ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD

二極管的種類(lèi)有很多，其中高效率SBD被廣泛用于各種應(yīng)用。尤其是溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD，其VF低于平面結(jié)構(gòu)的SBD，因此可以在整流等應(yīng)用中提高效率。而普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，其trr比平面結(jié)構(gòu)的要差，因此在用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用時(shí)存在功率損耗增加的課題。針對(duì)這種課題，ROHM推出采用自有的溝槽MOS結(jié)構(gòu)、同時(shí)改善了存在權(quán)衡關(guān)系的VF和IR、并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超快trr的YQ系列產(chǎn)品。

“YQ系列”是繼以往支持各種電路應(yīng)用的4個(gè)SBD系列之后推出的新系列產(chǎn)品，也是ROHM首款采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)的二極管。該系列利用ROHM自有的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超快的trr（15ns），與同樣采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)的普通產(chǎn)品相比，trr單項(xiàng)的損耗降低約37%，總開(kāi)關(guān)損耗降低約26%，因此，有助于降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗。另外，通過(guò)（找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城）采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)，與以往采用平面結(jié)構(gòu)的SBD相比，正向施加時(shí)的損耗VF*2和反向施加時(shí)的損耗IR*3均得到改善。這不僅可以降低在整流應(yīng)用等正向使用時(shí)的功率損耗，還可以降低對(duì)于SBD而言最令人擔(dān)心的熱失控風(fēng)險(xiǎn)*4。這些優(yōu)勢(shì)使得該系列產(chǎn)品非常適用于容易發(fā)熱的車(chē)載LED前照燈的驅(qū)動(dòng)電路、xEV用的DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要進(jìn)行高速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。

新產(chǎn)品從2023年12月起全部投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格：300日元～/個(gè)，不含稅）。今后，ROHM將持續(xù)努力提高從低耐壓到高耐壓半導(dǎo)體元器件的品質(zhì)，并繼續(xù)加強(qiáng)別具特色的產(chǎn)品陣容，為應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化和更低功耗貢獻(xiàn)力量。

＜關(guān)于SBD的溝槽MOS結(jié)構(gòu)＞

溝槽MOS結(jié)構(gòu)是在外延層中形成溝槽（溝槽MOS）并用多晶硅填充的結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)可以緩和電場(chǎng)集中，從而可以降低外延層的電阻率，在正向施加時(shí)VF更低。另外，當(dāng)反向施加時(shí)，可以緩和電場(chǎng)集中現(xiàn)象，從而實(shí)現(xiàn)更低的IR。前述的“YQ系列”通過(guò)采用這種溝槽MOS結(jié)構(gòu)，與以往產(chǎn)品相比，VF改善了約7%，IR改善了約82%。另一方面，在普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)中，寄生電容（元器件中的電阻分量）較大，因此trr要比平面結(jié)構(gòu)的差?！癥Q系列”不僅改善了VF和IR，而且還利用ROHM自有的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了約15ns的業(yè)界超快trr。由于可將開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗降低約26%，因此非常有助于降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗。

＜應(yīng)用示例＞

?汽車(chē)LED前照燈 ?xEV用DC-DC轉(zhuǎn)換器 ?工業(yè)設(shè)備電源 ?照明

＜產(chǎn)品陣容表＞

審核編輯 黃宇