0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

威剛發(fā)布超頻DDR5游戲內(nèi)存,采用PCB熱涂層技術(shù)

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-03-07 14:21 ? 次閱讀

近日,威剛公布了其計劃在今年第二季度發(fā)布的全新XPG高端DDR5游戲內(nèi)存。此款產(chǎn)品將采用超頻功能,并且重要的是使用了PCB熱涂層技術(shù),提升了10%的散熱效能。

據(jù)介紹,這是業(yè)界首次將PCB熱涂層技術(shù)應(yīng)用于超頻內(nèi)存中。該技術(shù)能夠?qū)?nèi)存的運行速率提升至每秒8000兆次以上,同時保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

在提供出色性能的同時,這一技術(shù)能夠大幅提升散熱面積及效率,有效緩解高時鐘頻率帶來的熱量問題。

對比普通超頻DDR5游戲內(nèi)存,這款新品在散熱風(fēng)扇條件下,溫差降低了八點五攝氏度,散熱效率提升了十點八個百分點。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 內(nèi)存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    2966

    瀏覽量

    73814
  • DDR5
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    416

    瀏覽量

    24074
  • PCB
    PCB
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    1771

    瀏覽量

    13204
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    帶你超頻8000+,墨云藏境DDR5 RGB內(nèi)存超頻實測

    DDR5內(nèi)存震撼登場以來,對更高頻率的追求便未曾停歇。以4800 MT/s這一標(biāo)準頻率為始,隨著技術(shù)進步,DDR5內(nèi)存正不斷超越速度界限,
    的頭像 發(fā)表于 10-21 15:18 ?184次閱讀
    帶你<b class='flag-5'>超頻</b>8000+,墨云藏境<b class='flag-5'>DDR5</b> RGB<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>條<b class='flag-5'>超頻</b>實測

    DDR5內(nèi)存面臨漲價潮,存儲巨頭轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)

    近日,存儲芯片市場傳來重大消息,SK海力士正式通知市場,其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價15%至20%,這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于,SK海力士、美光、三星等存儲芯片巨頭紛紛調(diào)整
    的頭像 發(fā)表于 08-15 10:19 ?648次閱讀

    Introspect DDR5/LPDDR5總線協(xié)議分析儀

    DDR5 RDIMM及支持下一代MR-DIMM單體測試驗證系統(tǒng) (DDR5 MR-DIMM Module Test System), 支持的速率可高達17.4Gbps. DDR5內(nèi)存
    發(fā)表于 08-06 12:03

    DDR5 MRDIMM內(nèi)存標(biāo)準將發(fā),存儲廠商方案先行

    MRDIMM產(chǎn)品的研發(fā),并發(fā)布了相關(guān)產(chǎn)品方案。DDR5 MRDIMM將為下一代高性能計算、AI應(yīng)用提供動力。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會提到,DDR5多路復(fù)用雙列直插式
    的頭像 發(fā)表于 07-31 18:26 ?5139次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR5</b> MRDIMM<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>標(biāo)準將發(fā),存儲廠商方案先行

    DDR5內(nèi)存條上的時鐘走線

    DDR5標(biāo)準JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時代基本內(nèi)存條上時鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對而言比較細。不知道你開始使用
    的頭像 發(fā)表于 07-16 17:47 ?1569次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR5</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>條上的時鐘走線

    0706線下活動 I DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號專題設(shè)計技術(shù)交流活動

    01活動主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號專題設(shè)計技術(shù)交流活動時間:2024年7月6日(本周六)10:00地點:深圳市南山區(qū)科技南十二路
    的頭像 發(fā)表于 07-06 08:12 ?276次閱讀
    0706線下活動 I <b class='flag-5'>DDR</b>4/<b class='flag-5'>DDR5</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>高速信號專題設(shè)計<b class='flag-5'>技術(shù)</b>交流活動

    DDR5內(nèi)存接口芯片組如何利用DDR5 for DIMM的優(yōu)勢?

    2021 年,JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準,標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules (DIMM) 的過渡。
    的頭像 發(fā)表于 03-17 09:50 ?2757次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR5</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>接口芯片組如何利用<b class='flag-5'>DDR5</b> for DIMM的優(yōu)勢?

    DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好?

    DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存
    的頭像 發(fā)表于 01-12 16:43 ?7934次閱讀

    瀾起科技發(fā)布DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片

    瀾起科技,這一在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域具有領(lǐng)先地位的公司,近日發(fā)布了一款引人注目的新產(chǎn)品——DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片(DDR5 RCD04)
    的頭像 發(fā)表于 01-07 16:28 ?858次閱讀

    lpddr5時序比ddr5慢多少

    DDR5的主要特點。LPDDR5是為移動設(shè)備設(shè)計的內(nèi)存標(biāo)準,它具有低功耗的特點,能夠提供高帶寬和大容量的存儲。而DDR5是桌面和服務(wù)器領(lǐng)域的內(nèi)存
    的頭像 發(fā)表于 01-04 10:22 ?4246次閱讀

    影馳HOF PRO DDR5 7000內(nèi)存詳細評測報告

    在最為重要的內(nèi)存顆粒上,根據(jù)軟件檢測,這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒,與市面上大部分DDR5
    發(fā)表于 01-02 14:37 ?687次閱讀
    影馳HOF PRO <b class='flag-5'>DDR5</b> 7000<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>詳細評測報告

    DDR5 SDRAM規(guī)范

    JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
    發(fā)表于 12-25 09:51 ?16次下載

    臺電追風(fēng)A60 DDR5內(nèi)存條全面上市

    追風(fēng)A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格,相較DDR4,性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:52 ?1121次閱讀
    臺電追風(fēng)A60 <b class='flag-5'>DDR5</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>條全面上市

    ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢

    隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加,為進一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤,DDR5引入了片上ECC
    發(fā)表于 11-30 14:49 ?364次閱讀
    <b class='flag-5'>ddr5</b>為什么能跑得那么穩(wěn)呢

    存儲器廠強攻DDR5產(chǎn)品 后市可期

    對于ddr5市場的發(fā)展,表示,現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨,主要來自pc,隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高,明年上半年ddr5
    的頭像 發(fā)表于 11-24 10:38 ?492次閱讀