Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊

近日，全球知名的半導體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過改良設計的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N，均采用了Vishay獨特的Trench IGBT技術(shù)，為設計人員提供了業(yè)內(nèi)領先的技術(shù)選項，旨在降低運輸、能源和工業(yè)應用中的大電流逆變級導通或開關(guān)損耗。

這一系列功率模塊的創(chuàng)新之處在于，它們提供了低VCE(ON)和低Eoff兩種技術(shù)選擇。低VCE(ON)特性有助于在導通狀態(tài)下減少能量損失，從而提高整體效率；而低Eoff特性則有助于在開關(guān)過程中減少能量損失，進一步提升系統(tǒng)的性能。

這些工業(yè)級器件專為各種應用的電源逆變器設計，包括鐵路設備、發(fā)電配電和儲電系統(tǒng)、焊接設備、電機驅(qū)動器和機器人等。在這些應用中，功率模塊的性能直接影響到整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。因此，Vishay的新款半橋IGBT功率模塊有望為這些應用帶來顯著的性能提升。

此外，這些新型功率模塊還采用了改良的INT-A-PAK封裝，這種封裝設計不僅提供了出色的散熱性能，還增強了模塊的機械強度，使其能夠在各種惡劣的工作環(huán)境下穩(wěn)定運行。

業(yè)界專家分析認為，Vishay此次推出的新款半橋IGBT功率模塊，充分展示了其在半導體技術(shù)領域的創(chuàng)新實力。這些模塊不僅性能優(yōu)異，而且適用性廣泛，有望為電源逆變器市場帶來新的增長動力。

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，對功率模塊的性能要求也越來越高。Vishay的新款半橋IGBT功率模塊的推出，無疑為市場提供了一款高性能、高可靠性的解決方案。未來，我們期待Vishay能夠繼續(xù)推出更多創(chuàng)新產(chǎn)品，推動電力電子技術(shù)的進一步發(fā)展。