AMD MI300加速器將支持HBM3E內(nèi)存

據(jù)AMD高層透露，其最新處理器MI300已備好支持更高速的HBM3E內(nèi)存。2月27日本次電話會議中，AMD的首席技術(shù)官馬克·帕佩瑪斯特，向投資人展示并強調(diào)了他們對存儲領(lǐng)域的深入理解。他解釋說：“目前我們已經(jīng)準備好了8層及12層堆疊的HBM設(shè)計，以及針對HBM3和HBM3E的新架構(gòu)?！?/p>

據(jù)手機資訊網(wǎng)站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊，并面向HBM3E進行了重新設(shè)計。另外，該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要的存儲器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系，同時也與如臺積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。根據(jù)之前Tom‘s Hardware發(fā)布的報告顯示，Instinct MI300X和MI300A都使用了8個HBM堆棧，分別提供了192/128GB的總內(nèi)存容量。

相較于HBM3，新的HBM3E內(nèi)存在讀取和寫入速度上都有大幅提高，比如SK海力士產(chǎn)品的HBM3引腳傳輸速率能達到6.4Gbps，而HBM3E則高達9.2Gbps。此外，由于部分制造商已經(jīng)推出單顆容量36GB的HBM3E內(nèi)存，如此一來新的內(nèi)存還可以增加處理器的總內(nèi)存大小。

在此前的消息中，知情網(wǎng)友@Kepler_L2曾經(jīng)提到過，AMD計劃推出一款修改后的MI300型號，將采用HBM3e作為內(nèi)存，這一消息得到了首席技術(shù)官的間接證實。