原文來(lái)自原創(chuàng)書籍《硬件設(shè)計(jì)指南 從器件認(rèn)知到手機(jī)基帶設(shè)計(jì)》:
本小節(jié)介紹下三極管的特性,清晰易懂,使用通俗的水流模型加強(qiáng)對(duì)三極管的原理記憶,一定比課堂上講的要形象的多,各位同學(xué)要學(xué)會(huì)類比的方法來(lái)加深記憶(比如在介紹相對(duì)論中引力扭曲時(shí)空的概念時(shí),國(guó)外科學(xué)家們就用生活中的漩渦,或者在彈性膜中間的重球,來(lái)類比星體引力對(duì)時(shí)空的影響,這樣會(huì)大大簡(jiǎn)化我們學(xué)習(xí)、理解和記憶的過(guò)程,這種學(xué)習(xí)方法被稱為類比學(xué)習(xí)法)。
我們平時(shí)所說(shuō)的三極管全稱是雙極性晶體管(bipolarjunction transistor),具有兩個(gè)PN結(jié),NPN和PNP型三極管電路符號(hào)如圖1-26 所示,有基極B:Base;集電極C:Collector;發(fā)射極E:Emitter三個(gè)引腳,怎么判斷晶體管是NPN還是PNP呢?記住:符號(hào)中的箭頭都是從P指向N的。左圖中,箭頭起點(diǎn)為P、終點(diǎn)為N,所以P在三極管中間,即為NPN;而右圖中,箭頭起點(diǎn)為P、終點(diǎn)為N,所以三極管中間為N,即為PNP。
圖1-26 NPN與PNP型三極管符號(hào)
本節(jié)以NPN三極管為例,介紹下三極管的特性。圖1-27 的曲線是NPN三極管的輸出特性曲線,橫坐標(biāo)是CE之間的電壓VCE,縱坐標(biāo)是CE之間的電流IC,這些曲線主要就是描述基極電流IB、集電極電流ICE和VCE三者的關(guān)系。三極管有三個(gè)工作區(qū),分別是飽和區(qū)、放大區(qū)和截至區(qū)。
圖1-27 NPN三極管輸出特性曲線
圖1-29 三極管的水流控制等效模型
1. 飽和區(qū)的特點(diǎn)。三級(jí)管的電流IC與IB和VCE都有關(guān),當(dāng)VCE不變時(shí),IB變化引起的IC變化不大;但是反過(guò)來(lái),IB固定,VCE變化一點(diǎn)點(diǎn)就會(huì)引起IC劇烈變化,換句話說(shuō)三極管已經(jīng)飽和了,飽和的意思就是滿了,我們可以用向水杯里倒水的模型來(lái)記憶這個(gè)過(guò)程,如圖1-28 所示,IB就是水龍頭注水的水流,IC就是水面的高度,VCE就是指水杯的高度。飽和就是指水滿了,如圖中飽和時(shí)狀態(tài)所示,此時(shí)水面高度IC已經(jīng)滿了(已經(jīng)飽和)不受控于IB了,而受控于水杯的高度VCE,如果想要進(jìn)一步增加IC,就需要增加水杯高度VCE,這樣理解并記憶飽和這個(gè)概念就更形象易懂了。
2. 放大區(qū)的特點(diǎn)。隨著IB的增加,IC也增加,IC主要受控于IB,與VCE關(guān)系不大,圖1-27 中可以看到,放大區(qū)內(nèi)VCE增加時(shí)IC基本不變,而IB增加時(shí)IC就跟著增加。圖1-28 清晰地類比了這個(gè)過(guò)程,通俗點(diǎn)說(shuō)就是用IB來(lái)控制IC,這就是我們稱三極管是電流控制型器件的原因。還是以水杯模型來(lái)加深記憶,圖中放大狀態(tài)的水杯中,不管水杯高度VCE是多高,IC的高度只受控于注水水流IB。
3. 截至區(qū)的特點(diǎn)。不管VCE怎么變化,只要IB等于0或接近于0,IC也就約等于0,我們還是以水杯為模型來(lái)加深理解,圖1-28 中注入杯中的水龍頭IB水流非常小,接近于0,所有不管水杯VCE多高,水杯中的水IC始終接近于0。
在電流IC不大時(shí),三極管常用來(lái)做放大器或者是開關(guān)使用,當(dāng)需要大電流時(shí)往往用MOS來(lái)做開關(guān)使用,以上就是三極管的相關(guān)特性介紹,結(jié)合三極管的水流控制等效模型來(lái)理解記憶就會(huì)容易的多。
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審核編輯 黃宇
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三極管
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