11kW重載型變頻器產(chǎn)品定義、設(shè)計和驗證,包括新一代IGBT7 - FP50R12W2T7_B11的選型、整機效率、溫升、dv/dt、EMC等。
隨著我國穩(wěn)步推進能源綠色低碳轉(zhuǎn)型,持續(xù)推動產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級,在“雙碳”目標(碳達峰與碳中和)指引下,變頻器(Variable Frequency Drive,VFD)和電機組成的傳動系統(tǒng)(Power Drive System,PDS)的能效指標變得尤為重要。因此,采用全新一代功率器件IGBT7和新高能效控制軟件的變頻器產(chǎn)品設(shè)計,可以為行業(yè)應(yīng)用帶來顯著的節(jié)能效益和性能提升,更好地適應(yīng)IEC61800-9等變頻產(chǎn)品國際新能效標準的要求。
本文將介紹基于英飛凌TRENCHSTOP IGBT7系列EasyPIM 2B 1200V 50A模塊FP50R12W2T7_B11開發(fā)的新一代超高功率密度11kW重載型通用變頻器,該變頻器具有體積小,功率密度高,滿載效率可達98.1%,可適配IE3/4及以上高能效三相異步電動機電機及高速同步電機,支持多種總線通訊,具備Wi-Fi IoT云連接能力等特點。同時,本設(shè)計內(nèi)置EMC濾波器,可滿足IEC61800-3 C3類要求。特別適合高效率、高性能風(fēng)機、泵類、壓縮機驅(qū)動等應(yīng)用場合。
變頻器主要參數(shù):
外形尺寸:高220mm*寬115mm*深180mm,由于IGBT7器件的高效率、低損耗的特性,有效減小了散熱器尺寸,使得本設(shè)計將11kW變頻器的尺寸降低到傳統(tǒng)7.5kW變頻器的尺寸水平,遠領(lǐng)先于市場上同類產(chǎn)品,見下表:
輸出額定功率Pld=11kW
輸出額定電流Ild=23A(環(huán)境溫度45℃,每10分鐘可承受1分鐘150%過載)
效率Efficiency>98%
本設(shè)計11kW與市場主流7.5kW產(chǎn)品外形
英飛凌IGBT7芯片和模塊
IGBT是變頻器中實現(xiàn)變頻變壓的核心元件,本設(shè)計采用的是英飛凌的EasyPIM2B的模塊FP50R12W2T7_B11,該模塊采用最新一代的IGBT7技術(shù),與傳統(tǒng)的IGBT4相比,IGBT7采用了MPT微溝槽技術(shù)和更薄的晶圓,通過對元胞結(jié)構(gòu)和間距的精心設(shè)計,改善了寄生電容參數(shù),降低了導(dǎo)通損耗,并提供了更好的dv/dt可控性。
這一針對電機驅(qū)動定義的芯片在具體在變頻器設(shè)計中,優(yōu)勢明顯:
1.
封裝降級
高功率密度,將50A的模塊從Econo2封裝尺寸減小到Easy 2B的尺寸,占用板面積減小43.7%
FP50R12KT4
長107.5mm*寬45mm
FP50R12W2T7_B11
長56.7mm*寬48mm
2.
與實際應(yīng)用更匹配的結(jié)溫特性
由于變頻器是實際應(yīng)用場合通常存在短時過載的工況,短時過載時,會造成IGBT實際結(jié)溫進一步升高(如藍色曲線的突起部分),與傳統(tǒng)IGBT4相比,IGBT7將過載下的最大結(jié)溫提高到175℃,過載和不過載結(jié)溫設(shè)計限制分開考慮,模塊能力的使用更充分。
設(shè)計驗證
1.
dv/dt
IGBT開通電阻Ron阻值選擇為11.2ohm,測得dv/dt=4.57kV/us,符合電機絕緣要求。
2.
硬件過流保護
硬件過流點為64A,保護動作延遲時間6us<8us,滿足IGBT7短路時間要求。
3.
EMC測試
該變頻器甚至可滿足C2-5m的EMC要求。
i.傳導(dǎo)極限值和測試
ii.輻射極限值和測試
4.
效率
在永磁同步機負載條件下,輸出19.5A,輸出功率11.3kW時,整機效率可達98.1%。
5.
溫升
該變頻器在如上工況穩(wěn)定運行1小時,測得IGBT模塊的溫升數(shù)據(jù)如下:
計算上述工況IGBT模塊損耗如下:
根據(jù)熱阻數(shù)據(jù)推算IGBT結(jié)溫約73℃,按環(huán)境溫度45℃折算,該工況的IGBT結(jié)溫約為100℃,設(shè)計裕量充足。
系統(tǒng)設(shè)計要點
1.
散熱設(shè)計
該變頻器尺寸小,功率大,如何將熱量快速的散出是系統(tǒng)設(shè)計的一大難點,對比多種布局方案,下圖的布局方案系統(tǒng)的風(fēng)阻小,流過散熱器的風(fēng)量大,能將模塊的熱量快速散出,母線電容與散熱器之間用塑膠件隔開,且有一定風(fēng)量流過母線電容表面,降低母線電容周圍的環(huán)境溫度,提高了電容壽命。
2.
IGBT驅(qū)動設(shè)計
本設(shè)計采用英飛凌的1ED3121MU12H驅(qū)動IC,該芯片的開通電阻和關(guān)斷電阻可分開配置,有高達5.5A的峰值驅(qū)動電流,足以驅(qū)動該模塊的IGBT;驅(qū)動IC有高達200kV/us的共模抑制比,可減小傳遞到控制側(cè)的IGBT開關(guān)干擾;芯片本身原、副邊之間>8mm的電氣間隙滿足爬電距離要求;可直接接收MCU的3.3V PWM信號,與MCU內(nèi)置的硬件比較保護PWM關(guān)斷功能完美匹配,簡化了系統(tǒng)設(shè)計。
結(jié)論
英飛凌的新一代IGBT7模塊配合5.5A驅(qū)動能力的EiceDRIVER驅(qū)動器,可以把變頻器的功率密度大幅提高,從而提高整機性能,降低系統(tǒng)成本和整個產(chǎn)品壽命周期和擁有成本,增強市場競爭力。
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