差分探頭畸變指標(biāo)（過(guò)沖）對(duì)實(shí)測(cè)開(kāi)關(guān)電源MOS管DS極電壓的影響

上面我們講解過(guò)畸變這個(gè)指標(biāo)，差分探頭的輸入線很長(zhǎng)，容易產(chǎn)生振蕩，產(chǎn)生過(guò)沖，所以這個(gè)指標(biāo)在設(shè)計(jì)時(shí)也非常關(guān)鍵，不同廠家這個(gè)指標(biāo)可能相差很遠(yuǎn)，造成測(cè)量時(shí)誤差很大!測(cè)量MOS管的DS極間電壓可能相差幾十V以上，下面我們將實(shí)例分析，我們以CYBERTEK公司的DP6130A和P5200做實(shí)例對(duì)比!先測(cè)標(biāo)準(zhǔn)的1MHz方波信號(hào)，看輸出波形：

圖1 DP6130A實(shí)測(cè)1MHz方波波形系統(tǒng)

圖2 1MHz方波波形 過(guò)沖很小

圖3 P5200實(shí)測(cè)1MHz方波波形系統(tǒng)，過(guò)沖相當(dāng)嚴(yán)重!

圖4 P5200實(shí)測(cè)1MHz方波 看到過(guò)沖達(dá)到45%左右

現(xiàn)在我們來(lái)看實(shí)際測(cè)量開(kāi)關(guān)電源MOS管DS極間波形：

圖5 差分探頭實(shí)測(cè)波形對(duì)比系統(tǒng)

圖6 測(cè)試點(diǎn)特寫

圖7 實(shí)測(cè)波形，黃線為DP6130A，紅線為P5200

從上面波形可以看到，實(shí)測(cè)值相差103V，P5200過(guò)沖相當(dāng)嚴(yán)重，這在測(cè)試1MHz方波時(shí)得到了驗(yàn)證，說(shuō)明了畸變(過(guò)沖)指標(biāo)對(duì)測(cè)量的重要性!當(dāng)然并不是說(shuō)測(cè)到的值越小越好，如果探頭的帶寬不滿足要求，測(cè)量值自然偏小，有些尖峰捕捉不大，DP6130A帶寬高達(dá)100MHz，在開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域里基本滿足要求。

審核編輯 黃宇