佛羅里達(dá)大學(xué)展示Volt Schemer攻擊，手機(jī)可因無(wú)線充電器燒熔

據(jù)2月24日?qǐng)?bào)道，佛羅里達(dá)大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)推測(cè)出一款名為“VoltSchemer”的新型攻擊技術(shù)，可通過(guò)侵入無(wú)線充電器，在充電過(guò)程中引發(fā)手機(jī)過(guò)溫直至火災(zāi)風(fēng)險(xiǎn)。

盡管此類攻擊技術(shù)實(shí)現(xiàn)較困難且需物理接觸無(wú)線充電器，但對(duì)廣大普通用戶無(wú)需過(guò)度擔(dān)憂。此次實(shí)驗(yàn)主要旨在揭示此潛在威脅。

VoltSchemer打著新型攻擊技術(shù)的旗號(hào)，主要針對(duì)目前熱門的無(wú)線充電器，通過(guò)改變?cè)O(shè)備電源的輸出電壓，進(jìn)而引起電磁干擾，使智能手機(jī)無(wú)法正常發(fā)聲或執(zhí)行其他相關(guān)功能。

QI標(biāo)準(zhǔn)已對(duì)充電安全性有所保障，已設(shè)定當(dāng)電量充裕時(shí)即停止充電。然而，VoltSchemer趁虛而入，利用這一漏洞，使防護(hù)措施形同虛設(shè)。

在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)進(jìn)行的測(cè)試顯示，VoltSchemer攻擊能使三星Galaxy S8手機(jī)溫度上升至81攝氏度；同時(shí)，還會(huì)影響到充電器外表其它金屬物質(zhì)，如放置于其上的夾子亦可升溫至280攝氏度，輕松熔化閃存盤，甚至引發(fā)過(guò)熱及數(shù)據(jù)丟失等問(wèn)題。