SK海力士正著重投資先進芯片封裝領(lǐng)域,旨在應(yīng)對AI開發(fā)所需的高帶寬存儲器(HBM)日益增長的需求。
據(jù)封裝研發(fā)負責(zé)人李康旭副社長(Lee Kang-Wook)介紹,SK海力士已在韓國投入逾10億美元擴充及改良芯片封裝技術(shù)。精心優(yōu)化封裝工藝是HBM獲青睞的重要原因,實現(xiàn)了低功耗、提升性能等優(yōu)勢,提升了SK海力士在HBM市場的領(lǐng)軍地位。
盡管今年的資本支出預(yù)算尚無公開信息,但分析師普遍預(yù)測約為14萬億韓元(105億美元),先進封裝研發(fā)預(yù)計占據(jù)10%以上,屬首要任務(wù)之一。
金融科技專家李副社長認為,半導(dǎo)體業(yè)未來50年的重心將由前端(芯片設(shè)計和制造)轉(zhuǎn)向后端工藝(封裝)。他率領(lǐng)團隊推動第三代HBM技術(shù)HBM2E新穎封裝方式的開創(chuàng)與發(fā)展,歷經(jīng)艱險,成功研發(fā)出名為大規(guī)?;亓髂K艿撞刻畛洌∕R-MUF)的高端封裝技術(shù),助力提升散熱效率及產(chǎn)量。李副社長透露,SK海力士正全力推進MR-MUF和TSV(硅通孔)技術(shù)。
目前,全球其他兩家主要HBM制造商也在緊隨其后。美光于2月底宣稱已著手大規(guī)模生產(chǎn)24GB 8-Hi HBM3E,并將于2024年第二季度用于英偉達H200 GPU;三星則宣布36GB 12-Hi HBM3E產(chǎn)品開發(fā)已然完工,計劃在2024年上半年啟動量產(chǎn),而SK海力士則準備在2024年第一季度至第二季度初推出HBM3E。
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