今日,三星電子宣布推出了業(yè)內(nèi)最大容量的HBMDRAM——HBM3E 12H,該系列產(chǎn)品首次采用了12層堆疊技術(shù)。
HBM3E 12H的全天候帶寬可達(dá)驚人的1280GB/s,并且擁有高達(dá)36GB的容量。相較于原有的8層堆疊HBM3 8H,此次升級(jí)的HBM3E 12HT不僅在帶寬上提升了近50%,而且在容量方面也有了顯著增長(zhǎng)。
“隨著AI行業(yè)對(duì)大容量HBM的需求日益增大,我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生,”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個(gè)存儲(chǔ)方案是我們?cè)谌?a href="http://www.ttokpm.com/v/tag/150/" target="_blank">人工智能時(shí)代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示。”
據(jù)悉,HBM3E 12H運(yùn)用了熱壓非導(dǎo)電薄膜(TC NCF)技術(shù),使得12層與8層堆疊產(chǎn)品能夠保持相同的高度,適應(yīng)現(xiàn)行的HBM封裝標(biāo)準(zhǔn)。該技術(shù)在更高層次的堆疊中優(yōu)勢(shì)明顯,可以有效地防止芯片彎曲現(xiàn)象,三星一直致力于減薄非導(dǎo)電薄膜(NCF)材料厚度,并成功縮小芯片間的間距至7微米(μm),同時(shí)消除了層與層之間的空隙,從而大幅提升了HBM3E 12H產(chǎn)品的垂直密度。
此外,三星的熱壓非導(dǎo)電薄膜(TC NCF)技術(shù)還優(yōu)化了HBM的熱量管理功能,通過在芯片之間使用不同尺寸的凸點(diǎn)(bump)提高效率。這種技術(shù)在芯片鍵合(chip bonding)過程中的互補(bǔ)效應(yīng)尤為突出,能夠有效提升產(chǎn)品良率。
據(jù)三星電子稱,與HBM3 8H相比,HBM3E 12H在大數(shù)據(jù)處理上將帶來34%的效率提升,同時(shí)客戶規(guī)模也能因性能增強(qiáng)提升超過11.5倍。
據(jù)報(bào)道,三星已經(jīng)開始為客戶提供HBM3E 12H樣品,預(yù)計(jì)在下半年全面投入大規(guī)模生產(chǎn)。
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