國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20(MB85RS2MT)可用于微控制器領(lǐng)域

嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量?jī)x表到工業(yè)控制、儀表與醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用。

而嵌入式鐵電存儲(chǔ)器還加強(qiáng)了微控制器的數(shù)據(jù)安全性，普通存儲(chǔ)器根據(jù)內(nèi)部的存儲(chǔ)區(qū)域中是否存在電荷來(lái)記錄數(shù)據(jù)。可以通過(guò)從外部掃描存儲(chǔ)器內(nèi)部產(chǎn)生的電荷量的變化來(lái)讀取并分析記錄的數(shù)據(jù)。FRAM利用被稱為“極化”的現(xiàn)象來(lái)記錄數(shù)據(jù)，通過(guò)電場(chǎng)改變材料的分子的取向，這種現(xiàn)象很難分析和盜取記錄的數(shù)據(jù)。

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20在微控制器中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：

1、SF25C20的存儲(chǔ)單元可用于1E6次讀/寫操作*1，數(shù)據(jù)保持：10年@85℃（200年@25℃），當(dāng)微控制器掉電后數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。

2、SF25C20是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)制成，芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，能提高數(shù)據(jù)的安全性。

3、SF25C20最大功耗為5mA，待機(jī)電流僅7μA，可以有效降低微控制器的功耗。

4、SF25C20支持SPI串行接口，最大25MHz工作頻率，可滿足微控制器芯片快速通信需求。

5、SF25C20工作環(huán)境溫度范圍是-40℃至85℃，符合工業(yè)環(huán)境的應(yīng)用。

6、SF25C20采用SOP8小封裝，節(jié)省PCB板設(shè)計(jì)空間，便于布局。

7、SF25C20性能兼容富士通的MB85RS2MT，且SF25C20的價(jià)格優(yōu)勢(shì)遠(yuǎn)高于MB85RS2MT。

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