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戴爾發(fā)布英偉達(dá)B200 AI GPU:高功耗達(dá)1000W,創(chuàng)新性冷卻工程設(shè)計(jì)必要

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-03-05 09:30 ? 次閱讀

服務(wù)器制造商戴爾宣布,英偉達(dá)將于近期推出人工智能AI)新品GPU,代號(hào)“Blackwell”。該款芯片能耗高達(dá)1000W,相較于前代增長(zhǎng)40%,需戴爾運(yùn)用創(chuàng)新工程技術(shù)進(jìn)行散熱管理。

戴爾運(yùn)營(yíng)總裁Jeff Clarke表示,為配合新款GPU B200,戴爾還會(huì)推出旗艦級(jí)機(jī)架式服務(wù)器Power Edge XE9680。

市場(chǎng)傳言,這款B200雖然運(yùn)算性能更強(qiáng),卻又面臨著驚人的能耗,最高或可至1000W,同比H100增長(zhǎng)超過(guò)40%。由于搭載Hopper架構(gòu)及HBM3e高帶寬內(nèi)存,英偉達(dá)B200被行業(yè)視為運(yùn)行速度最高的AI芯片;且預(yù)測(cè)B200的計(jì)算效能或?qū)⒊鑫覀兿胂?,有望翻番于B100,即H200的4倍。

Jeff Clarke預(yù)計(jì),戴爾將借此機(jī)會(huì)展示其最新型服務(wù)器的工程技術(shù),尤其在液體冷卻模塊上;然而,他同時(shí)坦言,B100與B200或需等到2025年才能正式問(wèn)世,較此前預(yù)期略晚。

結(jié)合英偉達(dá)H100的定制4nm級(jí)工藝來(lái)看,下一代GPU極有可能選用3nm制程以提高性能。鑒于芯片功耗及散熱量增加,有可能看到英偉達(dá)推出首款雙芯整合設(shè)計(jì)的AI GPU,擴(kuò)大芯片表面區(qū)域以便更好地散發(fā)產(chǎn)生的熱量。實(shí)際上,AMDIntel早已布局多芯GPU構(gòu)架,此舉正順應(yīng)市場(chǎng)發(fā)展。

英特爾CEO Bob Swan強(qiáng)調(diào),高性能AI和HPC應(yīng)用需要關(guān)注FLOPS效率及其對(duì)應(yīng)功耗及散熱問(wèn)題。對(duì)于軟件開(kāi)發(fā)領(lǐng)域而言,關(guān)鍵在于如何充分發(fā)揮所提供的效率;硬件開(kāi)發(fā)則需要關(guān)注如何高效散熱。戴爾認(rèn)為,此次Blackwell GPU推廣或?qū)⒅ζ鋺?zhàn)略領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)者,這是他們?yōu)槭裁搓P(guān)注英偉達(dá)下一代Blackwell GPU的主要原因。

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