FRAM的主要優(yōu)點(diǎn)是數(shù)據(jù)讀取速度快,讀取電流極小,非常適用于一些對頻繁讀取數(shù)據(jù)有要求的一些應(yīng)用。此外,也可以通過使用FRAM來延長電池壽命。
與EEPROM和閃存等現(xiàn)有類型的非易失性存儲器相比,F(xiàn)RAM具有高寫入速度、高讀/寫耐久性和低功耗的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于IC卡、RFID標(biāo)簽、功率計(jì)和工業(yè)機(jī)械等,同時由于其尺寸小的特性也非常適合可穿戴設(shè)備和傳感器網(wǎng)絡(luò)。本文主要介紹國產(chǎn)FRAM SF25C20兼容MB85RS2MT在可穿戴產(chǎn)品中的應(yīng)用。
國芯思辰FRAM SF25C20具有讀寫速度快(100萬次)、寫入壽命長、寫入耗能小等優(yōu)點(diǎn)。它的工作電壓范圍為2.7V至3.6V,最低待機(jī)功耗只有9微安,能在低電流的情況下瞬間保存數(shù)據(jù),確保系統(tǒng)中的信息安全。
? 接口類型:SPI接口;
? 工作頻率:25兆赫茲;
? 數(shù)據(jù)保持:10年@85℃(200年@25℃);
? 高速讀特性:支持40MHz高速讀命令;
? 工作環(huán)境溫度范圍:-40℃至85℃;
? 封裝形式:8引腳SOP封裝,符合RoHS;
? 性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(賽普拉斯)。
綜上可以看出,F(xiàn)RAMSF25C20非常適合可穿戴產(chǎn)品的信息存儲,配置了SF25C20的可穿戴設(shè)備不僅僅是一種硬件設(shè)備,更是通過軟件支持以及數(shù)據(jù)交互、云端交互來實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的功能。
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