近日,全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布,他們已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的開發(fā),并且已經(jīng)通過了英偉達長達半年的嚴格性能評估。據(jù)此,SK海力士計劃在今年3月開始量產(chǎn)這款高頻寬記憶體,以供應(yīng)給英偉達作為他們下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產(chǎn)品B100的首選存儲器。
英偉達計劃在今年第二季度末或第三季度初推出Blackwell系列的B100芯片,這款芯片預(yù)計將引領(lǐng)AI計算的新潮流。而SK海力士的HBM3E,以其出色的性能和效率,將成為B100芯片的理想選擇。
值得一提的是,英偉達在AI GPU市場的地位已經(jīng)穩(wěn)固,其市場份額超過了90%。而在存儲市場,SK海力士也占有全球HBM市場的一半以上份額,更是100%壟斷了128GB DDR5大容量DRAM市場。這次合作將進一步鞏固兩家公司在各自領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
對于SK海力士來說,這次與英偉達的合作不僅是對其技術(shù)實力的一次肯定,更是對其市場地位的一次提升。隨著HBM3E的量產(chǎn)和供貨,SK海力士有望在全球存儲市場進一步擴大其影響力。
總的來說,SK海力士與英偉達的合作將開啟一個新的篇章,雙方的技術(shù)和市場優(yōu)勢將共同推動AI計算和存儲技術(shù)的發(fā)展。我們期待看到這兩款領(lǐng)先技術(shù)的結(jié)合,為未來的AI應(yīng)用帶來更大的可能性和創(chuàng)新。
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