OVP過壓保護芯片
OVP過壓保護IC:為了保護后級電路,平芯微早早推出了系列OVP過壓保護芯片產(chǎn)品,很多客戶對于OVP過壓保護芯片的功能和使用仍然存在一些誤解。這次我們平芯微就針對OVP過壓保護芯片功能使用做詳細的描述和介紹。
首先我們需要先看下芯片規(guī)格書的描述(如下圖),有一定了解后,我們再往下給大家講解。
下圖是我們手繪的輸入電壓VIN和輸出電壓VOUT和過壓閾值OVP三者的關系和芯片內(nèi)部框圖。
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1, 當輸入電壓VIN是5V時,輸出電壓VOUT也是5V;
2, 當輸入電壓VIN是9V時,輸出電壓VOUT也是0V;
3, 當輸入電壓從5V提高到9V時,電壓在uS時間下看是斜坡形上升的(需用示波器查看),由于OVP過壓保護芯片的目的是保護后級電路的安全,不受高壓的危險,導致?lián)p壞后級電路,所以要求OVP過壓保護芯片需要要過快的響應時間,平芯微的以下4款OVP過壓保護產(chǎn)品,都具有極快的OVP響應時間0.05uS,在OVP閾值達到時,快速關閉芯片內(nèi)置MOS,使得無輸出電壓,保護后級電路。
PW2605 (輸入耐壓36V,SOT23-3封裝,OVP閾值6.1V,1A電流,內(nèi)阻350mΩ);
PW2606B(輸入耐壓40V,SOT23-6封裝,OVP閾值6.1V,1A電流,內(nèi)阻350mΩ);
PW2606(輸入耐壓40V,SOT23-6封裝,OVP閾值6.1V,2A電流,內(nèi)阻100mΩ);
PW2609A(輸入耐壓40V,SOT23-6封裝,OVP閾值可調(diào),3A電流,內(nèi)阻35mΩ);
OVP過壓保護芯片選型時的其他主要參數(shù):
1,內(nèi)置MOS的內(nèi)阻阻抗
[ 電壓壓差 ] 根據(jù)歐姆定律:R(內(nèi)阻) x I(電流)=V(壓差),內(nèi)阻越高時,輸入電壓和輸出電壓的壓差也越高。
[ 芯片溫度 ] 內(nèi)阻越高時,芯片發(fā)熱量也提高。
[ 電流大小 ] 內(nèi)阻越低時,可以通過更高的電流,如PW2609A可做3A應用,PW2606是2A,PW2606B/PW2605是1A,須知大部分OVP過壓保護芯片無限流功能,如需再增加限流功能,除了成本增加外,電路也增加,平芯微也有系列帶OVP過壓保護和可調(diào)限流功能的系列產(chǎn)品,如:PW1515,PW1555,PW1558。
2,輸入端耐壓
由于電源的特性,輸入上電瞬間會產(chǎn)生尖峰電壓,所以需要芯片輸入端有足夠的耐壓。
PW2605/PW2606B.PW2606/PW2609A輸入耐壓都在40V左右,可以抗住12V的輸入尖峰測試,
當輸入20V尖峰測試時,在輸入端加個電解電容做吸收,使得尖峰電壓在30V以下,遠低于我們芯片耐壓,保證安全性。
如:面對后級電路的耐壓是15V時,如果電路中因為高度限制沒加電解電容時,輸入12V時,由于電源的特性輸入上電瞬間,會產(chǎn)生尖峰電壓,瞬間的尖峰電壓可能會達到16V,18V等等,超過耐壓15V,造成損壞。也可以加PW2609A起到過壓保護作用。
如:快充充電器,市面上快充充電器產(chǎn)品質(zhì)量的參差不齊,也需要平芯微的過壓保護芯片提高安全性和質(zhì)量可靠性。
如:TWS耳機,電子煙這種靠近人頭部使用產(chǎn)品,更需要平芯微的過壓保護芯片提高安全性和質(zhì)量可靠性。
在過壓保護芯片產(chǎn)品使用中,很多使用在鋰電池充電芯片前面做保護左右,為了節(jié)省PCB設計和成本。平芯微也有多款集成了OVP過壓保護的鋰電池充電芯片:
PW4056HH,SOP8封裝4056腳位,雙LED燈,1A充電,OVP閾值6.8V,輸入耐壓28V;
PW4057H, SOT23-6封裝4057腳位,雙LED燈,0.8A充電,OVP閾值6.8V,輸入耐壓28V;
PW4054H, SOT23-5封裝4054腳位,單LED燈,0.5A充電,OVP閾值6.8V,輸入耐壓28V。
在面對鋰電池放電時,如遇到大功率放電突然斷開時,也會產(chǎn)生異常尖峰高壓,平芯微針對以上三款新品,對于BAT電池端引腳耐壓從普遍6V設計,提高了3倍以上,采用了20V耐壓,提高質(zhì)量可靠性。
審核編輯:劉清
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原文標題:為什么需要OVP過壓保護IC及其作用詳解
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